研究目的
研究氧化铝（Al2O3）和掺硼氮化硅（SiNX:B）叠层对p型硅太阳能电池样品背面钝化及局部掺杂的效果，旨在实现双面钝化发射极和背面局部扩散（biPERL）太阳能电池。
研究成果
pPassDop方法能为p型Cz-Si双PERL电池背面实现高浓度局部掺杂，获得低方阻和低接触电阻。Al2O3与SiNX:B层结合激光掺杂及丝网印刷接触的方案，在工业化应用方面展现出良好前景。
研究不足
该研究聚焦于p型Cz-Si晶圆及特定激光参数。不同材料与激光设置对掺杂特性的影响尚未得到充分探究。
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于p型c-Si PERL太阳能电池背面钝化与接触的内联沉积PassDop层（具有高双面性）
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于p型c-Si PERL太阳能电池背面钝化与接触的内联沉积PassDop层（具有高双面性）
DOI：10.1063/1.5123881
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
我们研究了氧化铝（Al2O3）和掺硼氮化硅（SiNX:B）叠层在p型硅太阳能电池背面钝化及局部掺杂中的应用，旨在实现双面钝化发射极与背面局部扩散（biPERL）太阳能电池。通过激光掺杂形成局部p+掺杂背面场区域，并采用市售丝网印刷烧结银铝（AgAl）或银（Ag）接触实现电学连接。该方法称为"pPassDop"。激光掺杂可产生方阻低至15 Ω/□、表面掺杂浓度高达6×1019 cm-3的高浓度掺杂硅。测得丝网印刷烧结AgAl和Ag接触的比接触电阻分别约为1 mΩ·cm2和5 mΩ·cm2。此外，还研究了pPassDop叠层中各独立层对掺杂特性的影响。为区分铝和硼掺杂的影响，首先研究了SiNX:B盖层下方Al2O3层厚度（0 nm、4 nm、6 nm）的作用；其次在6 nm厚Al2O3层上施加常规未掺杂SiNX盖层。通过测量掺杂分布和接触电阻率来研究各掺杂剂的作用。
作者：
Mohammad Hassan Norouzi，Pierre Saint-Cast，Elmar Lohmüller，Sabrina Lohmüller，Bernd Steinhauser，Andreas Wolf，Marc Hofmann
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