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[IEEE第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西圣保罗(2019年8月26日-8月30日)] 第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 用于中间带太阳能电池的II型In(As)P/InGaP量子点的跃迁能计算

DOI:10.1109/sbmicro.2019.8919441 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 在这项工作中,我们对用于中间带太阳能电池的InAsP II型量子点进行了计算模拟。我们改变了量子点合金的高度、宽度和磷含量百分比等参数,以确定它们对量子点内光学跃迁能量和电子限制的影响。
作者: B. V. Rocha,R. Jakomin,R. M. Kawabata,L. P. Dornelas,M. P. Pires,P. L. Souza
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研究概述 实验方案 设备清单

研究InAsP II型量子点中高度、宽度及P组分比例等参数变化对中间带太阳能电池光学跃迁能级与电子限域特性的影响。

研究表明,对于InAsxPx-1量子点,要实现导带大偏移和适合中间带太阳能电池的II型能带排列,必须在组分与几何结构之间取得平衡。所研究参数无法同时实现中间带太阳能电池的理想跃迁能级。

该研究仅限于计算模拟,未包含实验验证。所研究的量子点参数可能无法同时实现中间带太阳能电池的理想能量值。

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