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基于n型InGaAs的金属-氧化物-半导体栅堆叠中电容-电压弱反型"驼峰"现象物理机制的确定
摘要： 基于n型InGaAs的金属氧化物半导体（MOS）结构中广泛存在弱反型区电容-电压（C-V）"驼峰"现象。该现象的产生机制尚存争议。C-V驼峰可解释为界面态与半导体能带中的一个或两个相互作用所致。每种假说机制都对C-V驼峰给出不同诠释。通过构建相关等效电路模拟这些机制，计算了MOS结构的电容与电导特性并与实验结果对比，最终确定了导致C-V驼峰的机制。
关键词： 界面态、等效电路、n型铟镓砷、金属氧化物半导体、电容-电压驼峰
更新于2025-11-14 17:28:48
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金属栅极/高k介质/n-InGaAs金属氧化物半导体堆叠在积累区中C-V迟滞与电容频率色散之间缺乏相关性
摘要： 实验评估了金属栅/高k介质/n-InGaAs金属氧化物半导体堆叠中电容-电压迟滞与积累区电容频率色散的关联性。通过采用退火形成气体(FGA)处理或衬底空气暴露工艺制备获得不同缺陷密度的样品并进行全面表征，将结果与既有文献报道进行对比分析。研究表明：电容-电压迟滞现象与积累区电容频率色散之间不存在关联，表明这两种现象涉及具有显著不同动力学特性的缺陷类型。通过分析电容-电压迟滞对直流偏压和应力时间的依赖关系发现，在偏压作用下永久性界面缺陷脱钝化不会影响应力后的迟滞宽度。总体而言，电容-电压迟滞探测的是贯穿氧化层和带隙的慢速俘获机制，这与FGA样品在恒定电压应力下电流-时间曲线呈现的负电荷俘获特性相符；而积累区电容频率色散则反映具有短俘获/去俘获特征时间的缺陷，这些缺陷与空气暴露样品在恒定直流应力下的应力诱导漏电流相关。实验结果表明，由于所探测缺陷的动力学特性存在巨大差异，必须分别评估这两种效应。
关键词： 金属氧化物半导体堆叠、成形气体退火、缺陷、金属栅/高k电介质/n型铟镓砷、陷阱机制、电容-电压迟滞效应、积累区电容频率色散
更新于2025-09-04 15:30:14