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24.5：具有TiO?:Nb?；げ愕谋彻档揽淌碼-IGZO薄膜晶体管
摘要： 展示了一种用于制备非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的背沟道刻蚀（BCE）工艺，其中采用导电TiO?:Nb（TNO）薄膜作为a-IGZO有源层的保护层。由于具有超小的表面粗糙度，TNO薄膜能出色地保护a-IGZO。经过N?O等离子体处理和200°C退火后，导电的TNO可转变为绝缘体，从而作为原位钝化层。此外，由于源漏（S-D）电极的?；ぷ饔茫绰┣虻腡NO仍保持导电性，这一现象可通过XPS结果得到证实。与未使用TNO?；げ愕拇称骷啾?，采用1纳米和5纳米TNO器件的源漏寄生电阻（RSD）显著降低。同时，具有TNO原位钝化层的器件其正偏压应力稳定性也得到提升。
关键词： 非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）、掺铌二氧化钛（TNO）、薄膜晶体管（TFTs）、背沟道刻蚀（BCE）工艺
更新于2025-09-23 15:23:52
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氮掺杂非晶铟镓锌氧薄膜晶体管中的化学键
摘要： 我们利用X射线光电子能谱仪（XPS）研究了氮掺杂非晶铟镓锌氧（a-IGZO:N）薄膜中的化学键。低浓度氮掺杂时，掺杂的氮原子优先与镓阳离子结合形成稳定的Ga-N键；而高浓度氮掺杂时，除Ga-N键外还会形成稳定性较差的In-N和Zn-N键。稳定的Ga-N键及少量缺陷使得氧空位（VO）更难发生变化，从而让采用低掺杂a-IGZO:N沟道层的薄膜晶体管（TFTs）具有更好的稳定性。相反，不稳定的In-N和Zn-N键以及过量缺陷会导致氧空位更易改变，因此高氮掺杂的a-IGZO:N TFTs稳定性较差。
关键词： 非晶铟镓锌氧（a-IGZO）、薄膜晶体管（TFTs）、氮掺杂（N-掺杂）、化学键
更新于2025-09-23 15:22:29
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钝化层对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管正栅偏压应力稳定性的影响
摘要： 钝化（PV）层可有效提升非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的正向栅极偏压应力（PGBS）稳定性，但其相关物理机制尚不明确。本研究采用不同厚度的SiO2或Al2O3薄膜对a-IGZO TFT进行钝化处理，使器件在PGBS测试中表现更稳定。随着PV层厚度增加，由于PV层屏障效应增强，a-IGZO TFT的PGBS稳定性得到改善。当PV层厚度超过特征长度时，阈值电压几乎无偏移，表明本研究中a-IGZO TFT的PGBS不稳定性主要受环境气氛影响而非电荷俘获作用。SiO2 PV层的改善效果优于Al2O3，因其具有更小的特征长度（约5纳米），而Al2O3 PV层特征长度约为10纳米。
关键词： 薄膜晶体管（TFT）、正栅极偏压应力（PGBS）、钝化层、特征长度、非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）
更新于2025-09-23 15:21:21
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通过真空快速热退火控制In-Ga-Zn-O薄膜电阻及其在透明电极中的应用
摘要： 本研究发现，在真空快速热退火处理下，非晶铟镓锌氧化物薄膜呈现显著的电阻变化，而相同处理的氧化锌锡薄膜电阻变化微小?；诖?，本研究探究了非晶铟镓锌氧化物薄膜作为氧化锌锡薄膜晶体管透明源/漏电极的适用性?？杉夥段?，非晶铟镓锌氧化物与非晶氧化锌锡薄膜的光学透过率均超过85%。此外，采用非晶铟镓锌氧化物源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管展现出更优的电学特性：阈值摆幅更低（从369.96降至315.45 mV·dec?1）、迁移率更高（从28.47提升至36.187 cm2·V?1·s?1）、开关电流比更大（从1.25×10?增至3.56×10?）。正负偏压温度应力测试表明，该器件的稳定性与采用氧化铟锡源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管相当。
关键词： Zn-Sn-O（ZTO）、In-Ga-Zn-O（IGZO）源/漏电极、薄膜晶体管（TFT）、真空快速热退火
更新于2025-09-23 15:19:57
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通过CsPbBr3量子点增强InGaZnO光电晶体管的紫外-可见光检测
