In_xGa_1-xAs/InP异质结构在正负失配体系中的表面-界面分析

摘要： InxGa1-xAs/InP体系中In含量的变化导致晶格常数改变，进而引发衬底InP与正失配之间的负失配现象。本研究采用多种表征技术，探究了正负失配体系中InxGa1-xAs/InP(100)的表面形貌与位错关系。相同失配条件下，负失配的表面形貌和质量效应均强于正失配。这是因为在负失配体系中，薄膜生长过程中界面无序度增加导致位错密度上升，同时衬底中的位错更易迁移至薄膜内，从而增大薄膜及其位错密度。此外还阐明了缓冲层的作用机制：缓冲层的引入首先抑制了衬底中的位错运动，其次降低了外延层与衬底间的失配度，从而减少失配位错。