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oe1(光电查) - 科学论文

7 条数据
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  • 一项关于采用24.5 MeV高能质子辐照的三结GaInP2/InGaAs/Ge空间级太阳能电池的研究

    摘要： 本文报道了高能质子辐照对三结GaInP2/InGaAs/Ge空间级太阳能电池的影响。为探究太阳能电池在强辐射环境中的性能退化，研究进行了详细系统的分析并呈现结果。辐照过程采用能量24.5 MeV、剂量范围0-170 Gy的质子束，通过光电流-电压测试研究了输出参数随损伤剂量的退化规律。电流-电压特性表明短路电流退化程度小于开路电压，这是因为GaAs基子电池受到显著损伤。为分析辐射位移损伤对电池性能的影响，研究进行了SRIM模拟，并通过电容-电导测量获取载流子浓度和界面态密度信息，观测到载流子浓度下降及界面态密度的微小上升。

    关键词： 电导法、三结GaInP2/GaAs太阳能电池、质子辐照

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 放射学、激光、纳米粒子与假肢 || 2. 原子核与同位素

    摘要： 第5至12章讨论了医学中的核方法，包括用于成像（闪烁扫描、SPECT、PET）或治疗癌组织（质子和中子照射、近距离放射治疗）的核技术。因此，首先介绍核素和同位素的基本特性，特别是核医学中使用的放射性同位素，是恰当的。本章并非旨在取代核物理教科书，但提供了足够的背景知识，以便更好地理解后续章节。一般辐射的处理以及放射性同位素的应用还需要详细了解辐射剂量和辐射安全，这些是第4章的主题。

    关键词： 闪烁扫描术、医学、单光子发射计算机断层成像（SPECT）、中子辐照、正电子发射断层成像（PET）、近距离放射治疗、辐射安全、质子辐照、核素、癌组织、同位素、放射性同位素、辐射剂量、成像、核医学、核方法、辐射治疗

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 在铽镓石榴石晶体中制造的质子注入平面波导

    摘要： 对可见光和近红外波段铽镓石榴石（TGG）晶体波导的研究，在科学技术领域具有重要应用价值。本研究报道了采用400 keV能量、8×101?离子/平方厘米剂量的质子辐照制备的TGG平面波导。通过分别在260℃和410℃条件下进行1小时退火处理以改善波导光学性能。实验测得了热处理前后TGG波导的暗模光谱及折射率分布。值得注意的是，在410℃退火处理后的m线曲线中观测到了九个模式。理论与实验结果表明：经410℃退火制备的波导能传输更多导模，并具有更优异的光场约束能力。

    关键词： 退火处理，波导，质子辐照，TGG晶体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 无氟化铯与含氟化铯处理的铜铟镓硒太阳能电池的质子辐照及光照退火效应

    摘要： 多项研究已针对未经碱金属处理的铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池进行质子辐照实验，但关于碱金属处理后CIGS太阳能电池的类似效应几乎未见报道?；诖?，本研究探究了无氟化铯（CsF-free）与经CsF处理的CIGS太阳能电池在光照条件下的质子辐照及退火效应。两类电池在质子辐照后均出现性能退化，外量子效率测试显示长波段响应明显下降。实验数据通过模拟拟合表明：高注量质子辐照导致的性能退化更为显著。电容-电压测试揭示质子辐照后耗尽区展宽，这是净载流子浓度降低所致。研究表明低注量质子辐照产生浅能级缺陷，而高注量质子则形成深能级缺陷。值得注意的是，室温存放可使辐照电池部分性能恢复。光照条件下的热退火处理能有效促进低注量辐照电池性能的大幅恢复，而高注量辐照电池仅呈现微弱恢复。

    关键词： 铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）太阳能电池、氟化铯、热光浸泡处理、质子辐照、退火处理

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于铝掺杂氧化锌电极的钙钛矿太阳能电池在质子辐照下的抗辐射性能

    摘要： 钙钛矿太阳能电池（PSCs）在太空应用中日益受到关注。但在投入太空使用前，必须证明其能抵抗高能质子等电离辐射。本研究探究了150 keV质子对基于掺铝氧化锌（AZO）透明导电氧化物（TCO）的PSCs性能的影响。在AM1.5G和AM0光照条件下，基于AZO的电池分别实现了15%和13.6%的创纪录光电转换效率。研究表明，PSCs能承受高达1013 protons cm?2的质子辐照而不出现显著效率损失。当辐照强度达到101? protons cm?2时，观察到PSCs短路电流下降，这与质子辐照导致Spiro-OMeTAD空穴传输层劣化引发的界面退化现象一致。钙钛矿的结构和光学特性在高注量辐照下仍保持完好。虽然低注量辐照会在钙钛矿体相中诱导浅能级陷阱态，但电荷能有效释放且不影响电池性能。这项工作凸显了基于AZO TCO的PSCs用于太空应用的潜力，并深化了对质子辐照引发界面退化的认知。

    关键词： 空间、掺铝氧化锌、钙钛矿太阳能电池、质子辐照

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 总电离剂量效应与质子诱导位移损伤对MoS2层间MoS2隧道结的影响

    摘要： 在采用Al2O3、h-BN和HfO2介质的垂直堆叠MoS2/中间层/MoS2异质结构中，证实了隧穿主导的电荷传输机制。所有器件均对10千电子伏X射线辐照表现出高度耐受性。由于薄层中间介质中陷阱的产生（伴随快速钝化效应），仅观察到X射线感生光电流的微小瞬态变化。含Al2O3和h-BN中间介质的样品在质子辐照期间出现传导电流显著提升，这是由位移损伤缺陷降低有效隧穿势垒高度所致。密度泛函理论计算为相关缺陷提供了机理见解。采用HfO2中间介质的器件在耐辐射极限缩放隧道场效应晶体管应用方面展现出巨大潜力。

    关键词： 二维材料，二氧化铪，质子辐照，X射线，密度泛函理论，六方氮化硼，二硫化钼隧道结

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 质子辐照对抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响

    摘要： 通过质子辐照实现了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管动态导通电阻的几乎完全抑制。本文在不同注量下对3 MeV质子辐照前后的小功率和大功率晶体管进行了表征。辐照器件展现出高鲁棒性，在特定注量下阈值电压和静态导通电阻保持不变。然而当注量超过1013 cm?2时，在600 V和T=150°C条件下动态导通电阻几乎被完全抑制。辐照后观察到关态漏电流的可测量增加，表明非故意掺杂(UID)GaN层电导率提升。我们提出了一个技术计算机辅助设计支持的模型，其中该电导率增加导致去电离速率提高，最终降低了动态导通电阻。

    关键词： 高电子迁移率晶体管（HEMT）、质子辐照、氮化镓（GaN）、动态导通电阻

    更新于2025-09-09 09:28:46