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oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
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  • 多电荷离子辐照对聚碳酸酯表面的影响

    摘要： 用动能介于375电子伏至1千电子伏之间的氩和氧多电荷离子辐照聚碳酸酯靶材。辐照后的扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）分析显示聚碳酸酯表面存在键断裂迹象。离子诱导损伤程度表明，与通量相近的单电荷离子相比，离子电荷态导致的损伤显著增强。通过将多电荷离子效应与离子-表面间初始电子转移的简单俘获半径描述进行定性对比，可理解该现象成因。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、聚碳酸酯、多电荷离子

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 微波等离子体化学气相沉积法在金刚石衬底上生长金刚石的多变量研究

    摘要： 氢气（H2）混合气体中的基底温度与甲烷浓度是提升合成钻石生长速率、成核密度及晶粒尺寸的主要因素，但该方法会降低品质。虽然提高腔室压力可改善品质，却会导致晶体生长速率下降。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在氢气（H2）与甲烷（CH4）混合气体中沉积了薄层钻石薄膜，研究了甲烷浓度（1-5%）、生长温度及压力对钻石基底上钻石薄膜成核的影响。生长温度与压力分别维持在925-950℃和72-75托范围内，在钻石基底上制备的单晶钻石（SCD）薄膜对钻石探测器应用具有重要价值。通过优化工艺，在厚度分别为209.17微米（1%甲烷）、401.73微米（2%甲烷）和995.03微米（5%甲烷）的钻石基底上获得了不同尺寸的薄膜。经测试，当甲烷浓度为5%且基底温度优化至950℃时，薄膜粗糙度为5.02微米/小时，生长速率为4.23纳米/分钟。运用多种表征技术分析了沉积钻石薄膜的结构、形貌及成分特性，证实了钻石基底上所形成钻石薄膜的晶体有序性。

    关键词： MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）、XRD（X射线衍射）、金刚石薄膜、XPS（X射线光电子能谱）、拉曼光谱、AFM（原子力显微镜）、SEM（扫描电子显微镜）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 剥离的MoS<sub>2</sub>纳米片的电子结构和磁行为

    摘要： 研究了从原始六方晶体（2H-MoS2）机械剥离得到的层状二硫化钼（MoS2）纳米片的电子结构与磁行为之间的关联。拉曼光谱显示A1g和E12g两个拉曼峰之间的能量差（ΔE）约为20.2 cm-1，表明通过机械剥离原始2H-MoS2获得了单/双层MoS2纳米片。X射线衍射图谱中（002）反射峰的缺失证实了少层及单/双层MoS2纳米片的形成。单/双层MoS2纳米片的Mo LII边和S K边X射线吸收近边结构光谱显示不同峰的分裂导致其能带结构发生显著变化。磁M-H回线测量清晰地表明，由于缺陷（"S"空位或晶界区域的缺陷）的存在以及态密度（DOS）的增加，从原始MoS2到单/双层MoS2的室温铁磁性增强。UPS（He-I）测量显示价带顶位置从原始MoS2的1.11 eV升高到单/双层MoS2纳米片的1.57 eV，而表面功函数（Ф）从原始MoS2的4.85 eV降低到单/双层MoS2纳米片的4.47 eV。UPS（He-II）显示费米能级（Ef）附近S 3p衍生态的价带态密度（DOS）。随着剥离MoS2层数的减少，Mo 3d和S 2p XPS核心能级峰向更高能量移动。随着层数的减少，单/双层MoS2纳米片的价带光谱以及VB-PES光谱显示出随厚度减小而增强的态密度。

    关键词： UPS（紫外光电子能谱）、VB-PES（价带光电子能谱）、XANES（X射线近边吸收精细结构）、剥离的MoS?纳米片、XPS（X射线光电子能谱）、RT-FM（室温铁磁共振）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 热解石墨中杂质引起的差分充电效应

