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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • P-1.1：背沟道蚀刻a-IGZO薄膜晶体管中阈值电压对沟道宽度和漏极电压的异常依赖性

    摘要： 制备了具有不同沟道宽度（Ws）的背沟道刻蚀（BCE）非晶InGaZnO薄膜晶体管。本研究发现阈值电压（VTH）的性能同时取决于沟道宽度（W）和漏极电压（VD）。结果表明，当W或VD相对较小时，二者均不会对VTH产生影响。然而，当W和VD都足够大时，会出现VTH随W增大或VD增大而异常升高的现象。该VTH与W、VD之间的异常依赖关系可通过自热效应来解释。

    关键词： 自加热效应、漏极电压、阈值电压、非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管、沟道宽度

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 石墨烯增强聚合物稳定化：大幅降低且温度无关的阈值及改善对比度的液晶器件

    摘要： 采用纳米填料（尤其是近年来备受关注的新型材料石墨烯）进行聚合物增强，有望实现兼具低成本与优异性能的创新材料。从另一层面看，将液晶封装于聚合物网络中不仅能提升机械强度，还可解决器件折射率失配问题。本研究提出一种融合上述两种理念优势的新策略，成功制备出含石墨烯的聚合物稳定液晶（PSLC）器件。电子显微镜观测显示，石墨烯不仅使聚合物结构产生显著形貌变化，其存在于聚合物网络虚拟表面还赋予PSLC多项性能优势：临界电压降低至1/7、温度稳定性提升，以及关态散射/开态透明状态间对比度显著增强。这些结果表明，在极低浓度填充纳米粒子条件下更易获得理想性能。该发现为聚合物-石墨烯复合材料在器件工程领域（包括无基底智能窗等应用）开辟了新方向。

    关键词： 温度不变性、石墨烯、电光特性、阈值电压、聚合物稳定液晶

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 一种适用于分析4H碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    摘要： 碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是下一代电力电子技术的关键器件。然而，界面陷阱的存在阻碍了从三端特性中精确确定器件参数。本文提出一种方法，与以往评估方案不同，该方法明确考虑这些缺陷。我们引入了一种针对SiC/SiO?特定界面陷阱谱的易处理参数化模型，该模型反映了已知数据体系。基于此，我们开发了一种分析方法，旨在从简单的三端特性中精确确定器件参数。为验证该方法，我们研究了具有显著不同缺陷密度的MOSFET。所得参数——载流子浓度、迁移率和阈值电压——与对同一器件进行的霍尔效应测量结果高度吻合，避免了传统评估技术固有的系统误差。通过这种改进方案，即使封装后的4H-SiC功率MOSFET也能得到有效表征，从而加速节能电力电子技术的创新周期。

    关键词： 迁移率、碳化硅、霍尔效应、界面陷阱、阈值电压、MOSFET

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • AlGaInP/InGaAs增强/耗尽型共集成掺杂沟道场效应晶体管的氢传感特性

    摘要： 本文展示了通过湿法选择性刻蚀工艺制备的Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As增强/耗尽模式共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢气传感特性。在漏极电流为0.1 mA/mm时，耗?。ㄔ銮浚┠Ｊ狡骷诳掌?800 ppm氢气浓度环境中的阈值电压分别为(约)0.97 (±0.6) V和(约)1.22 (±0.31) V。此外，采用共集成FET器件时，直接耦合FET逻辑电路（DCFL）的传输特性在氢气环境中会发生显著变化。随着氢气检测的进行，DCFL电路中的VOH值降低而VOL值升高。

    关键词： 阈值电压，氢气传感，掺杂沟道场效应晶体管，增强/耗尽模式，AlGaInP/InGaAs，直接耦合FET逻辑

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE国际未来电子器件会议（关西）（IMFEDK）- 日本京都（2018.6.21-2018.6.22）] 2018年IEEE国际未来电子器件会议（关西）（IMFEDK）- 基于氮化镓的垂直沟槽MOSFET阈值电压迟滞现象研究

    摘要： 本文研究了采用不同工艺技术制备n+ -GaN源极层的氮化镓基垂直沟槽MOSFET的转移特性迟滞现象。研究发现，与离子注入源区器件相比，外延生长源区器件能有效抑制转移特性的迟滞效应。

