- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
短路应力对SiC功率MOSFET中SiO2介质退化的影响
摘要： 本文研究了短路事件对平面SiC MOSFET栅极可靠性的影响，该影响随着结温升高和偏置电压增大而愈发显著。电学波形表明存在栅极退化机制，表现为栅极漏电流随退化程度加剧而持续增大。通过对退化SiC MOSFET进行失效分析，并与新器件结构对比以识别潜在缺陷/异常。聚焦离子束切割显示与新器件相比存在多处差异：(i)多晶硅栅极与铝源极间出现裂纹；(ii)源极接触附近存在金属颗粒；(iii)铝源极顶面发生形变。这些缺陷与栅极漏电流及漏极漏电流的增大具有相关性。
关键词： 聚焦离子束，短路，栅极氧化层击穿，栅极氧化层，退化，缺陷，可靠性，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，失效分析，扫描电子显微镜
更新于2025-09-23 15:22:29
-
[IEEE 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 中国深圳（2018.10.23-2018.10.25）] 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 1200V碳化硅MOSFET器件的阈值电压不稳定性
摘要： 1200V 4H-SiC MOSFET已成功设计并制造完成。当栅极电压Vg=20V（对应漏源电压Vd=2.0V）时，漏极电流Id达到20A。研究团队随即对阈值电压稳定性进行了测试。研究表明：在栅极偏压应力作用下器件性能的不稳定性，源于SiC/栅介质界面陷阱及邻近界面陷阱的栅介质对电子的俘获效应。实验在150℃温度下对栅极施加+20V/-10V恒定电压，通过监测阈值电压来评估器件稳定性。与另外三款商用器件相比，该器件的阈值电压Vth表现出极小的波动。
关键词： 阈值电压，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，界面态
更新于2025-09-22 22:33:49
-
[IEEE 2019 AEIT国际年会（AEIT）- 意大利佛罗伦萨（2019年9月18日-2019年9月20日）] 2019年AEIT国际年会（AEIT）- 考虑以碳化硅MOSFET为开关器件并采用光伏电源的中点钳位逆变器预测电流控制
摘要： 本文提出了一种三相三电平中点钳位（3L-NPC）逆变器的预测电流控制方法。其主要贡献在于分析了直流母线电压对特定类型功率半导体器件（即碳化硅MOSFET）构成的3L-NPC逆变器输出特性的影响。直流母线电源采用光伏阵列，其串联组件数量的选取采用启发式方法确定。所有分析与结果均通过Matlab/Simulink仿真平台完成。
关键词： 中性点钳位变流器、预测电流控制、光伏系统、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）
更新于2025-09-16 10:30:52
-
[2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 匈牙利布达佩斯(2018.8.26-2018.8.30)] 2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 不同寄生电感对SiC MOSFET开关行为的影响
摘要： 本文通过实验研究了寄生电感对碳化硅MOSFET半桥开关性能的影响。由于宽带隙功率半导体器件的开关动态特性比硅器件高出数个数量级，开关单元中的寄生元件变得愈发重要——它们会限制电流和电压变化率并引发振荡。深入理解这些效应对于设计高效、集成的下一代电力电子变换器至关重要。论文提出了一种实现低成本、高重复性纳亨级可变电感的实施方案，并搭建了配备碳化硅MOSFET的测试PCB板，在改变开关单元中所有相关电感值的条件下进行双脉冲实验。研究结果从开关性能角度进行了分析，通过对比硅器件与碳化硅器件的开关暂态差异，结合寄生元件特性阐明了其成因。
关键词： 开关性能、电力电子、寄生电感、双脉冲实验、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
更新于2025-09-04 15:30:14