锥形硅通孔（T-TSV）寄生电容的温度特性表征

摘要： 随着三维集成电路集成密度的不断提高，温度成为电路设计中影响性能与可靠性的主要考量因素之一。本文研究了锥形硅通孔（T-TSV）的寄生电容与热学特性的关系，提出"电容温度系数（TCC）"概念来建模TSV电容对温度的敏感度。研究发现高频应用下TSV电容对温度较为敏感，其中MOS电容变化是导致TSV电容改变的主要原因，且TCC随温度升高而增大。论文进一步探讨了TSV尺寸参数对TCC的影响：TSV半径增大会使TCC逐渐升高，而介质层厚度则呈现相反趋势；圆柱形TSV的热敏感性低于锥形TSV。本研究为考虑温度效应的TSV设计提供了理论依据。