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  LiNbO?强度调制器

  法国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：iXblue Photonics

  电光带宽: 100-400 工作波长范围: 1530-1580 插入损耗: 3.5-4.5 直流消光比: 20-30 光学回损: -40--45

  MX-LN系列是基于铌酸锂（LiNbO3）的强度调制器，专为数据速率高达56Gb/s的光通信设计。其马赫-曾德尔调制器的X切设计赋予了其在各种操作条件下的无与伦比的稳定性，以及零啁啾性能。Exail专有的波导设计提供了低插入损耗和高对比度。MX-LN系列非常适合使用NRZ、RZ、DPSK、Duo Binary调制格式进行少量kb/s到56Gb/s的光传输，并且是各种高带宽应用的关键设备。

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  过零检测Triac光电耦合器

  中国台湾

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 正向峰值电流: 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 关断状态输出端电压: 400V

  ELM304X、ELM306X和ELM308X系列是由砷化镓红外发光二极管与单片硅检测器光学耦合而成的光电耦合器，具有零电压交叉双向可控硅驱动功能。它们设计用于逻辑系统与由110至240VAC线路供电的设备接口，例如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和家用电器等。

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  随机相位Triac光电耦合器

  中国台湾

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 反向电压: 6V 功耗: 100mW 关断状态输出端电压(ELM302X): 400V 关断状态输出端电压(ELM302X): 600V

  ELM302X和ELM305X系列是光隔离的双向晶闸管驱动器。这些器件包含一个GaAs红外发光二极管和一个光激活的硅双向开关，功能类似于双向晶闸管。它们设计用于电子控制和功率双向晶闸管之间的接口，以控制电阻性和感应负载，适用于115至240VAC操作。

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  BBO Pockles Cell

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：晶众光电

  孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态，当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比，因此，较小的孔径，较低的四分之一波电压，此外，具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-

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  DKDP Pockles Cell

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：晶众光电

  孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容?。ㄔ?-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

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  HVR系统

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  输出电压: 0-6000 V或0-7500 V（视型号而定） 输出脉冲宽度: 100 ns-5.0 μs（由触发脉冲宽度决定） 输出上升/下降时间: 10-15 ns（视输出电压和负载而定） 负载电容: 名义10 pF，单位已在100 pF负载下测试，升降时间<50 ns 触发输入: 5 V，50 ohm输入阻抗，100 ns-5.0 μs脉冲宽度

  HVR-System是一个集成的交钥匙系统，包含高压开关、控制电路和电源，只需AC电源和触发信号即可操作。

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  HVR-Drive

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  输出上升时间: 10 ns–20 ns 输出波形: Differential +/- pulses 输出脉冲宽度: 100 ns–5.0 μs 功率输入: 21-28 VDC @ 300 mA 触发输入: On/Off 5 V nominal TTL

  HVR-Drive是一款紧凑型OEM Pockels电池驱动器，适用于再生放大器和其他脉冲选择应用。该设备能够以高达7.5 kV和200 kHz的频率驱动BBO，产生快速上升和下降边缘的脉冲。

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  QX1014A

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 8mm 内在对比度比率: >1200:1 @ 633 nm 电压对比度比率: >450:1 @ 633 nm 光学透过率: >98% @ coating wavelength 直流半波电压: ≤3.8kV @ 633 nm

  行业标准QX系列Pockels电池产品线中的最新型号，QX1014A采用短光程组件，以减少高峰值功率应用中的非线性自聚焦和飞秒应用中的时间脉冲展宽。

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  QDP-DT双脉冲OEM

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  QDP-DT DOUBLE PULSE OEM能够满足市场对高精度和高效率的需求，无论是在工业测量、医疗成像还是科研实验中，该产品都展现了其独特的优势

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  ODP-5 O双脉冲OEM

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  温度: °C

  该光电产品具备多项先进特性，适用于多个应用领域，提供可靠的性能和高效的解决方案。

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  电池驱动器

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  输出脉冲参数: 150(nom)ns 衰减时间常数: 5(nom)μs 脉冲电压: 1.5-4.5kV 负载电容: 30pF 24VDC功率要求: 180mA

