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射频溅射金肖特基接触的ZnO薄膜电学与氢气传感特性深度研究
摘要： 对射频溅射制备的Au/ZnO薄膜肖特基二极管在n型硅衬底上的电学及氢气传感特性进行了宽温度范围研究。在25°C至200°C温度范围内进行的电流-电压测试表明：该器件具有优异整流特性，在5V偏压下正向/反向电流比达1610。常压条件下，上述温度范围内Au/ZnO肖特基二极管的理想因子为4.12至2.98。当暴露于氢气环境时，观察到理想因子降低，使得热电子发射效应更为显著。由于在不同氢浓度（50ppm-1000ppm）下I-V特性出现横向偏移，证实该器件具有氢敏特性。在200°C、1000ppm氢气浓度时，测得最大势垒高度变化达99meV，灵敏度为144%。通过I-V特性对传感器稳态反应动力学的详细分析确认：Au/ZnO界面处的原子级氢吸附是导致势垒高度调制的根本原因。研究表明该传感器在高温检测中展现出卓越性能。
关键词： 氢气传感、氧化锌（ZnO）薄膜、电学特性、肖特基二极管、金属-半导体界面、钯催化剂
更新于2025-09-23 15:22:29
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一端带有硼酸酯的分子量可控聚芴的合成
摘要： 我们通过Suzuki-Miyaura偶联聚合反应，在4-三氟甲基苯硼酸频哪醇酯（2）作为链终止剂、CsF/18-冠-6作为碱的条件下，以钯(0)预催化剂催化7-溴-9,9-二辛基-9H-芴-2-基硼酸频哪醇酯（1）聚合，制备了单端带有频哪醇硼酸酯（PinB）基团且分子量可控的聚芴。当使用具有π电子面内分子内催化剂转移倾向的AmPhos Pd G2催化剂时，获得了单端为PinB基团、另一端为PhCF3（源自2）的聚芴，其分子量随[1]0/[催化剂]0投料比增加而线性增长（尽管分子量分布较宽）。由于分子量在聚合中期前与单体1的转化率呈线性关系，该聚合过程似乎通过插入单体1中C-Br键的钯催化剂发生分子内催化剂转移，属于链增长聚合?？矸肿恿糠植伎赡苤饕从?的引发速率缓慢和终止速率缓慢，而非聚合物-聚合物偶联所致。
关键词： 聚合物末端，共轭聚合物，铃木缩聚反应，钯催化剂，聚芴，催化剂转移缩合聚合
更新于2025-09-11 14:15:04