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[IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 具有IGZO/In?O?双沟道结构的高迁移率金属氧化物薄膜晶体管
摘要： 在玻璃基板上成功制备了具有双沟道的高性能自对准顶栅薄膜晶体管。该双层沟道由In2O3和IGZO层组成。引入In2O3薄层显著提升了自对准顶栅薄膜晶体管的电学特性。相比而言，双沟道TFT展现出更高的场效应迁移率（34.3 cm2/Vs），优于单层a-IGZO TFT（10.2 cm2/Vs）。此外，我们获得了10?的开/关电流比、0.44 V/十倍频的陡峭亚阈值摆幅电压以及-3.35 V的阈值电压。这种性能提升可归因于In2O3薄层提供了更高的载流子浓度，从而最大化电荷积累，产生高载流子迁移率并将阈值电压转为负值。
关键词： 自对准顶栅薄膜晶体管，氧化铟镓锌，均匀性，高迁移率，阈值电压，氧化铟
更新于2025-09-23 04:40:50
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[IEEE 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 印度科因巴托尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 基于CMOS的伽马辐射剂量计比较研究
摘要： 本文对基于CMOS的双栅RADFET、全包围栅极（GAA）RADFET和无结双栅（JL-DG）RADFET剂量计及其电学性能进行了定量对比研究。采用Sentaurus三维器件模拟器的伽马辐射模型，探究了中等剂量辐射环境下电子-空穴的俘获与释放现象，并分析了总剂量对阈值电压和漏极电流的影响。结果表明：相较于传统双栅RADFET和GAA RADFET剂量计，无结双栅RADFET的亚阈值参数得到改善。
关键词： 阈值电压，Sentaurus TCAD，JL DG RADFET，DG RADFET，伽马辐射模型，GAA MOSFET
更新于2025-09-23 05:39:12
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掺杂氧化锌纳米粒子的向列相液晶在平面转换（IPS）模式下的光电与介电响应
摘要： 本研究在平面转换（IPS）模式下研究了掺杂氧化锌纳米粒子（NPs）的向列相液晶混合物的电光和介电特性。探究了ZnO纳米粒子掺杂对相变行为、阈值电压及工作电压的影响。偏光显微镜（POM）观测证实掺杂后向列相-各向同性相（N-I）转变温度降低，同时观察到阈值电压与工作电压下降且对比度提升。此外，掺杂样品还表现出显著的向列相液晶介电行为变化。
关键词： 氧化锌纳米粒子、阈值电压、向列相液晶、平面转换、叉指电极
更新于2025-09-12 10:27:22
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氧化石墨烯分散向列相液晶复合材料的电光、介电和光学特性
摘要： 将不同浓度（0.04 wt.%、0.1 wt.%和0.3 wt.%）的氧化石墨烯（GO）分散于向列相液晶5CB中，研究其电光、介电及光学响应特性。通过光学偏光显微镜观测向列相的织构与相变行为，系统考察GO浓度对微织构、相变温度、双折射率、阈值电压、对比度、介电常数、介电损耗及电导率的影响。结果显示：相较于纯5CB，0.04 wt.%和0.1 wt.% GO分散体系的向列-各向同性相变温度略有升高（约3%）。随着GO浓度增加，GO-5CB复合材料的阈值电压降低。此外，还分析了GO浓度对紫外-可见光吸收及能带隙的影响。
关键词： 氧化石墨烯、相变、双折射、阈值电压、向列相液晶
更新于2025-09-11 14:15:04
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[IEEE 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 日本京都 (2019年7月2日-7月5日)] 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 实现高分辨率AMOLED显示器均匀OLED亮度的新型外部补偿电路
摘要： 该研究提出了一种结构简单、由低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）和整行共享的外部阈值电压（VTH）补偿电路组成的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示像素电路。该电路结合并行寻址方案与电压编程方法，通过延长补偿时间来精确检测驱动TFT的阈值电压变化及电源线上的压降（I-R压降）。仿真结果表明：当VTH变化±0.5V且VDD I-R压降为±0.5V时，相对发光电流误差率分别低于2.93%和2.62%，证实该新型像素设计在高分辨率AMOLED显示领域具有重要应用潜力。
关键词： 低温多晶硅薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管显示器、内部电阻压降、阈值电压、外部补偿
更新于2025-09-11 14:15:04
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[第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日-2018年9月6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- CMOS场效应管的线性与非线性压阻特性：从弱反型到强反型区
摘要： 实验结果验证了一个连续模型，该模型描述了CMOS场效应晶体管从弱反型到强反型状态下应力依赖性的变化。该模型综合考量了阈值电压变化（通过ni2体现）对所有工作区域应力响应的重要影响，并完整阐述了PMOS与NMOS器件的纵向与横向一阶及二阶压阻系数。通过正交差分MOSFET对可直接测量整体应力响应中的迁移率分量。
关键词： 阈值电压、压阻特性、CMOS场效应晶体管、应力依赖性、迁移率变化
更新于2025-09-04 15:30:14
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宽禁带氮化镓基高电子迁移率晶体管功率器件中阈值电压稳定性与高温运行相关性的模型开发
摘要： 半导体功率器件在实际应用中，阈值电压（Vth）的温度依赖性稳定性是一个重要问题，尤其是在经历重复高温工作条件时。本研究探究了宽禁带氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）器件在高温工作下Vth解析模型及其稳定性。通过分析势垒高度、导带和极化电荷等物理参数的温度效应，揭示了Vth稳定性的机理。随后提出并建立了高温工作下的Vth解析模型，以研究测量温度和重复周期对Vth稳定性的影响。通过将理论计算数据与实验测量及技术计算机辅助设计（TCAD）仿真结果进行对比，验证了该模型的有效性。本研究为实际高温应用中功率器件的Vth稳定性提供了有效的理论参考。
关键词： 高温运行、氮化镓（GaN）、分析模型、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、阈值电压（Vth）稳定性
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 具有厚沟槽底部氧化层的1.2 kV 4H-SiC沟槽栅MOSFET分析
摘要： 对额定电压1.2kV、具有厚沟槽底部氧化层的碳化硅功率沟槽MOSFET进行分析，并与先前沟槽栅碳化硅功率MOSFET结构进行对比。通过数值模拟提取了沟槽底部氧化层厚度在500?至8000?范围内的比导通电阻(Ron,sp)、击穿电压(BV)、阈值电压(VTH)、栅漏电容(Cgd,sp)和栅极电荷(Qgd)。研究发现当氧化层厚度超过4000?时，沟槽底部氧化层中的电场强度低于4MV/cm。本文提出解析模型用于估算沟槽底部氧化层中的电场强度。该厚底部氧化层结构的比导通电阻为1.9mΩ·cm2（Vgs=20V时），Cgd,sp（Vds=1000V时）为417pF/cm2，Qgd,sp（Vgs=20V、Rg=10Ω、Vds=800V时）为671nC/cm2，显著优于大多数平面栅器件。与先前沟槽栅和平面栅结构相比，该结构具有更优异的比导通电阻特性。
关键词： 碳化硅、反向传输电容、比导通电阻、栅极电荷、沟槽底部氧化层、击穿电压、阈值电压、沟槽栅MOSFET（UMOSFET）
更新于2025-09-04 15:30:14