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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 一种简便的喷雾热解法制备Sm掺杂CdS薄膜用于高性能光电探测器应用

    摘要： 基于硫化镉（CdS）实现高性能光电探测器是当前研究的关键领域与挑战。本研究展示了新型钐掺杂（1、3和5 wt.% Sm）CdS薄膜用于光电探测器的简易制备与表征方法。所制薄膜具有良好的结晶性，晶粒尺寸介于18-30纳米之间。通过扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱（SEM/EDX）证实了钐掺杂薄膜的形貌均匀性。场发射扫描电镜研究表明形成了低维纳米晶粒且薄膜无孔隙裂纹。研究阐明了钐掺杂对薄膜线性与非线性光学特性的影响：掺杂导致折射率、带隙宽度及磁化率等光学参数降低。纯CdS光致发光（PL）谱中536纳米处的发射峰经钐掺杂后发生偏移并猝灭。针对532纳米激光光源，研究发现1 wt.% Sm:CdS薄膜光电探测器性能显著优于纯CdS（响应度1.01 AW?1 vs 0.213 AW?1，探测率2.21×1012琼斯 vs 7.43×1011琼斯，光电灵敏度约4.9×103 vs 2.0×103，外量子效率257% vs 49.70%），为光电探测器应用提供了更简便的高质量CdS薄膜制备途径。

    关键词： 光致发光、结构特性、硫化镉、光学特性、光电探测器、钐掺杂、薄膜

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 掺杂钐离子(Sm3?)的硒化镉量子点用于改善电光性能

    摘要： 硒化镉（CdSe）量子点（QDs）是一种具有直接带隙的半导体材料，其呈现不同颜色取决于颗粒尺寸。虽然半导体掺杂较为容易，但在量子尺度添加杂质始终被视为挑战。本研究采用3-巯基丙酸（3-MPA）作为表面封端剂，通过动力学生长法合成了四种不同尺寸的CdSe QDs，并进行了钐离子（Sm3?）掺杂研究。通过紫外-可见光谱（UV）和光致发光光谱（PL）分析光学特性，利用傅里叶变换红外光谱（FTIR）进行振动研究。与未掺杂CdSe QDs相比，吸收光谱出现蓝移现象，该位移归因于能量从基质材料向掺杂剂的转移。未掺杂与掺杂QDs均呈现覆盖整个可见光范围的宽谱PL光谱：未掺杂样品仅显示带边发射，而引入Sm3?掺杂剂后QDs产生缺陷，Sm3?掺杂CdSe QDs的发射光谱同时包含带边发射与缺陷主导发射。

    关键词： 光致发光、CdSe量子点、钐掺杂

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 稀土材料（Sm3?）掺杂对光电用电解沉积Cu?O薄膜性能的影响

    摘要： 本文报道了钐（Sm）掺杂浓度对电沉积法制备的Cu2O薄膜特性的影响。XRD图谱显示原始及Sm:Cu2O薄膜均具有(111)择优取向的多晶立方结构。SEM照片表明未掺杂Cu2O薄膜为无针孔的致密三角晶粒，且随着钐浓度增加晶粒尺寸减小。拉曼光谱在108、146、217、413和637 cm?1处出现特征峰证实了Cu2O相形成，且峰值强度随掺杂浓度增加而降低。UV-Vis光谱显示Cu2O薄膜吸收值随钐含量增加逐渐上升，带隙值相应减小。光致发光（PL）光谱表明所有薄膜均呈现可见光发射，其强度因掺杂浓度增加而减弱。光电灵敏度观测研究表明，沉积Cu2O薄膜的光电流随掺杂材料浓度增加而增强。

    关键词： 电沉积、氧化亚铜薄膜、光电子学、结构特性、钐掺杂、光学特性、光敏性

    更新于2025-09-04 15:30:14