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分子束外延生长的单层和双层过渡金属二硫化物的扫描隧道显微镜研究
摘要： 本综述介绍了分子束外延（MBE）生长的单层和双层过渡金属二硫化物（TMD）薄膜的扫描隧道显微镜与光谱（STM/S）最新研究。除STM/S揭示的一些本征特性外，还阐述了反演畴界和点缺陷等缺陷及其特性与诱导效应。更具体而言，描述了STM/S所揭示的量子限域与莫尔势效应、电荷态转变、准粒子干涉及结构相变。
关键词： 过渡金属二硫化物、量子限制、结构相变、分子束外延、莫尔势、准粒子干涉、扫描隧道显微镜、电荷态转变
更新于2025-09-09 09:28:46