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[2019年IEEE欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019年6月23日-27日)] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 基于包层泵浦掺铒(无镱)光纤的L波段放大器，该光纤采用氟高掺杂的Al?O?-SiO?纤芯
摘要： 最近，我们展示了双包层（DC）高掺铒（无镱）光纤在脉冲放大应用中实现创纪录高能量和峰值功率的前景[1]。通过优化光纤几何结构和纤芯成分，实现了单模传输模式、L波段（近1575 nm）高达25%的高泵浦-信号转换效率（PCE）以及相对较短的光纤长度（约6米）。纤芯-包层比被选为尽可能高（纤芯和包层直径分别为35微米和125微米），以增加来自包层的泵浦吸收。采用P2O5-Al2O3-SiO2（PAS）玻璃基质[2]，使我们即使在高度掺铒的光纤中也能实现低纤芯数值孔径（NA）和同时的高PCE。
关键词： L波段放大器、氟掺杂、铒掺杂光纤、Al2O3-SiO2纤芯、泵浦光-信号光转换效率
更新于2025-09-11 14:15:04
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用于LTCC应用的Al?O?填充CaO–B?O?–SiO?–Al?O?玻璃复合材料的结构、结晶及介电性能
摘要： 研究了CaO–B2O3–SiO2（C1）和CaO–B2O3–SiO2–Al2O3（C1A03）玻璃的玻璃结构及晶化行为。向CaO–B2O3–SiO2玻璃中添加Al3?作为玻璃形成体，与含非桥氧的硅四面体键合形成Si–O–Al–O–Si结构，从而增加了Q4结构单元。C1和C1A03玻璃体系的相对介电常数均在7.8–8.4范围内。与C1玻璃相比，C1A03的孔隙尺寸和数量减少，导致介电常数升高。由于孔隙尺寸和数量的减小，C1A03玻璃体系展现出比C1体系更优的Qxf值。对于致密化样品，Qxf值大致随玻璃添加量的增加而降低。含50 wt%氧化铝的C1A03玻璃因获得最大致密度和最高钙长石含量，展现出最高的介电常数（8.4）和Qxf值（3150 GHz）。
关键词： 结晶、介电性能、CaO–B2O3–SiO2–Al2O3玻璃、低温共烧陶瓷、Al2O3
更新于2025-09-11 14:15:04
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基于特征模分析的宽带低旁瓣Ka波段超表面天线阵列——采用基片集成间隙波导馈电
摘要： 负载于氧化铝上的铂纳米颗粒（NPs）的形貌与分散性控制具有挑战性。为解决这一问题，采用金属有机框架作为制备多相催化剂的模板是一种极具前景的方法。本研究以铝基金属有机框架为介质，在无?；ぜ梁头舛思撂跫潞铣闪烁涸赜讦?氧化铝的均匀铂纳米颗粒（Pt@γ-Al2O3），并对其进行仪器分析。显微成像显示纳米颗粒直径为2-5纳米（平均3.4纳米），证实氧化铝表面形成了铂纳米立方体。Pt@γ-Al2O3对丙烯氧化反应表现出优异催化活性与长期稳定性，测得相应活化能为63.9 kJ·mol?1。此外，该材料在100°C下还能高效催化硝基苯气相加氢制苯胺反应，实现565 h?1的转化频率与>90%的选择性。这些成果为以金属有机框架为前驱体和介质制备负载型多相催化剂提供了重要进展。
关键词： 硝基苯加氢，MIL-53(Al)，Pt@γ-Al2O3，丙烯完全氧化
更新于2025-09-11 14:15:04
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通过嵌段共聚物钝化晶界提升平面钙钛矿太阳能电池的性能与稳定性
摘要： 采用超声辅助激光熔覆技术在钛合金基体上制备了Al2O3-ZrO2陶瓷涂层。通过实验研究了超声对涂层微观结构和力学性能的影响。本文采用了一种新型的超声辅助激光熔覆方法，该方法将超声波直接作用于熔池微区。实验结果表明，超声辅助可改善涂层的晶粒尺寸和力学性能，且激光熔覆过程中施加超声振动能减少涂层裂纹数量。
关键词： Al2O3–ZrO2陶瓷，超声波，激光熔覆，机械性能
更新于2025-09-11 14:15:04
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柔性Al?O?/Al/Al?O?复合材料的制备与性能
摘要： 通过微弧氧化（MAO）技术在50微米厚的铝箔上制备出柔性Al2O3/Al/Al2O3三明治复合结构。所得铝箔表面陶瓷层厚度为20-22微米，主要成分为Al2O3。该外层为Al2O3的复合材料可弯曲超过90°而不出现可见断裂或分层。扫描电镜（SEM）表征显示微弧氧化涂层具有多孔结构并含有微裂纹。能谱分析（EDS）和X射线衍射（XRD）结果表明涂层主要含α-Al2O3相。实验观测表明，微裂纹的存在通过提升韧性并降低涂层刚度来解释其柔性机制，三明治结构的良好结合层也能防止氧化涂层断裂。该复合材料的热扩散率介于铝与Al2O3之间，在50V电压下电阻率为Al2O3的45.4%，有望作为可定制的低压绝缘材料应用。
关键词： 绝缘材料，微弧氧化，复合材料，Al2O3/Al/Al2O3，柔性
更新于2025-09-10 09:29:36
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退火对喷涂Al2O3基MIS结构硅表面钝化界面特性的影响
