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脉冲激光沉积法制备的外延氧化铁薄膜的结构与光学特性
摘要： 由于与能量转换和存储系统相关的潜在应用，铁氧化物得到了深入研究。本文采用脉冲激光沉积法，在不同氧分压和温度下制备了铁氧化物薄膜，并研究了其晶体结构和光学性质。X射线衍射测量证实，铁氧化物薄膜外延生长在Al2O3(0001)衬底上。随着生长温度从450K升高到800K，薄膜呈现出更优异的赤铁矿相（α-Fe2O3）晶体结构。当压力降至0.5mTorr时，形成了磁铁矿相（Fe3O4）。我们发现，铁氧化物的光学带隙主要源自O 2p到Fe 3d的跃迁，该带隙可在2.18eV至2.42eV范围内调控，适用于能量转换系统。
关键词： 吸收、功能器件、脉冲激光沉积、三氧化二铁、薄膜
更新于2025-09-23 15:21:01
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外磁场对脉冲激光沉积制备类金刚石碳膜微观结构的影响
摘要： 该DLC薄膜是在外加磁场中通过脉冲激光沉积法制备的，研究人员对其光学特性、表面形貌及原子键合情况进行了研究。碳离子在磁场中的模拟飞行轨迹显示，大量碳离子受洛伦兹力约束，溅射到基底上形成DLC薄膜。对比有无外加磁场条件下制备的DLC薄膜微观结构发现，外磁场改变了激光等离子体的膨胀形态，并限制了带电粒子在基底表面的扩散，从而提高了薄膜中sp3键的含量。
关键词： 脉冲激光沉积，类金刚石碳膜，外磁场，光学性能，原子键
更新于2025-09-23 15:19:57
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通过磷旋涂掺杂剂和脉冲激光熔融实现锗的N型掺杂
摘要： 基于旋涂掺杂源和脉冲激光熔融的锗N型掺杂技术，被提出作为离子注入或分子束外延等复杂昂贵工艺的替代方案。通过研究不同激光能量密度和脉冲次数的影响，采用脉宽22纳秒的KrF激光器对n+/p结进行了优化。通过二次离子质谱和范德堡-霍尔测量确定了扩散分布、方块电阻、载流子浓度及迁移率。通过合理选择激光能量密度范围和脉冲次数，实现了高激活水平（>10^19 cm^-3）、良好迁移率（350-450 cm2/V·s）及低方块电阻（<50 Ω/□）。此外，高分辨率X射线衍射测量证实了样品具有良好的晶体质量，证明了这种低成本制造工艺适用于下一代锗基器件。
关键词： 锗、旋涂掺杂剂、磷掺杂、半导体、脉冲激光熔融
更新于2025-09-19 17:13:59
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采用多脉冲纳秒激光退火实现超高剂量磷注入硅的再结晶与激活
摘要： 研究了高磷掺杂硅源/漏极，通过降低其电阻并向沟道施加应变来提升N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的性能。为寻找激活源/漏极中磷元素的有效高温退火方法，我们对高磷掺杂硅施加单脉冲与多脉冲纳秒激光退火处理，并分析了激光退火前后高磷掺杂硅的微观结构、应变及电学特性。结果表明：采用600 mJ cm?2能量密度的10脉冲退火时，再结晶硅区域与射程末端缺陷均减少，同时实现了磷元素激活率的显著提升。
关键词： 纳秒激光退火、应变工程、激活、磷掺杂硅、再结晶
更新于2025-09-16 10:30:52