研究目的
研究厚度调制的平面Bi2O2Se同质结用于超快高性能光电探测器。
研究成果
通过云母表层剥离形成的台阶结构，成功合成了Bi2O2Se面内结。这些Bi2O2Se面内结由不同厚度的层状结构构成，其表面平整连续，表明具有高晶体质量和层状生长模式?；贐i2O2Se面内结制备的光电探测器展现出类二极管的电流整流特性和优异的光响应性能。
研究不足
论文中未明确提及实验的技术和应用限制，以及潜在的优化领域。
1：实验设计与方法选择：
通过化学气相沉积（CVD）法在云母衬底台阶上制备了Bi2O2Se面内同质结，这些台阶是在云母表层剥离过程中自然形成的。
2：样品选择与数据来源：
使用了不同厚度的Bi2O2Se薄膜样品。
3：实验设备与材料清单：
采用Park XE7原子力显微镜系统进行表征，使用Pd/Au电极制备器件。
4：实验步骤与操作流程：
在SiO2/Si衬底上蒸镀Pd/Au薄膜，并以铜网透射电镜栅格作为掩模进行图案化。制备的Pd/Bi2O2Se/Pd结构在CVD石英管中进行退火处理。
5：数据分析方法：
器件性能表征在Lakeshore TTPX探针台上真空环境下进行。
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Park XE7 AFM system
XE7
Park
Characterization of the thickness information and the film morphologies
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Pd/Au electrodes
Device fabrication
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Bi2O3 powder
Alfa Aesar
Material for CVD growth
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Bi2Se3 flakes
Alfa Aesar
Material for CVD growth
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