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oe1(光电查) - 科学论文

43 条数据
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  • [IEEE 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 基于基板集成波导缝隙阵列天线的准无衍射波束产生与调控

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该模型通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 面向数据中心内部应用的超高速2:1数字选择器与行波等离子体调制器IM/DD发射机（工作速率222 GBaud）

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得以证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 美国内华达州拉斯维加斯(2020.1.6-2020.1.8)] 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 基于连续子空间学习的DFB激光芯片缺陷检测

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方法通过计算表面势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该建模方法在大规模和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于先进MOS器件和IC中TID与老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID与老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE第四届全球光电子学会议(OGC) - 中国深圳 (2019.9.3-2019.9.6)] 2019年IEEE第四届全球光电子学会议(OGC) - 基于光纤光栅辅助等离子体电化学传感器的重金属超灵敏检测

    摘要： 我们展示了基于场效应晶体管（FET）的等离子体太赫兹（THz）探测器在低阻抗区采用单片集成天线时的性能提升，并利用0.2-THz测量系统报道了Si MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。通过设计低阻抗范围（<1 kΩ）的FET并集成50和100 Ω阻抗的天线，我们发现低阻抗MOSFET在0.2 THz下满足50 Ω输入阻抗标准，且栅氧化层更薄的MOSFET在50-Ω天线配置下展现出比无天线探测器高325倍的显著增强的等离子体光响应。

    关键词： 太赫兹、阻抗、光响应、MOSFET、探测器、等离子体激元

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 源场板氧化镓（Ga?O?）MOSFET，击穿电压为550V

    摘要： 在铁掺杂半绝缘(010)β-Ga2O3衬底上，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的同质外延n型β-Ga2O3薄膜上制备了具有高击穿特性的Ga2O3金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)。该器件结构包含400nm非故意掺杂(UID)Ga2O3缓冲层和80nm硅掺杂沟道层。采用原子层沉积形成的高k值HfO2栅介质膜以降低栅极漏电流，并引入源极连接场板以增强击穿特性。制备器件的漏极饱和电流密度在Vgs为3V时达到101mA/mm，关态电流低至7.1×10?11A/mm，漏极电流ION/IOFF比达到109。该晶体管展现出对应于4μm和8μm栅-漏间距的三端关态击穿电压分别为450V和550V。

    关键词： MOSFET、Ga2O3、场板、击穿电压

    更新于2025-09-23 02:07:54

  • [IEEE 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 印度科因巴托尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 基于CMOS的伽马辐射剂量计比较研究

    摘要： 本文对基于CMOS的双栅RADFET、全包围栅极（GAA）RADFET和无结双栅（JL-DG）RADFET剂量计及其电学性能进行了定量对比研究。采用Sentaurus三维器件模拟器的伽马辐射模型，探究了中等剂量辐射环境下电子-空穴的俘获与释放现象，并分析了总剂量对阈值电压和漏极电流的影响。结果表明：相较于传统双栅RADFET和GAA RADFET剂量计，无结双栅RADFET的亚阈值参数得到改善。

    关键词： 阈值电压，Sentaurus TCAD，JL DG RADFET，DG RADFET，伽马辐射模型，GAA MOSFET

    更新于2025-09-23 05:39:12

  • 全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

    摘要： 我们首次报道了在6英寸硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长6.6微米厚氮化镓（GaN）基础上，实现全垂直功率MOSFET的成果。研究团队开发出基于选择性局部去除硅衬底及高阻GaN缓冲层的稳健制备工艺，随后通过电镀在背面共形沉积35微米厚铜层，为漏极提供优异的机械稳定性与电接触。通过优化栅极沟槽制备工艺，显著提升了p-GaN沟道有效迁移率与器件输出电流。所研制的高性能全垂直GaN-on-Si MOSFET具有5 mΩ·cm2的低比导通电阻（Ron,sp）和520 V的高耐压值，这一成果标志着在低成本硅衬底上实现高性能GaN垂直功率器件取得重要突破。

    关键词： 功率器件、氮化镓、低导通电阻、比导通电阻、硅基氮化镓、全垂直结构、MOSFET、垂直结构、高击穿电压

    更新于2025-09-23 08:03:18

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 构建城郊量子网络链路

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于模拟先进MOS器件与IC中的TID和老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外线照射：一种制造纳米线太阳能电池的新颖加工方法

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于先进MOS器件与IC中TID和老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • P和Al注入的4H-SiC外延层的激光退火

    摘要： 本研究描述了一种利用30纳秒脉宽的XeCl（308纳米）多脉冲激光实现离子注入诱导晶体损伤修复的新方法。实验以单磷（P）及磷铝双元素（P+Al）注入的4H-SiC外延层为对象，通过显微拉曼光谱、光致发光（PL）和透射电镜（TEM）进行表征，并与1650-1700-1750°C热退火30分钟的磷注入样品进行对比。结果表明：在0.50-0.60 J/cm2能量密度范围内，激光退火可实现完全晶体修复；相较于存在高浓度点缺陷和扩展缺陷的热退火样品，激光处理后的晶格几乎无应力残留；该工艺能显著降低注入区碳空位（VC）浓度并避免带间复合中心形成。除测试腔室氧气渗漏导致的轻微表面氧化外，注入区结构基本保持完整。实验证实该激光退火工艺对损伤修复及注入区掺杂激活具有可行性。

    关键词： 离子注入、磷、点缺陷、激光退火、光致发光、铝、透射电子显微镜（TEM）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、碳化硅（SiC）、拉曼光谱

    更新于2025-09-19 17:13:59