衬底集成波导缝隙宽角扫描低副瓣非周期相控阵

摘要： 报道了用于太阳能电池的铸造单晶硅锭中Cr、Fe、Ni和Cu元素的浓度。从硅锭不同位置取出的硅片经氮化硅薄膜包覆和退火处理后，可移动杂质会被吸杂至薄膜中。通过二次离子质谱法测量氮化硅薄膜中的金属含量，测得沿硅锭各取样点的吸杂金属体相浓度为：Cr（3.3×101?–3.3×1011 cm?3）、Fe（3.2×1011–2.5×1012 cm?3）、Ni（1.5×1012–1.3×1013 cm?3）和Cu（7.1×1011–3.2×1013 cm?3）。其中各金属的下限值来自硅锭中部硅片的测量结果，上限值则来自底部或顶部硅片。研究结果与近期测量的高性能多晶硅锭同类数据进行了对比，为铸造生长硅锭中金属元素的总浓度提供了参考依据。