    摘要： 本工作报道了热解石墨样品中的差异充电效应。尽管差异充电效应在XPS分析中被视为干扰因素，但可利用其识别和量化非均质材料中的化学物种。本案中，该效应有助于鉴别热解石墨表面的杂质。通过分析O 1s、Si 2p和Al 2p芯能级，这些杂质中二氧化硅与氧化铝的信号得以与硅氧/铝硅酸盐氧化物区分。虽然这两类化合物均为绝缘体，但当样品置于导电金属样品架上时，使用光谱仪的泛光枪装置仍引发了上述峰位分裂?；诜至逊宥杂Φ幕镏中翁跋喽耘ǘ龋芯空叨蕴沾裳芳苌霞锹嫉腛 1s、Si 2p和Al 2p峰进行了分解。后者能诱导样品产生精确可控的差异充电，从而识别出真实的化学位移（即元素化学环境变化导致的位移）。研究提出了描述观测充电效应的定性模型，该模型基于电路原理与石墨颗粒间嵌杂颗粒几何构型的类比。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、无机杂质、O 1s（氧1s轨道）、热解石墨、泛射枪、差分充电

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 光刻胶钝化对InGaZnO薄膜晶体管影响的X射线光电子能谱分析

    摘要： 采用EOC光刻胶（PR）钝化的底栅型InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管（TFT）被成功制备。与未钝化器件相比（迁移率6.71 cm2V?1s?1、迟滞电压2.42 V且偏置应力稳定性较差），PR钝化后的IGZO TFT展现出更优异的电学特性：迁移率提升至8.85 cm2V?1s?1，迟滞电压降至0.06 V，在正栅极偏压应力（PBS）下具有更可靠的稳定性（阈值电压漂移△Vth=0.36 V）。通过系统性的X射线光电子能谱（XPS）分析了PR钝化对IGZO-TFT性能的影响。O 1s核心能级的XPS谱图结果表明，PR钝化有效抑制了IGZO表面的吸附/解吸效应，减少了不稳定态数量并提高了电学稳定性。此外，XPS深度剖析实验显示钝化后薄膜表面元素比例发生变化，IGZO表面呈现富铟特性从而增强了迁移率。该低温（100℃）工艺制备的PR钝化层兼具优良介电品质和出色的水氧阻隔能力，有望成为未来高迁移率、高稳定性柔性TFT的理想选择。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、InGaZnO（铟镓锌氧化物）、光刻胶、薄膜晶体管、吸附/脱附

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于环金属化钌配合物的超薄分子层结

    摘要： 通过重氮盐电还原法设计了一种可固定于表面的环金属化钌配合物。已获得修饰表面并通过X射线光电子能谱(XPS)、电化学及原子力显微镜(AFM)进行了全面表征。展示了采用直接顶涂蒸发法构建的Ru(bpy)2(ppy)寡聚物分子结。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、重氮盐电还原、分子结、原子力显微镜（AFM）、环金属化钌配合物、电化学

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • Cu?O(100)和(111)表面的氧化还原性质

    摘要： 当前研究重点聚焦于基于铜（Cu）和氧化亚铜（Cu2O）的催化剂，因其被视为贵金属催化剂的潜在替代品。然而这类材料的应用受失活问题制约——例如易被完全氧化为CuO。尽管氧化还原过程对Cu2O催化剂至关重要，但其失活机理的分子层面认知仍属空白。本研究通过同步辐射X射线光电子能谱（XPS）与扫描隧道显微镜（STM），探究了(100)与(111)晶面取向的规整Cu2O体相单晶初始氧化阶段。在25℃、1毫巴氧气环境下，(100)表面会形成1.0单原子层（ML）的CuO表面氧化物，并附着反应气体中微量水分生成的0.7 ML羟基。相比之下，(111)表面在同等温和条件下既未发生羟基化也未出现氧化现象。Cu2O(111)表面初始形成CuO需在1毫巴氧气中经约400℃退火处理，这凸显了两种晶面反应活性的显著差异。在超高真空条件下将(100)表面加热至约225℃时，羟基以0.46 ML的速率减少，其变化趋势与检测到的CuO覆盖度增加（0.45 ML）速率相当，表明存在反应路径：2吸附羟基 + 固态Cu2O → 气态H2O + 2固态CuO。STM分析将表面化学变化与形貌特征相关联，证实了表面羟基化及CuO的形成过程，并显示反应条件下活性物种具有高度迁移性导致的显著形貌改变。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、表面氧化、氧化还原性质、羟基化、扫描隧道显微镜（STM）、氧化亚铜（Cu2O）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 氧空位对磁控溅射沉积制备的二氧化铈薄膜结构、光学及光催化性能的影响