    关键词： 离子注入、阈值电压、外延生长、迟滞效应、氮化镓、沟槽、金属氧化物半导体场效应晶体管

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 铁磁与铁电光学开关器件在电场响应方面的比较

    摘要： 在本研究中，我们考察了两种铁电纳米粒子的电光效应。第一种样品掺杂磁性材料Fe3O4，第二种样品掺杂铁电材料SbSI。由于材料磁化率的差异，这两种掺杂材料表现出不同的电光特性值。我们发现，由于构成材料的本质（电性材料），SbSI对施加电场的响应比铁磁性Fe3O4更为灵敏。SbSI的响应时间短于铁磁性Fe3O4，这使得SbSI在光学开关应用中表现更优。

    关键词： 电光特性、响应时间、下降时间、上升时间、铁电性向列相（FN）、阈值电压

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2019年IEEE国际计算、通信与工程会议（ICCCE）- 中国福建（2019.11.8-2019.11.10）] 2019年IEEE国际计算、通信与工程会议（ICCCE）- 大尺寸AMOLED显示器的实时阈值电压与迁移率补偿

    摘要： 本文提出了一种名为"线性充电检测(LCS)"的大尺寸AMOLED显示器阈值电压(Vth)和迁移率(μ)实时补偿新方法。该补偿技术可在数十至数百微秒内完成Vth和μ的检测，从而实现在一帧时间内完成全高清(FHD 1920×1080)AMOLED显示屏所有像素的检测。通过仿真分析发现，LCS补偿方法对Vth检测具有高精度，在Vth=-0.5V时误差仅为0.07V。经FHD AMOLED面板验证，该方法能显著改善图像残留和亮度均匀性问题。

    关键词： 线性电荷感应、AMOLED、补偿、TFT、阈值电压

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 室温向列相液晶4-戊基-4'-氰基联苯掺杂金属氧化物纳米线在平面排列和面内切换单元构型中的织构与电光研究

    摘要： 本研究表明，金属氧化物纳米线（氧化铝纳米线）对平面取向和面内切换（IPS）构型中向列相液晶（5CB）的结构及电光特性具有掺杂效应。结果显示，在两种构型中掺杂后，向列相-各向同性相转变温度均升高。在两类单元中掺入氧化铝纳米线后，观察到阈值电压降低，同时对比度、双折射率和带隙能量均有所提升。综合分析表明，与平面构型相比，IPS构型在降低双折射率和透射强度的同时，其阈值电压和对比度的改善更为显著。未发现构型对带隙能量产生影响——由于带隙能量是材料固有属性，平面构型与IPS构型的测量值相同。

    关键词： 阈值电压，向列相液晶，能带隙，平面转换，纳米线

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用低阈值电压的针辊静电纺丝法高效制备聚合物纳米纤维

    摘要： 提出了一种以针辊为喷头的新型静电纺丝系统，可高效制备纳米纤维。有限元模拟结果表明，与圆盘和线圈喷头相比，该系统的电场更集中于针尖部位，能有效降低静电纺丝的阈值电压。以聚乙烯醇（PVA）为模型聚合物，研究了针间距与纺丝液浓度对纳米纤维直径及产率的影响。结果表明：增大针间距可使纤维平均直径减小且直径均匀性提高；当针间距为14毫米时，纤维平均直径与标准差分别低至190纳米和72纳米。纳米纤维产率随纺丝液浓度升高略有增加，在针间距10毫米、PVA浓度11 wt%时产率高达12.8克/小时，显著高于现有静电纺丝系统的报道值。该系统具有制备均匀纳米纤维、提升产能并降低成本的应用潜力。

    关键词： 静电纺丝、生产率、纳米纤维、针辊、阈值电压

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 中国深圳（2018.10.23-2018.10.25）] 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 1200V碳化硅MOSFET器件的阈值电压不稳定性

    摘要： 1200V 4H-SiC MOSFET已成功设计并制造完成。当栅极电压Vg=20V（对应漏源电压Vd=2.0V）时，漏极电流Id达到20A。研究团队随即对阈值电压稳定性进行了测试。研究表明：在栅极偏压应力作用下器件性能的不稳定性，源于SiC/栅介质界面陷阱及邻近界面陷阱的栅介质对电子的俘获效应。实验在150℃温度下对栅极施加+20V/-10V恒定电压，通过监测阈值电压来评估器件稳定性。与另外三款商用器件相比，该器件的阈值电压Vth表现出极小的波动。

    关键词： 阈值电压，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，界面态

    更新于2025-09-22 22:33:49