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在不同化学组成的铌酸锂晶体中，通过不同性质的非平衡过程形成有序缺陷结构
摘要： 铌酸锂晶体中已形成有序缺陷结构。该现象源于不同性质的非平衡过程：光致散射、激光烧蚀以及机械应力释放过程中产生的裂纹。此类结构的形态取决于作用于晶体的作用性质与能量强度。光致散射过程中会出现具有不同折射率变化的激光诱导缺陷密度的同心区域；激光烧蚀时，由于脉冲激光辐射下的局部畴反转，在异号宏观畴中会形成微畴同心簇；机械应力致裂时，主宏观裂纹附近会产生具有分形结构的微裂纹群。因此，有序缺陷结构的出现不仅局限于激光辐射、机械应力等直接作用的局部区域，还会扩展至晶体周边一定体积范围内。
关键词： 掺杂、激光烧蚀、铌酸锂、机械应力、缺陷结构、光折变效应
更新于2025-11-21 11:24:58
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具有钙钛矿结构的Pr3+掺杂NaNbO3的低温红色长余辉发光
摘要： 长余辉发光（LPL）磷光体在室温热扰动下移除激发源后仍能持续发光，其应用范围涵盖应急标识至体内生物成像。然而当热激活能不足以在低温下释放陷阱中俘获的载流子时，这些磷光体的LPL性能会显著下降。本研究设计了一种具有钙钛矿结构的红色Pr3?掺杂NaNbO?磷光体，实现了低温长余辉发光。该材料在612 nm处的红色发射源于Pr3?离子的1D?→3H?跃迁，在200 K移除激发源后肉眼可见超过16小时的余辉。低温热释光曲线和变温光致发光光谱表明，NaNbO?:Pr3?中存在大量≤0.6 eV的陷阱能级，这对保障低温长余辉性能至关重要。对NaNbO?:Pr3?低温LPL特性的研究揭示了缺陷结构的重要性，为探索极端条件下应用的发光材料提供了新思路。
关键词： 低温、持久发光、缺陷结构、荧光粉
更新于2025-09-23 15:23:52
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四方晶系ZrSiO?:Cr??晶体中(CrO?)3?杂质中心的缺陷结构与g因子研究
摘要： 基于双机制（晶体场与电荷转移机制）模型的高阶微扰公式，研究了ZrSiO4:Cr5+晶体中四方相(CrO4)3?杂质中心的EPR g因子g//和g⊥。研究表明：与四方拉长的主体(SiO4)4?四面体不同，取代态(CrO4)3?四面体的主要缺陷结构因Jahn-Teller畸变呈现四方压缩态，其基态为|dz2?。此外，计算值与实验测得的g因子相符需要配体振动使基态|dz2?混入少量第一激发态|dx2?y2?，这使得压缩态的(CrO4)3?四面体呈现闪烁拉长态。对上述结果进行了讨论。
关键词： 缺陷结构、Cr??、g因子、动态效应、ZrSiO?
更新于2025-09-23 15:21:01
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BeO晶体中具有三角畸变四面体对称性的Cu2+离子的电子顺磁共振参数及缺陷结构研究
摘要： 采用完全对角化方法(CDM)和高阶微扰理论方法(PTM)计算了C3v局域对称性下铍氧化物(BeO)晶体中Be2+位点嵌入Cu2+离子的电子顺磁共振(EPR)参数(g因子gi和超精细结构常数Ai，其中i=x,z)。两种方法的计算结果与现有观测数据吻合良好。通过计算分析确定了氧化铍中三角位Cu2+缺陷的结构数据。结果表明：BeO晶体中Be2+离子被Cu2+离子取代，且配体发生向外位移。
关键词： 电子顺磁共振（EPR）、晶体场与配体场理论、缺陷结构、BeO:Cu2?
更新于2025-09-10 09:29:36
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Si(001)衬底上生长的半极性GaN缺陷结构的不对称性
摘要： 通过透射电子显微镜研究了在Si(001)衬底上采用缓冲层并通过氢化物-氯化物气相外延生长的厚约15微米半极性氮化镓(GaN)层的缺陷结构。揭示并分析了GaN外延层缺陷结构的不对称性，讨论了这种不对称性对生长中外延层穿透位错密度下降速率的影响。
关键词： 透射电子显微镜、半极性氮化镓、穿透位错、氢化物-氯化物气相外延、缺陷结构
更新于2025-09-04 15:30:14