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oe1(光电查) - 科学论文

44 条数据
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  • ZIF-8衍生的ZnO/Zn6Al2O9/Al2O3纳米复合材料在模拟太阳光照射下具有优异的光催化性能

    摘要： 本研究通过在ZIF-8合成过程中原位引入Al3?，制备了三元ZnO/Zn6Al2O9/Al2O3纳米复合材料，旨在提升ZIF-8衍生ZnO在模拟太阳光照射下的吸附与光催化性能。采用XRD、SEM、TEM、HRTEM、XPS、UV-Vis DRS、BET和PL等技术分析了样品的晶体结构、成分、形貌、光吸收及电荷分离特性。通过模拟太阳光照射下降解甲基橙(MO)评估样品的光催化活性。与ZIF-8衍生ZnO相比，ZnO/Zn6Al2O9/Al2O3纳米复合材料的形成可提供高比表面积、降低带隙、抑制电子-空穴对复合，从而显著提升光催化活性。当Al/Zn摩尔比为1:1时，该复合材料在模拟太阳光照射60分钟后，对初始浓度150 mg/L的MO溶液实现了97.5%的最大降解率，较ZIF-8衍生ZnO提高了3.18倍。

    关键词： Zn6Al2O9，模拟太阳光照射，Al2O3，ZIF-8，ZnO，光催化降解

    更新于2025-09-23 12:02:15

  • 采用磁力研磨工艺对硅片进行抛光的数值-实验研究

    摘要： 硅片作为一种脆性材料，在半导体领域应用广泛。该材料的表面质量会显著影响相关元器件的品质与加工效率。本研究采用SPH/FEM耦合算法模拟磁流变抛光工艺对硅片的表面抛光过程，通过仿真与实验综合分析了转速和加工间隙对表面粗糙度变化率（%?Ra）及材料去除量（MR）的影响，并利用原子力显微镜探究了硅片表面的材料去除机制。观测发现微断裂与微切削两种机制可能同时发生，且高度依赖于抛光参数。仿真与实验数据表明：随着转速提升和加工间隙减小，MR值与%?Ra值均会增大。实验测得最大%?Ra为65%，最大MR值为39.09毫克。

    关键词： 材料去除、表面粗糙度、磁性磨料光整加工、Al2O3（氧化铝）、有限元法/光滑粒子流体动力学法、硅片、纳米光整加工

    更新于2025-09-23 23:14:29

  • 采用基于原子层沉积（PEALD）的Al2O3/有机-无机纳米杂化层交替结构的高级薄型气体阻隔薄膜

    摘要： 在本研究中，我们报道了一种基于等离子体增强原子层沉积（PEALD）的Al2O3/有机-无机（O-I）纳米杂化气体阻隔膜，该薄膜展现出极低的水蒸气透过率（WVTR）、高渗透活化能、优异的可见光透光率以及良好的柔韧性。通过电学钙测试测得，我们制备的4对PEALD基Al2O3/O-I纳米杂化气体阻隔膜的WVTR值为7.83 × 10?5 g/m2/天（60°C，90%相对湿度），渗透活化能为103.10 kJ/mol。其可见光透光率达到96.14%，临界弯曲半径为7-9毫米。在PEALD基Al2O3层间引入O-I纳米杂化层显著提升了气体阻隔膜在防腐性、附着力和柔韧性方面的性能。

    关键词： 防腐、封装、等离子体增强原子层沉积（PEALD）、溶胶-凝胶法、纳米粒子、有机-无机纳米杂化材料、氧化铝（Al2O3）

    更新于2025-09-24 00:37:42

  • [IEEE 2019年第28届国际工业电子研讨会(ISIE) - 加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市 (2019.6.12-2019.6.14)] 2019年IEEE第28届国际工业电子研讨会(ISIE) - 工业应用中的数字全息技术

    摘要： 首次研究了采用全原子层沉积Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3叠层的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。随着掺入SiO2薄膜厚度从0增加到3 nm，该MIM电容器的二次和线性电压系数（α和β）显著地从正值降至负值。对于含3 nm SiO2薄膜的叠层，实现了7.40 fF/μm2的电容密度、-121 ppm/V2的α和-116 ppm/V的β，同时具有极低的漏电流密度（室温下5 V时为3.08 × 10?? A/cm2，125°C下3.3 V时为5.89 × 10?? A/cm2）、高击穿场强6.05 MV/cm，以及在室温下工作电压达6.3 V时可确保10年使用寿命。因此，此类叠层结构是下一代射频及模拟/混合信号集成电路极具前景的候选方案。

    关键词： 金属-绝缘体-金属，Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3，原子层沉积，电容电压系数

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • X射线吸收光谱揭示的Al2O3/GaN界面GaN侧局域原子结构

    摘要： 通过检测源自镓K壳层吸收的Ga LMM俄歇电子，采用表面敏感的镓K边扩展X射线吸收精细结构光谱技术，研究了栅极绝缘体（Al2O3）与半导体（GaN）之间的界面。该GaN侧界面研究是在通过原子层沉积形成的Al2O3薄膜上进行的。确定的原子结构揭示了由于氮退火导致的GaN晶体变化和Ga-O键的形成。

    关键词： 氧化铝（Al2O3）、界面、沉积后退火（PDA）、氮化镓（GaN）、扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）、原子层沉积（ALD）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 选择性激光熔化Al?O?/P20复合材料表面形貌、微观组织演变及磨损性能研究

