金属纳米线网络助力铜络合物墨水可控分解 实现高致密、导电且柔性的铜薄膜

摘要： 通过引入机械性能强且导电性高的金属纳米线（NWs）作为填料，并优化铜配合物墨水中的胺基配体，成功制备出高度致密且导电的铜薄膜。分散于配合物墨水中的金属纳米线（银纳米线和铜纳米线）为原位形成的铜颗粒提供了成核位点网络，从而控制铜配合物墨水在低温下的分解，实现具有高均匀性和完整性的铜薄膜。金属纳米线与原位形成的铜元素之间的高亲和力使铜颗粒能够沿金属纳米线生长，形成致密结构。此外，通过改变胺基配体（如2-氨基-2-甲基-1-丙醇（AMP）、2-乙基己胺（Ethy）和己胺（Hexy））来调节铜颗粒的尺寸，进一步改善烧结铜薄膜的微观结构和导电性。在140°C下烧结的铜-Ethy配合物/金属纳米线墨水表现出最低的电阻率14.9 μΩ cm，约为纯铜-AMP配合物墨水制备薄膜的三分之一。由铜配合物/金属纳米线墨水制备的柔性发光二极管电路和V形偶极天线因其优异的导电性和柔韧性而具有出色的性能，在制备经济高效的柔性印刷电子设备方面展现出巨大潜力。