摘要： 氧化铟镓锌（IGZO）薄膜晶体管（TFT）具有高场效应载流子迁移率和低关态电流特性，在高速低噪声光电探测器和图像传感器应用中颇具优势。然而受限于约3.3电子伏特的光学带隙，IGZO TFT的光电探测范围仅能覆盖短波紫外光。本研究展示了一种通过引入溶液法制备的钙钛矿量子点（QDs）与[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）复合层来提升IGZO基光电晶体管性能的简易方法。由于CsPbBr3量子点吸光层能实现光生电子的快速转移，量子点修饰的IGZO光电晶体管将光响应范围拓展至可见光波段（500纳米），其响应度和探测率较原始IGZO TFT提升超过两个数量级。此外，该量子点修饰器件在紫外光（350纳米）照射下也表现出优异性能：在207.3微瓦/平方厘米光强条件下，实现9.72安培/瓦的响应度、2.96×1012琼斯单位的探测率以及10?量级的光暗电流比。
关键词： 异质结，CsPbBr3量子点，IGZO，光电晶体管
更新于2025-09-23 15:19:57
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二硫化钨纳米片/铟镓锌氧薄膜异质结用于光电探测器、反相器及交流整流电路
摘要： 在玻璃衬底上制备并展示了一种结合二维WSe?纳米片与非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜的异质结PN二极管及反相器电路。该p-WSe?/n-IGZO异质结二极管呈现整流特性，在反向偏压下能有效响应红光（λ=620 nm）。由异质结PN二极管与IGZO场效应晶体管（FET）组合构成的二极管负载反相器，在5V供电电压下展现出约12的峰值电压增益。当对PN二极管施加反向偏压时，相同PN二极管与n-FET的集成结构显示出可见光探测能力。此外，经氧等离子体处理后的PN二极管因WSe?纳米片的空穴掺杂效应，其开/关整流比显著提升至≈5×10?。这种改进的PN二极管与IGZO FET集成后构成了交流整流电路。
关键词： 场效应晶体管（FET）、反相器、二硫化钨（WSe2）、铟镓锌氧（IGZO）、异质结PN二极管、交流整流器
更新于2025-09-23 15:19:57
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采用顶栅n型氧化物和p型LTPS薄膜晶体管的AMOLED面板，具有高刷新率和低功耗特性
摘要： 本文提出了一种用于发光显示的像素电路及阵列上栅极驱动器。通过同时采用顶栅n型氧化物和p型低温多晶硅（LTPS）薄膜晶体管（TFT），该电路实现了高刷新率和低功耗。基于所提电路制备了有源矩阵LED（AMOLED）面板，可支持1至120Hz范围内的多种刷新率驱动。
关键词： OLED、LTPO、栅极驱动器、IGZO、像素电路、LTPS
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 通过O?等离子体处理提升背沟道刻蚀型a-IGZO薄膜晶体管的性能
摘要： 本研究探讨了O2等离子体处理对背沟道蚀刻（BCE）非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）性能的影响。结果表明，O2等离子体处理显著改善了亚阈值摆幅（SS）及负栅极偏压应力下的性能稳定性。研究认为这种改善归因于背沟道表面铟（In）含量的降低和缺陷态的减少。
关键词： NBS、亚阈值摆幅、BCE结构a-IGZO TFT、O2等离子体
更新于2025-09-23 04:40:14
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1.2: <i>特邀论文：</i> 用于AMOLED显示的动态阈值电压补偿IGZO-GOA电路
摘要： 本研究提出并设计了一种双栅极非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)。基于该特殊结构，为阵列基极驱动(GOA)开发了技术先进的外部阈值电压(Vth)补偿系统，该系统可通过外部直流信号源调控Vth。随后介绍了该电路的工作模式，并通过详细仿真研究了合适的工艺窗口。最终，所提出的GOA电路展现出稳定的高压输出脉冲，同时采用外部Vth补偿系统后其使用寿命显著提升?；剐柚赋龅氖牵鸦竦?.6ms宽脉冲用于检测像素电路中驱动TFT的Vth。
关键词： GOA，外部补偿系统，宽脉冲，寿命，a-IGZO
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE未来电子器件国际会议（IMFEDK）-日本京都（2019.11.14-2019.11.15）] 2019 IEEE关西未来电子器件国际会议（IMFEDK）-采用感应耦合等离子体溅射系统制备的高可靠性InGaZnO薄膜晶体管
摘要： 氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性及降低工艺温度的方法已成为严峻问题。为解决这些问题，我们研发了可独立控制射频（RF）功率以产生感应耦合等离子体（ICP）和施加于溅射靶材电压的感应耦合等离子体溅射设备。利用该设备，我们能在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜，并以此制备高可靠性薄膜晶体管。
关键词： 薄膜晶体管（TFT）、感应耦合等离子体（ICP）溅射、铟镓锌氧（IGZO）、可靠性
更新于2025-09-16 10:30:52