摘要： 通过超声喷雾法，将不同摩尔浓度的乙酰丙酮铝溶解于N,N-二甲基甲酰胺溶液中，在石英和硅(100)衬底上沉积了不同厚度的氧化铝(Al2O3)薄膜。研究了其光学、形貌及电学特性。随着摩尔浓度增加，折射率降低，光学带隙从5.26 eV增大至5.52 eV，薄膜表面粗糙度也发生变化。针对Al2O3/Si界面的平带电压(VFB)、有效电荷密度(Qeff)和界面态密度(Dit)等电学参数，考察了其与摩尔浓度、薄膜厚度及热处理工艺的关联性。通过后沉积退火(PDA)和后金属化退火(PMA)两种退火工艺对结构进行处理，显著改善了界面特性。研究发现正平带电压VFB偏移与PMA过程中产生的负有效电荷相关。在不同摩尔浓度下均观察到PMA样品中Dit分布减小，而PDA样品无明显变化。此外，随着Al2O3薄膜厚度减小，PDA和PMA样品中的Dit均降低，较薄薄膜则呈现较高的Qeff密度及其负电荷极性。经退火处理的样品证实了对Al2O3/Si界面具有显著钝化效果。这些关于界面特性的发现对硅表面钝化（特别是太阳能电池应用）具有重要前景。
关键词： Al2O3，表面钝化，超声喷雾，金属化后退火，沉积后退火
更新于2025-09-10 09:29:36
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采用模板晶粒生长法制备的高度取向(104)多晶α-Al2O3透明陶瓷
摘要： 采用A面单晶蓝宝石作为模板，通过模板晶粒生长（TGG）法制备了高度取向的(104)多晶α-Al2O3透明陶瓷。据我们所知，这是首次报道非光学轴取向的多晶α-Al2O3陶瓷。XRD和SEM结果表明，成功制备出具有高取向晶粒和高致密结构的样品。与随机取向样品相比，取向样品在650 nm波长处的实线透射率从约23%提升至约62%。此外，当波长向紫外区（<300 nm）移动时，透射率仍保持较高水平。该方法可推广至其他无光学轴的单轴材料，用于制备具有优异光学透明度的多晶陶瓷。
关键词： 多晶α-Al2O3、定向、透明陶瓷、晶粒生长
更新于2025-09-10 09:29:36
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研究NH<sub>4</sub>OH和HCl/(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>S钝化处理及O<sub>2</sub>等离子体后原子层沉积工艺中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaSb界面的氧化现象
摘要： 本研究采用X射线光电子能谱分析了Al2O3/GaSb界面，旨在改善基于GaSb的金属-氧化物-半导体结构的界面及电学性能。首先分别采用4%和5%稀释度的NH4OH或(NH4)2S进行不同钝化处理以减少GaSb表面自然氧化层。随后研究了原子层沉积(ALD)后经氧等离子体处理及不同温度退火工艺对Al2O3与GaSb表面的氧化影响。结果表明：(NH4)2S钝化能有效降低GaSb表面自然氧化层含量；而ALD后氧等离子体处理可在界面处Al2O3内形成富氧层，从而减少后续氧化物退火过程中GaSb表面的氧化程度。
关键词： X射线光电子能谱，(NH4)2S，沉积后退火，Al2O3/GaSb界面，NH4OH，原子层沉积，O2等离子体
更新于2025-09-10 09:29:36
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总电离剂量对基于Al?O?/HfO?/Al?O?电荷俘获存储单元电荷存储能力的影响
摘要： 由于离散电荷存储机制，电荷俘获存储器（CTM）技术是航空航天和军事任务的理想选择。本研究探讨了在原位10 keV X射线辐照下，采用Al2O3/HfO2/Al2O3（AHA）高k栅堆叠结构的CTM单元的总电离剂量（TID）效应。不同辐射剂量下的C-V特性表明，器件中存储的电荷在辐照过程中持续泄漏，从而导致平带电压（Vfb）发生偏移。直流存储窗口变化不明显，表明其具有良好的编程/擦除能力。此外，还分析了基于AHA的CTM中TID诱导辐射损伤的物理机制。
关键词： 总电离剂量效应、平带电压、电荷俘获存储器、Al2O3/HfO2/Al2O3、X射线
更新于2025-09-09 09:28:46
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采用垂直梯度凝固法新开发的高灵敏度α - Al?O?:C的热释光特性
摘要： 采用氧化铝和石墨粉为原料，通过垂直梯度凝固（VGF）法直接生长出高灵敏度α-Al2O3:C晶体。对比研究了VGF法生长的α-Al2O3:C探测器与TLD-500K探测器的主要热释光（TL）特性。VGF法生长的α-Al2O3:C展现出优异的剂量学性能：在1°C/s升温速率下热释光灵敏度高达TLD-100的152倍，残余信号极低（0.03%），最低可测剂量为0.12μGy，在1μGy至10Gy研究剂量范围内呈现卓越线性响应。相较于TLD-500K探测器，VGF法制备的α-Al2O3:C具有更高灵敏度和更优线性响应。两类α-Al2O3:C均可不经退火处理，适用于环境监测和人员剂量测量中的极低剂量检测。
关键词： α-Al2O3:C、人员剂量学、剂量学特性、垂直梯度凝固法、热释光、环境监测
更新于2025-09-09 09:28:46