研究目的
通过直接测量电流瞬态并对比模拟结果，研究SOI三栅硅纳米线的SET响应，以评估其对高LET离子的灵敏度。
研究成果
研究表明，SOI三栅纳米线对高LET离子的灵敏度有限，其电荷收集机制能从本质上抑制产生的单粒子瞬态（SET）。测量结果与模拟结果高度吻合，表明现有模拟工具经过微小优化后即可用于此类器件的仿真。
研究不足
实验装置的带宽可能会限制对真实瞬态持续时间的测量。模拟可能无法完全捕捉纳米线中的所有电荷收集机制。
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三栅极硅纳米线场效应晶体管的电导调节灵敏度
DOI：10.1109/TNS.2018.2879194
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
采用电流瞬态直接测量法研究了SOI三栅硅纳米线的单粒子瞬态(SET)响应。通过两个步骤将收集电荷分布与模拟结果进行对比：一是使用详细的电荷产生描述进行沉积能量的蒙特卡罗模拟，二是进行收集电荷的TCAD模拟，获得了与实验数据良好的一致性。因此，现有模拟工具经过少量优化后即可用于此类集成器件的模拟。对SET的分析表明，收集到的电荷值既低于根据线性能量转移(LET)估算的电荷，也低于纳米线中实际产生的电荷，揭示了纳米线器件对高LET离子的有限敏感性。
关键词：
纳米线
单粒子效应瞬态（SEE）
单粒子瞬态（Single - Event Transient）
超薄绝缘体上硅（Ultra - Thin SOI）
粒子 - 物质相互作用
单粒子效应（Single - Event Effect）
Geant4
鳍式场效应晶体管（FinFET）
技术计算机辅助设计（TCAD）
多栅极
模拟
单粒子瞬态（SET）
实验
作者：
Mélanie Raine，Marc Gaillardin，Martial Martinez，Olivier Duhamel，Jonathan Riffaud，Thierry Lagutere，Claude Marcandella，Philippe Paillet，Nicolas Richard，Maud Vinet，Fran?ois Andrieu，Sylvain Barraud
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