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[2019年IEEE未来电子器件国际会议（IMFEDK）-日本京都（2019.11.14-2019.11.15）] 2019 IEEE关西未来电子器件国际会议（IMFEDK）-采用感应耦合等离子体溅射系统制备的高可靠性InGaZnO薄膜晶体管

DOI：10.1109/IMFEDK48381.2019.8950695 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性及降低工艺温度的方法已成为严峻问题。为解决这些问题，我们研发了可独立控制射频（RF）功率以产生感应耦合等离子体（ICP）和施加于溅射靶材电压的感应耦合等离子体溅射设备。利用该设备，我们能在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜，并以此制备高可靠性薄膜晶体管。
作者： Daisuke Matsuo，Ikeda Takuya，Shigeaki Kishida，Yoshitaka Setogucti，Yasunori Andoh，Ryoko Miyanaga，Mami N. Fujii，Yukiharu Uraoka
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过开发一种能够在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜的感应耦合等离子体溅射系统，以解决氧化物半导体薄膜晶体管中存在的可靠性及高工艺温度问题。

研究成果

所开发的ICP溅射系统可在室温下沉积高密度IGZO薄膜，从而制造出高度可靠的TFT。通过采用IGZO薄膜的层状结构，可靠性得到显著提升。该系统展现出通过低温工艺制造高可靠性IGZO TFT的潜力。

研究不足

某些钝化膜需要高温退火处理，这限制了其在低温工艺中的应用。研究表明，若能找到可在较低温度下涂覆的高质量钝化膜，将有望在低温工艺中实现高可靠性的薄膜晶体管。

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