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oe1(光电查) - 科学论文

2 条数据
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  • 厚度调制面内Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se同质结用于超快高性能光电探测器

    摘要： Bi2O2Se薄膜凭借其优异的电学和光电特性，有望成为下一代电子和光电子应用的候选材料之一。然而，基于Bi2O2Se薄膜的器件性能在光探测领域尚未得到充分探索。考虑到Bi2O2Se的电学特性（如载流子迁移率、功函数和能带结构）具有厚度依赖性，研究人员通过化学气相沉积法在云母基底台阶上成功合成了由不同厚度层组成的面内Bi2O2Se同质结——这些台阶形成于云母表层剥离过程。该方法沿Bi2O2Se同质结构建了有效内建电场。所制备的Bi2O2Se面内同质结展现出二极管整流特性（开关比达10^2），基于此的光电探测器具有高灵敏度和超快响应特性（最大光电响应度为2.5A/W，响应寿命4.8μs）。与均匀Bi2O2Se薄膜相比，面内同质结的光电转换效率显著提升。

    关键词： 厚度调制、面内同质结、光电探测器、Bi2O2Se

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于面内黑磷p-n同质结的高性能近红外光电探测器

    摘要： 黑磷（BP）因其可调的直接带隙和高载流子迁移率，被视为可见光至红外波段宽带光电探测的理想候选材料。然而与其他典型材料相比，黑磷器件的光电响应度较弱。本研究探究了一种基于面内黑磷p-n同质结的高性能近红外光电探测器。通过偏压和栅极电压可调控该p-n结的强内建电场，从而有效分离光生电子-空穴对，进而增强光电流并加快光响应速度。与原始黑磷相比，该黑磷p-n同质结在1550 nm波段的光电响应度提升了50倍。该面内黑磷p-n同质结探测器的响应时间较原始黑磷及其他横向同质黑磷p-n结实现了两个数量级的提升。值得注意的是，该黑磷p-n光电探测器还展现出可见-红外双波段探测能力，且具有良好分离的光谱响应特性，为红外目标的智能识别开辟了可行性。

    关键词： 面内同质结、双波段探测、近红外光电探测器、黑磷

    更新于2025-09-16 10:30:52