研究目的
研究用于太阳能电池的铸造单晶硅锭中Cr、Fe、Ni和Cu的浓度及其对氮化硅膜的吸杂作用。
研究成果
SiNx吸杂能有效将晶圆体内的金属杂质浓缩至SiNx薄膜中，使金属在SiNx/Si界面处被吸除。该研究揭示了原生硅锭中金属的总体内浓度及其化学状态。
研究不足
沉淀物的溶解可能不完全，这表明吸杂浓度可能只是整体体浓度的其中一部分。金属在SiNx/Si界面聚集的机制尚未完全明确。
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衬底集成波导缝隙宽角扫描低副瓣非周期相控阵
DOI：10.1002/mop.31989
期刊：Microwave and Optical Technology Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
报道了用于太阳能电池的铸造单晶硅锭中Cr、Fe、Ni和Cu元素的浓度。从硅锭不同位置取出的硅片经氮化硅薄膜包覆和退火处理后，可移动杂质会被吸杂至薄膜中。通过二次离子质谱法测量氮化硅薄膜中的金属含量，测得沿硅锭各取样点的吸杂金属体相浓度为：Cr（3.3×101?–3.3×1011 cm?3）、Fe（3.2×1011–2.5×1012 cm?3）、Ni（1.5×1012–1.3×1013 cm?3）和Cu（7.1×1011–3.2×1013 cm?3）。其中各金属的下限值来自硅锭中部硅片的测量结果，上限值则来自底部或顶部硅片。研究结果与近期测量的高性能多晶硅锭同类数据进行了对比，为铸造生长硅锭中金属元素的总浓度提供了参考依据。
作者：
Chang Sun，AnYao Liu，Aref Samadi，Catherine Chan，Alison Ciesla，Daniel Macdonald
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