    摘要： 本研究通过选择性激光熔化（SLM）技术，采用不同Al2O3含量（0.5 wt%、1 wt%、2 wt%）的Al2O3与P20模具钢混合粉末成功制备了Al2O3/P20复合材料。表面形貌分析表明，SLM过程中Al2O3颗粒发生部分或完全熔化团聚，并在相邻熔道间产生偏析。通过建立SLM过程中Al2O3扩散模型阐明了团聚体形成机制。随着Al2O3含量增加，试样致密化行为变差（相对密度从99.3%降至94.2%）。样品微观结构出现明显变化，包括马氏体组织粗化、回火组织转变、逆转变奥氏体生成及细小碳化物颗粒析出。洛氏硬度测试结果显示1 wt%含量时获得最大值57.6 HRC，而2 wt%时硬度最低为45.9 HRC。摩擦磨损试验表明当Al2O3含量为1 wt%和2 wt%时，摩擦系数（COF）和磨损率显著降低，凸显出优异的耐磨性能。

    关键词： 耐磨性、选择性激光熔化、Al2O3、P20模具钢、微观结构、复合材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 掺铬α-氧化铝激光晶体的吸收光谱、配体场参数及g因子：第一性原理计算

    摘要： 本文在统一框架下呈现了三种价态铬掺杂α-Al2O3晶体的吸收光谱、配体场参数及g因子的第一性原理研究结果。我们的计算基于一种新方法——将[CrO6]9-团簇嵌入基质配体的扩展点电荷场中。通过对掺杂晶体进行差分泛函理论(DFT)优化后，采用基于红外(IR)光谱的振动理论光谱学研究来验证优化后掺杂晶体结构的稳定性。通过完全活性空间自洽场(CASSCF)方法记录了Cr3+电子态及其对应波函数的第一性原理能量计算结果，并分析了来自N电子价层二阶微扰理论(NEVPT2)、二阶动态关联修饰完全活性空间(DCD-CAS2)、三自由度差分专属组态相互作用(MRDDCI3)及面向光谱的组态相互作用(SORCI)的改进能态。基于第一性原理配体场理论(AILFT)流程，我们提取了用于重新计算研究体系能级的配体场(LF)参数和自旋-轨道耦合常数。此外，通过全组态相互作用计算了刚玉中Cr3+离子基态4A2的g因子。所得结果经讨论并与文献实测值对比显示合理吻合，这验证并推荐了这一新的研究途径。

    关键词： 配体场、g因子、光学吸收光谱、Al2O3:Cr3+、第一性原理计算

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 用于硅太阳能电池背面钝化和光捕获的喷涂沉积氧化铝

    摘要： 采用低成本喷涂沉积法研究喷涂沉积Al2O3作为钝化发射极背面接触(PERC)硅太阳能电池背面钝化层及光学陷光层的适用性。通过测试喷涂沉积Al2O3薄膜的结构、光学和电学特性发现：电容-电压测试表明80纳米薄膜具有3.19×1012 cm?2的负电荷密度，证实其可作为钝化层；其光学特性与原子层沉积/等离子体增强化学气相沉积制备的Al2O3/SiNx叠层完全一致，表明亦可作为光学陷光层；原子力显微镜观测显示80纳米薄膜无裂纹孔隙，表面粗糙度均方根值为0.52纳米；X射线衍射确定其为非晶态；X射线光电子能谱分析显示其略富铝。80纳米Al2O3薄膜的电阻率和击穿场强分别为5.46×101? Ω·cm和3.28 MV/cm，经800°C烧结后保持稳定。这些特性表明喷涂沉积Al2O3有望替代PERC硅电池中的Al2O3/SiNx叠层。

    关键词： Al2O3，喷雾沉积，背面钝化，Si PERC电池，光学陷阱

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 激光诱导的Si3N4–TiN陶瓷降解

    摘要： 本文介绍了脉冲Nd:YAG激光诱导Si3N4?TiN陶瓷表层退化的过程。辐照区内氮化硅与氮化钛的分解会导致硅元素耗损，从而使该区域富集钛元素，进而形成TiSi2。这一TiSi2形成过程可视为陶瓷金属化现象，其浓度取决于激光提供的能量。分解/蒸发产物在大气中的扩散伴随着SiO2和TiO2的生成，这些物质随后以复杂成分的非晶薄膜形式沉积在基板上。

    关键词： 表面相变，(Si3N4?TiN)：(Al2O3+Y2O3)陶瓷，薄膜形成

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于p型c-Si PERL太阳能电池背面钝化与接触的内联沉积PassDop层（具有高双面性）

    摘要： 我们研究了氧化铝（Al2O3）和掺硼氮化硅（SiNX:B）叠层在p型硅太阳能电池背面钝化及局部掺杂中的应用，旨在实现双面钝化发射极与背面局部扩散（biPERL）太阳能电池。通过激光掺杂形成局部p+掺杂背面场区域，并采用市售丝网印刷烧结银铝（AgAl）或银（Ag）接触实现电学连接。该方法称为"pPassDop"。激光掺杂可产生方阻低至15 Ω/□、表面掺杂浓度高达6×1019 cm-3的高浓度掺杂硅。测得丝网印刷烧结AgAl和Ag接触的比接触电阻分别约为1 mΩ·cm2和5 mΩ·cm2。此外，还研究了pPassDop叠层中各独立层对掺杂特性的影响。为区分铝和硼掺杂的影响，首先研究了SiNX:B盖层下方Al2O3层厚度（0 nm、4 nm、6 nm）的作用；其次在6 nm厚Al2O3层上施加常规未掺杂SiNX盖层。通过测量掺杂分布和接触电阻率来研究各掺杂剂的作用。

    关键词： SiNX:B，激光掺杂，双面PERL太阳能电池，pPassDop，Al2O3

    更新于2025-09-12 10:27:22