  G&H Q-Drive OEM是一款高性能的Pockels电池驱动器，适用于Q开关激光系统，具有成本效益。

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  Q-DRIVE台式机

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  输出脉冲参数: 150(nom)ns 衰减时间常数: 5(nom)ns 脉冲电压: 1.5-4.5kV 负载电容: 30pF 电源要求: 180mA

  Q-Drive Benchtop是专为KD*P Pockels单元在Q开关激光器中的应用而设计的实验室驱动器，适用于产品开发、教学和研究实验室。

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  LVR驱动

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  输出脉冲参数: 脉冲重复频率: 0-200 kHz 脉冲电压: 0-2.5 kV 上升、下降时间: 6.0-9.5 ns 输入电压、当前: 24 VDC (±2 VDC), 200 mA 高压、电流: 2.5 kV out, ±625 VDC in, 200 kHz, 55 mA

  G&H LVR-Drive是一款紧凑型OEM Pockels电池驱动器，适用于固态激光系统中的再生放大器和其他脉冲选择应用。

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  IRX系列CdTe普克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 3 mm / 4 mm / 5 mm / 7 mm / 9 mm 单次插入损耗@1064nm: < 2.0% 内在对比率@1064nm: > 500:1 电压对比率@1064nm: > 500:1 单次失真@1064nm: < λ/4

  IRX Pockels Cell系列是G&H的优质产品，专为满足10.6μm波长的Q开关CO2激光市场而设计，具有高达100 kHz的重复频率和大于500:1的内在和电压对比度。

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  飞马系列 普克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 3mm/5mm/7mm/9mm 单次插入损耗@1064 nm: < 1.0% 内在对比率@1064 nm: >1000:1 电压对比率@1064 nm: >1000:1 单次波前失真@1064 nm: < λ/10

  PEGASUS系列Pockels电池是基于高质量锂铌酸盐(LiNbO3)晶体的高损伤阈值器件，适用于近红外到中红外应用，具有超过1MHz的快速开关速率。

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  TX系列 泡克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 19.5 mm/25.5 mm/33.5 mm/49.5 mm/73.5 mm/99.0 mm 单次插入损耗@1064 nm: <3.5%/<4%/<5%/<5%/<6.5%/<7% 内在对比率@1064 nm: 8000:1 电压对比率@1064 nm: 3000:1/2500:1/1500:1/500:1/300:1/100:1 单次波前失真@1064 nm: λ/20

  TX系列KD*P Pockels单元是目前市场上最先进的大孔径光学隔离器，经过验证在高功率应用中表现优异。

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  QX系列泡克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 9.25 mm / 12.3 mm / 15.1 mm / 19.5 mm 单次插入损耗@1064 nm: < 1.0% 固有对比度@1064 nm: > 5000:1 电压对比度@1064 nm: > 2500:1 单次波前失真@1064 nm: <λ/10

  QX系列设置了KD*P电光Q开关的标准，提供可靠和稳定的性能，适用于300至1100 nm的激光应用。

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  IMPACT系列KD*P普克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  孔径: 8mm/9.25mm/10mm/13mm 单次插入损耗@1064nm: <1.0% 内在对比率@1064nm: >4000:1 电压对比率@1064nm: >3500:1 单次失真@1064nm: <λ/10

  IMPACT系列KD*P Pockels电池是OEM应用的理想选择，采用最高纯度的99%去uterated KD*P材料，性能卓越。

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  CQX泡克耳斯盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 8 mm/9.25 mm/12.3 mm/15.5 mm/25 mm 单次插入损耗@1064 nm: <1.0% 固有对比度@1064 nm: >4000:1 电压对比度@1064 nm: >3500:1 单次波前失真@1064 nm: <λ/10

  Centaur CQX Pockels Cell是一款高性能激光调制器，适用于多种激光应用，具有高纯度KD*P材料和优越的稳定性。

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  凯龙泡克尔盒

  美国

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Gandh

  硬光圈直径: 2.6 mm/3.25 mm/4 mm/5.5 mm/7 mm 单次插入损耗@1064 nm: <1.5% 内在对比率@1064 nm: >1000:1 电压对比率@1064 nm: >1000:1 单次波前失真@1064 nm: <λ/6

  Chiron Pockels cell系列在高重复率和高平均功率应用方面树立了新的标杆。每个Chiron Pockels cell都采用Beta Barium Borate (BBO)材料，具有超过98%的UV到NIR波长范围的透过率，能够在高重复率下稳定运行。