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分子束外延生长的单层和双层过渡金属二硫化物的扫描隧道显微镜研究

DOI：10.1142/s0218625x18410020 期刊：Surface Review and Letters 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本综述介绍了分子束外延（MBE）生长的单层和双层过渡金属二硫化物（TMD）薄膜的扫描隧道显微镜与光谱（STM/S）最新研究。除STM/S揭示的一些本征特性外，还阐述了反演畴界和点缺陷等缺陷及其特性与诱导效应。更具体而言，描述了STM/S所揭示的量子限域与莫尔势效应、电荷态转变、准粒子干涉及结构相变。
作者： Maohai Xie，Jinglei Chen
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用扫描隧道显微镜和谱学技术研究分子束外延生长的单层与双层过渡金属硫族化合物的性质。

研究成果

该研究揭示了外延过渡金属二硫化物（TMD）薄膜的有趣现象和特性，包括本征性质及缺陷诱导效应。它强调了扫描隧道显微镜/谱学（STM/S）在理解二维材料电子与结构特性方面的重要性，并为未来研究指明了方向。

研究不足

该研究的局限性在于扫描隧道显微镜/谱（STM/S）技术的分辨率以及分子束外延（MBE）生长的过渡金属二硫化物（TMD）薄膜的质量。潜在的优化方向包括提升薄膜质量及开发更精密的数据分析方法。

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