AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于p型c-Si PERL太阳能电池背面钝化与接触的内联沉积PassDop层（具有高双面性）

摘要： 我们研究了氧化铝（Al2O3）和掺硼氮化硅（SiNX:B）叠层在p型硅太阳能电池背面钝化及局部掺杂中的应用，旨在实现双面钝化发射极与背面局部扩散（biPERL）太阳能电池。通过激光掺杂形成局部p+掺杂背面场区域，并采用市售丝网印刷烧结银铝（AgAl）或银（Ag）接触实现电学连接。该方法称为"pPassDop"。激光掺杂可产生方阻低至15 Ω/□、表面掺杂浓度高达6×1019 cm-3的高浓度掺杂硅。测得丝网印刷烧结AgAl和Ag接触的比接触电阻分别约为1 mΩ·cm2和5 mΩ·cm2。此外，还研究了pPassDop叠层中各独立层对掺杂特性的影响。为区分铝和硼掺杂的影响，首先研究了SiNX:B盖层下方Al2O3层厚度（0 nm、4 nm、6 nm）的作用；其次在6 nm厚Al2O3层上施加常规未掺杂SiNX盖层。通过测量掺杂分布和接触电阻率来研究各掺杂剂的作用。