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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • 为SOI像素探测器开发新型高速读出系统

    摘要： 我们正在为绝缘体上硅（SOI）像素探测器开发新型高速读出系统。该SOI探测器是基于0.2微米FD-SOI CMOS工艺的单片辐射成像探测器。此前我们采用Xilinx Virtex-4/5 FPGA读出板为该探测器服务，并为此开发了诸多功能模块。但由于Virtex-4/5 FPGA现已停产，且无法满足当前需要大面阵像素实现超过1kHz高速成像的实验需求，我们开始基于Xilinx Kintex-7 FPGA评估板KC705研发新型高速读出系统。新系统在此评估板上实现了与旧环境向后兼容的数据采集架构，并针对显微CT等实际应用开发了多项功能。该系统在连续数据采集模式下可实现42.6万像素探测器95.3帧/秒的传输速度，在最高速模式下可达762.5帧/秒。本文详细介绍了这套新型读出系统。

    关键词： X射线成像、绝缘体上硅（SOI）、现场可编程门阵列（FPGA）、数据采集（DAQ）、像素探测器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2019年IEEE第二届知识创新与发明国际会议（ICKII）- 韩国首尔（2019年7月12日-15日）] 2019年IEEE第二届知识创新与发明国际会议（ICKII）- 具有高斯掺杂分布的纳米级超薄体超薄盒SOI MOSFET的物理阈值电压模型

    摘要： 针对具有垂直高斯掺杂的纳米级超薄体超薄盒SOI MOSFETs，开展了关于虚拟阴极的深入研究?；诙此煞匠探馕鼋庥胂拍７治觯频汲鑫锢斫糁滦豌兄档缪鼓Ｐ?。通过Synopsys公司Sentaurus技术计算机辅助设计（TCAD）的二维数值器件仿真验证了该模型的准确性。应用新开发的模型，全面研究了阈值电压对沟道长度、硅膜厚度、埋氧层厚度及沟道掺杂浓度的敏感性，获得了良好的一致性。模型预测表明：采用非均匀掺杂分布的单个UTBB-SOI MOSFET在10纳米尺度下具有可行性。本研究兼具理论价值与实践意义，为推动基于新型UTBB-SOI器件的理论建模研究和应用提供了助力。

    关键词： UTBB-SOI MOSFET，解析模型，高斯掺杂，虚拟阴极

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过仿真研究横向宽度变化的LDMOS器件导通态行为

    摘要： 本文主要围绕横向变宽（VLW）LDMOS器件的导通特性展开研究。通过三维数值分析探究了该器件的比导通电阻，仿真结果与结合器件尺寸的解析计算结果高度吻合，为未来器件设计提供了理论依据。随后采用三维热电耦合仿真对比了氧化硅（SOI）衬底与碳化硅（SiC）衬底VLW结构的自热效应。电学特性和温度分布表明：采用SiC衬底能有效缓解自热损耗，减轻自热效应并提升器件可靠性。

    关键词： 自加热效应、比导通电阻、绝缘体上硅（SOI）、横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（LDMOS）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 三栅极硅纳米线场效应晶体管的电导调节灵敏度

    摘要： 采用电流瞬态直接测量法研究了SOI三栅硅纳米线的单粒子瞬态(SET)响应。通过两个步骤将收集电荷分布与模拟结果进行对比：一是使用详细的电荷产生描述进行沉积能量的蒙特卡罗模拟，二是进行收集电荷的TCAD模拟，获得了与实验数据良好的一致性。因此，现有模拟工具经过少量优化后即可用于此类集成器件的模拟。对SET的分析表明，收集到的电荷值既低于根据线性能量转移(LET)估算的电荷，也低于纳米线中实际产生的电荷，揭示了纳米线器件对高LET离子的有限敏感性。

    关键词： 纳米线、单粒子效应瞬态（SEE）、单粒子瞬态（Single - Event Transient）、超薄绝缘体上硅（Ultra - Thin SOI）、粒子 - 物质相互作用、单粒子效应（Single - Event Effect）、Geant4、鳍式场效应晶体管（FinFET）、技术计算机辅助设计（TCAD）、多栅极、模拟、单粒子瞬态（SET）、实验

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 基于基板集成波导缝隙阵列天线的准无衍射波束产生与调控

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该模型通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 面向数据中心内部应用的超高速2:1数字选择器与行波等离子体调制器IM/DD发射机（工作速率222 GBaud）

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得以证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 美国内华达州拉斯维加斯(2020.1.6-2020.1.8)] 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 基于连续子空间学习的DFB激光芯片缺陷检测

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方法通过计算表面势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该建模方法在大规模和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于先进MOS器件和IC中TID与老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID与老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019年欧洲SOI研讨会与国际硅终极集成会议联合会议（法国格勒诺布尔，2019年4月1日-4月3日）] 2019年欧洲SOI研讨会与国际硅终极集成会议联合会议 - 不同偏置条件下薄硅沟道背增强（BE）SOI pMOSFET光电探测器

    摘要： 本文研究了新型背增强（BE）SOI MOSFET的光敏特性。该器件具有可重构工作模式（根据背栅偏压既能像p型又能像n型晶体管工作），且制造工艺极其简单——无需任何刻意掺杂步骤并采用平面结构。研究对比了两种检测光线的不同偏置条件以实现更高的漏极电流差值（灵敏度）：第一种基于光生载流子带来的更优导电性，另一种则依靠阈值电压变化。通过实验分析比较了不同偏置条件下的结果。

    关键词： 可重构器件，BE SOI pMOSFET，光传感器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 构建城郊量子网络链路

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于模拟先进MOS器件与IC中的TID和老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外线照射：一种制造纳米线太阳能电池的新颖加工方法

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于先进MOS器件与IC中TID和老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59