修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 具有W肖特基接触的β-Ga?O?二极管在高达500°C下的温度依赖性电学特性

    摘要： 对于Ga?O?高功率整流器而言，开发能在高温下工作且具有热稳定性的接触层至关重要。我们测量了溅射沉积的W肖特基接触（其上覆盖Au层以降低n型Ga?O?薄层电阻）在器件工作温度高达500°C前后的电学特性。假设热电子发射占主导地位时，提取的势垒高度随测量温度从0.97 eV（25°C）降至0.39 eV（500°C），但在每次相应工作温度冷却后与初始值0.97 eV相比变化甚微。该室温值与通过测定存在W时Ga 3d芯能级结合能与Ga?O?价带之间能量差所得结果相当（本例中为0.80±0.2 eV）。根据温度依赖的电流-电压特性，理查德森常数为54.05 A·cm?2·K?2，零偏压下的有效肖特基势垒高度(eφb?)为0.92 eV。W/Au的反向击穿电压温度系数为0.16 V/K，Ni/Au为0.12 V/K?；赪的接触比传统Ni基肖特基接触在Ga?O?上更具热稳定性，但在500°C器件工作后确实显示出Ga通过接触层迁移的证据。

    关键词： 电气特性、热稳定性、高温运行、氧化镓（Ga?O?）、肖特基接触

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于小分子给体与聚合物受体的有机太阳能电池在150°C下运行

    摘要： 基于小分子给体与聚合物受体、可在150℃下工作的有机太阳能电池。无机或有机太阳能电池通常只能在低于100℃的温度下工作，不适用于高温环境。本研究采用小分子给体与聚合物受体（MD/PA型）共混物作为活性层，开发出高效稳定的有机太阳能电池（OSCs），其工作温度可达150℃。该器件展现出9.51%的功率转换效率（PCE），是迄今报道的MD/PA型OSCs最高值。经150℃热处理72小时后，器件仍能保持初始PCE值的84%。这种优异的高温稳定性归因于MD/PA型活性层中两种材料的高相变温度。本工作揭示了有机太阳能电池具备耐高温特性的新优势。

    关键词： 功率转换效率，小分子给体，有机太阳能电池，聚合物受体，高温运行

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 硅光子收发器在120°C高温下运行用于5G天线阵列系统的实验评估

    摘要： 在天线阵列系统应用中使用光收发器需确保高温环境下的可靠运行。本文展示并讨论了一款硅光子收发器在高达120°C恶劣环境中的实验特性测试。该收发器置于气候试验箱内，由外部去偏振光源供电。通过测量误码率，分析并探讨了其对传输性能的影响（包括可靠性方面）。研究人员认为，经过优化设计且改进光学连接器与光纤胶粘技术的硅光子收发器适用于此类应用场景。

    关键词： 硅光子学、天线阵列系统、收发器、5G、高温运行

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE MTT-S国际微波研讨会系列：射频与太赫兹应用先进材料与工艺(IMWS-AMP) - 德国波鸿(2019年7月16-18日)] 2019 IEEE MTT-S国际微波研讨会系列：射频与太赫兹应用先进材料与工艺(IMWS-AMP) - 柔性基底上弯曲与褶皱天线仿真的新方法

    摘要： 首款28纳米嵌入式分裂栅极MONOS（SG-MONOS）闪存宏单元已成功研发，该技术既提升了微控制器单元的嵌入式存储容量，又能在汽车应用严苛要求的-40℃至170℃宽结温范围内显著改善性能。研发过程中特别关注了工艺缩减带来的可靠性特性退化问题。通过采用温度调节字线过驱动方案，随机读取访问频率提升15%，实现代码闪存宏单元200MHz无等待随机访问时6.4GB/s的读取吞吐量，同时使字线驱动器的TDDB寿命延长十倍以上。温度自适应阶跃脉冲擦除控制技术（TASPEC）将金属互连层间介质膜的TDDB寿命提升三倍，该技术对百万次重写周期的数据闪存宏单元尤为重要。采用负偏压源极侧注入编程技术可使编程脉冲时间缩短63%，从而实现代码闪存宏单元2.0MB/s的写入吞吐量。为抑制代码闪存宏单元高写入吞吐量产生的EMI噪声，创新性地引入扩频时钟生成与时钟相移技术进行电荷泵时钟生成，使EMI噪声峰值功率降低19dB。