    摘要： 氧化铈对固有氧化还原反应至关重要，这归因于邻近氧空位的活性位点。然而，氧空位（Ov）对二氧化铈薄膜各种性能的影响仍有待阐明。本文采用磁控溅射法沉积二氧化铈薄膜，并系统研究了电流强度对氧空位生成的影响。X射线光电子能谱（XPS）结果表明，随着电流强度的增加，Ce??浓度降低，这表明通过控制电流强度可以在薄膜沉积过程中产生并调控氧空位。采用6A电流强度制备的薄膜含有42%的Ce??，接近菱面体相Ce?O??（一种稳定的块体相二氧化铈）的含量。X射线衍射图谱显示，6A电流制备的薄膜呈现混合晶相，且大部分衍射峰与菱面体相Ce?O??非常接近；而1A、2A和4A电流制备的二氧化铈薄膜则呈现单一晶相。拉曼分析表明，二氧物种大量吸附在6A电流薄膜表面，且不同晶面存在更多活性位点，这一结论通过亚甲基蓝的光催化降解实验得到验证。密度泛函理论（DFT）+U计算得到的带隙值与Tauc曲线法获得的结果一致。本研究表明氧空位对二氧化铈薄膜的性能具有重要影响。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、拉曼光谱、氧空位、磁控溅射、氧化铈

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 利用X射线光电子能谱对清洁SrTiO?(100)衬底进行表面表征

    摘要： 作者通过分析SrTiO3(100)（STO）衬底的X射线光电子能谱，阐明了溅射-退火工艺诱导的电子结构特征。研究测量了原始STO、经溅射和退火处理STO的广谱、价带谱以及相关核心能级谱（包括Sr 3s、Sr 3p、Sr 3d、Sr 4s、Sr 4p、Ti 2p、Ti 3s、Ti 3p、O 1s、O 2s及其伴峰结构）。谱图对比显示，溅射退火后STO的Ti 2p谱中出现新特征峰，对应Ti3+态和费米能级附近的间隙态。Ti3+态的存在表明，氩离子溅射结合真空退火在STO表面形成了二维电子系统。此外，与原始衬底相比，溅射退火表面仅存在轻微碳污染。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、过渡金属氧化物、溅射、二维电子气、钛酸锶、芯能级、单晶

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于智能窗应用的电致变色氧化镍薄膜

    摘要： 本研究中，采用电沉积技术制备了氧化镍薄膜。通过在氧化铟锡（ITO）基底上对两组不同电位限值进行循环，制得了NiO薄膜。使用较窄电位限值的电沉积技术称为沉积工艺1，而使用较宽电位限值的技术称为沉积工艺2。随后，评估了这两种沉积工艺制备的薄膜作为电致变色材料的性能。结果表明，沉积工艺1和2获得的着色效率（CE）值分别为49 cm2·C?1和10 cm2·C?1。由于第一种沉积工艺制备的薄膜表现出更优的电致变色能力，还计算了该薄膜的开关时间。该NiO薄膜的着色和漂白开关时间分别为5.7秒和7.4秒。沉积工艺1制备的薄膜具有更优的电致变色效果，可能归因于其较小的电位沉积窗口——与采用第二种电沉积技术制备的另一NiO薄膜相比，该工艺产生了更薄的薄膜且薄膜表面无硫酸根离子残留。通过SEM-EDX、拉曼光谱和XPS对薄膜进行了表征。研究发现漂白态的再生受到阻碍，这可能是由于显色态还原过程中涉及的导电通路被阻塞所致。拉曼光谱检测显示还原事件后同时存在Ni(OH)?和NiOOH。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、氧化镍、电致变色、电沉积、拉曼光谱、着色态、漂白态

    更新于2025-09-23 15:21:01