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核壳型II类量子点结构的非线性光学特性
摘要： 本研究中，采用滴加法合成了CdSe/CdTe II型量子点(QDs)。通过紫外-可见吸收光谱、光致发光(PL)光谱、透射电子显微镜和z扫描技术对核/壳纳米晶进行了表征。利用800 nm波长不同激光强度下的飞秒(fs) z扫描方法研究了各类量子点的非线性特性。fs激光z扫描实验装置用于测定双光子吸收系数(β≈10?12 cm/W)和非线性光学克尔系数(n?≈10?2? cm2/W)。基于七种不同核/壳QDs在不同激光强度下的β和n?值，计算了三阶极化率(X(3))的虚部和实部。研究发现CdSe/CdTe II型量子点的三阶极化率约为10?12 esu。
关键词： 飞秒Z扫描，CdSe/CdTe，II型量子点
更新于2025-09-23 15:21:01
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CdTe/CdSe II型核壳量子点的合成、表征及光诱导电子转移能学研究
摘要： CdTe/CdSe II型核壳量子点(QDs)在非配位溶剂中化学合成。通过吸收光谱(Abs)、光致发光(PL)光谱、PL衰减寿命、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线光谱(EDX)对合成量子点的光学特性和结构进行表征。通过改变CdSe壳层厚度并固定CdTe核尺寸，可将CdTe/CdSe核壳量子点的PL峰从698 nm(1.77 eV)调控至780 nm(1.59 eV)。这些量子点的PL量子产率(QYs)为14.1%-31.7%，且在CdSe壳层生长过程中PL峰半高宽(FWHM)始终保持在0.12 eV以下。与CdTe核相比，CdTe/CdSe II型核壳量子点具有更长的PL衰减时间(可达~100 ns)?；贛arcus理论研究了CdTe/CdSe 1-5单层(ML) II型核壳量子点的电荷转移(CT)，并揭示了量子限域对结构参数的影响。CdTe/CdSe (1-5 ML) II型核壳量子点的电子转移(ET)重组能(RE)范围为60 meV至106 meV，发现ET发生在Marcus倒置区(-?G0 ET > λCT)，这是此类量子点的典型特征。
关键词： 核/壳结构、重组能、II型量子点、空间分离、CdTe/CdSe
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西圣保罗(2019年8月26日-8月30日)] 第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 用于中间带太阳能电池的II型In(As)P/InGaP量子点的跃迁能计算
摘要： 在这项工作中，我们对用于中间带太阳能电池的InAsP II型量子点进行了计算模拟。我们改变了量子点合金的高度、宽度和磷含量百分比等参数，以确定它们对量子点内光学跃迁能量和电子限制的影响。
关键词： 模拟、能源转型、磷化铟量子点、II型量子点
更新于2025-09-12 10:27:22
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分子束外延生长参数对GaSb/GaAs量子点形貌的影响
摘要： 本文介绍了采用分子束外延技术生长自组装II型GaSb/GaAs量子点的研究。分析了衬底温度、Sb/Ga束流等效压强比、生长速率及总单原子层覆盖度等生长参数对表面形貌的影响。在特定生长条件下，GaSb量子点沿<110>和<1-10>方向呈现显著各向异性。该各向异性现象通过背景砷的掺入以及镓吸附原子在GaSb表面的各向异性扩散进行了解释。对GaAs覆盖样品的低温光致发光测量显示，II型量子点与浸润层均存在复合发光。
关键词： 自组装过程、各向异性、分子束外延、II型量子点、斯特朗斯基-克拉斯坦诺夫生长模式
更新于2025-09-12 10:27:22