射频和直流溅射Sb2Te3薄膜的压力效应及其在太阳能电池中的应用

摘要： 本研究开发了Sb2Te3薄膜的合成与表征技术，通过射频和直流溅射法在不同沉积气压（5-15毫托）下制备薄膜。采用X射线衍射、能量色散光谱（EDS）、扫描电子显微镜（SEM）和电阻率测量对Sb2Te3薄膜进行表征。作为碲化镉基太阳能电池的接触层部分，进行了电流-电压（I-V）和外量子效率（EQE）测试。结果表明：射频溅射的Sb2Te3呈多晶态，主要具有菱方晶系结构；直流溅射薄膜则主要为单斜晶系结构。两组样品电阻率均约为10^-4欧姆·厘米。在碲化镉基太阳能电池中，将Sb2Te3作为背面接触膜使用时，在生长室10毫托气压条件下可使电池效率提升至8.01%，显著高于未添加Sb2Te3层的对照组电池（效率4.82%）。