    关键词： 高可靠性、扩频时钟生成、字线过驱动、汽车应用、分栅MONOS（SG-MONOS）、嵌入式闪存、时变介质击穿、高温运行、快速随机读取操作

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 在λ约7.2微米波长下、温度超过90°C时仍能连续波模式运行的低功耗分布式反馈量子级联激光器

    摘要： 我们报道了设计并制备了工作波长约7.2微米的分布式反馈量子级联激光器，该器件可在极高温度下实现连续波运行且具有低功耗特性。实验实现了90°C以上的连续波运行。对于后端面镀有高反射膜、长度为2毫米、宽度为10微米的激光器，在20°C时获得超过170毫瓦的输出功率，阈值功耗为2.4瓦；对应在90°C时输出功率为30毫瓦，阈值功耗为3.9瓦。通过调节热沉温度或注入电流，可实现边模抑制比超过25分贝的稳定单模发射，并具备连续调谐能力。

    关键词： 高温运行，分布式反馈量子级联激光器，低功耗，连续波模式

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 高温太赫兹量子级联激光器的双激射通道

    摘要： 太赫兹（THz）量子级联激光器（QCLs）是覆盖1.2至5.4 THz频段的强相干光源，但其工作温度仍低于200 K。本研究展示了基于GaAs/AlxGa1-xAs异质结构的三阱有源区在不同铝浓度（x=12%至24%）下的势垒高度研究结果。更高的势垒能降低高温下电子的热泄漏并减弱电子波函数耦合。计算得到的这两个电子态能差（1.75 meV）与低温测量频谱中3.4 THz和3.8 THz两个区域间隔（ΔE=1.65 meV）相符。该技术有望提升激光器最高工作温度，并优化频率梳和锁模器件所需的宽带器件性能。

    关键词： 量子级联激光器、高温运行、双激射通道、太赫兹

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 在高温下表现出稳定电荷传输的半导体聚合物共混物

    摘要： 尽管高温运行（即超过150°C）对许多电子应用极具吸引力，但在高温下实现有机半导体的稳定载流子迁移率从根本上来说具有挑战性。我们报道了一种制备热稳定性高温半导体聚合物共混物的通用策略，该共混物由互穿半结晶共轭聚合物和高玻璃化转变温度绝缘基质组成。经过适当设计，此类聚合物共混物展现出温度不敏感的电荷传输行为，在薄膜晶体管中空穴迁移率超过2.0 cm2/V·s，适用温度范围从室温宽幅覆盖至220°C。

    关键词： 半导体聚合物共混物、电荷传输、热稳定性、高温运行、有机半导体

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 宽禁带氮化镓基高电子迁移率晶体管功率器件中阈值电压稳定性与高温运行相关性的模型开发

    摘要： 半导体功率器件在实际应用中，阈值电压（Vth）的温度依赖性稳定性是一个重要问题，尤其是在经历重复高温工作条件时。本研究探究了宽禁带氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）器件在高温工作下Vth解析模型及其稳定性。通过分析势垒高度、导带和极化电荷等物理参数的温度效应，揭示了Vth稳定性的机理。随后提出并建立了高温工作下的Vth解析模型，以研究测量温度和重复周期对Vth稳定性的影响。通过将理论计算数据与实验测量及技术计算机辅助设计（TCAD）仿真结果进行对比，验证了该模型的有效性。本研究为实际高温应用中功率器件的Vth稳定性提供了有效的理论参考。

    关键词： 高温运行、氮化镓（GaN）、分析模型、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、阈值电压（Vth）稳定性

    更新于2025-09-04 15:30:14