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oe1(光电查) - 科学论文

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  • AlGaInP/InGaAs增强/耗尽型共集成掺杂沟道场效应晶体管的氢传感特性

    摘要： 本文展示了通过湿法选择性刻蚀工艺制备的Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As增强/耗尽模式共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢气传感特性。在漏极电流为0.1 mA/mm时，耗?。ㄔ銮浚┠Ｊ狡骷诳掌?800 ppm氢气浓度环境中的阈值电压分别为(约)0.97 (±0.6) V和(约)1.22 (±0.31) V。此外，采用共集成FET器件时，直接耦合FET逻辑电路（DCFL）的传输特性在氢气环境中会发生显著变化。随着氢气检测的进行，DCFL电路中的VOH值降低而VOL值升高。

    关键词： 阈值电压，氢气传感，掺杂沟道场效应晶体管，增强/耗尽模式，AlGaInP/InGaAs，直接耦合FET逻辑

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • AlGaInP/InGaAs互补共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢气传感特性

    摘要： 本文展示了Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As互补共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢传感器件及逻辑特性。由于Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As异质结处存在较大的导带（价带）不连续性，并采用小禁带宽度的In0.1Ga0.9As沟道层，该研究中的n沟道（p沟道）器件能提供高栅极势垒高度，从而避免电子（空穴）从沟道注入栅区。在氢气环境中，n沟道（p沟道）晶体管的氢分子会吸附并解离于Pd催化金属表面，随后氢原子快速扩散至MS界面形成偶极子，降低（升高）栅极势垒高度并增强（减弱）漏极电流。该n沟道（p沟道）器件在空气和9800ppm氢气浓度下，漏极电流为0.1mA/mm时的阈值电压分别为0.67（0.05）V和0.38（-0.26）V。检测到氢气时，反相器特性明显左移，VOH和VIH值降低。

    关键词： 场效应晶体管、氢气传感、AlGaInP/InGaAs、逻辑特性

    更新于2025-09-23 15:21:01