- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
[2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 日本京都 (2018.11.19-2018.11.21)] 2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 刚玉结构p型氧化铱薄膜研究及氧化铱/氧化镓异质结能带排列
摘要： 具有p型导电性的刚玉结构氧化铱，是形成高质量氧化镓pn异质结的有力候选材料。我们成功在蓝宝石衬底上制备了刚玉结构氧化铱薄膜。光学透过率测量显示该氧化铱的光学带隙约为3.0电子伏特。此外，通过X射线光电子能谱研究了氧化铱/氧化镓界面的能带排列，发现其呈现价带偏移3.3电子伏特、导带偏移1.0电子伏特的交错能隙（II型）结构。
关键词： p型氧化物半导体，带对齐，氧化镓
更新于2025-09-23 15:22:29
-
通过激光退火和喷墨打印实现溶液法制备的氧化物互补反相器
摘要： 金属氧化物半导体（MOS）已成为下一代光电器件应用的理想候选材料。然而，高加工温度和复杂工艺仍是开发溶液法互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器面临的巨大挑战。本文首次采用飞秒（fs）激光实现对溶液法CMOS反相器的可控退火。非化学计量比p型氧化物薄膜的实现归因于激光退火（LA）过程中前驱体通过光辅助转化形成金属氧化物（M-O）晶格，同时载流子激发与弛豫导致氧化物晶格中原子空位的形成。采用喷墨打?。↖JP）与LA工艺制备的p型和n型M-O薄膜晶体管（TFT）场效应迁移率分别为0.91和7.07 cm2/V·s。此外，通过利用位置控制能力分别对喷墨打印沉积的p型和n型氧化物进行退火以制备TFT，显著简化了反相器制备工艺。最终获得了具有高噪声容限和超过10的中等电压增益的CMOS反相器。本研究显著提升了选择性调控辐照材料功能与特性的能力。结果表明，采用本策略可实现全氧化物逻辑门的大面积集成，展现出氧化物电子学中CMOS集成电路的优异特性与应用前景。
关键词： p型氧化物半导体，喷墨打?。↖JP），互补反相器，飞秒（fs）激光退火（LA），薄膜晶体管（TFTs）
更新于2025-09-12 10:27:22