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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • 利用对向靶直流溅射法制备的p型硅/本征硅/n型纳米晶FeSi?异质结的光伏特性与串联电阻

    摘要： 通过采用相对靶直流溅射法（压力为1.33×10?1 Pa）制备了p型硅/本征硅/n型纳米晶二硅化铁异质结，并研究了其光伏特性。该器件表现出较大的漏电流和较低的能量转换效率（0.62%）。运用Nicollian-Brews方法测得零偏压下的串联电阻值：2 MHz时为7.40 Ω，50 kHz时为7.57 Ω，与Norde方法估算结果一致。采用Hill-Coleman方法测得界面态密度：50 kHz时为3.15×101? cm?2 eV?1，2 MHz时为8.93×1013 cm?2 eV?1。结果表明结界面存在串联电阻和界面态密度，这可能是导致该异质结光伏性能劣化的潜在原因。

    关键词： 异质结、面对面直流磁控溅射、纳米晶二硅化铁、串联电阻、界面态密度

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 通过脉冲激光沉积形成的n型硅/B掺杂p型超纳米晶金刚石异质结的C–V–f、G–V–f和Z″–Z′特性

    摘要： 采用脉冲激光沉积法在550°C加热衬底温度下制备了n型硅/p型硼掺杂超纳米晶金刚石异质结光电二极管。根据电容-电压-频率(C-V-f)和电导-电压-频率(G-V-f)曲线，零偏压下的串联电阻(Rs)值在2MHz时为154.41Ω，在40kHz时为1.72kΩ。Rs应归因于金属接触中的Rs以及有源层中的体电阻。在40kHz时，界面态密度(Nss)为1.78×10^13 eV^-1 cm^-2，并随频率升高呈指数下降至2MHz时的1.39×10^12 eV^-1 cm^-2。评估认为异质结界面处的Nss是导致光探测性能退化的原因。在不同电压值下，实部(Z')和虚部(Z'')特性曲线的呈现显示出中心位于Z'轴下方的单半圆，且曲线幅度随电压增大而减小。Z''-Z'曲线的特性可识别为等效电路模型，合适的模型包含与电阻和恒定相位元件并联电路组合的Rs。

    关键词： UNCD（类金刚石碳薄膜）、界面态密度、串联电阻、脉冲激光沉积（PLD）、阻抗

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 前部透明导电氧化物对背结硅异质结太阳能电池性能的影响：来自模拟与实验的见解

    摘要： 本研究详细比较了氧化铟锡（ITO）、铝掺杂氧化锌（ZnO:Al）和氢化氧化铟（IO:H）在后结硅异质结（SHJ）太阳能电池光照侧的应用。其中ITO是该应用领域的先进材料，ZnO:Al因成本效益高成为有吸引力的替代品，而IO:H则是具有高迁移率和优异光学特性的透明导电氧化物（TCO）。通过数值模拟，我们确定了由相应TCO和非晶二氧化硅（a-SiO2）盖层组成的双层减反射涂层系统的光学最优厚度。通过二维电学模拟，我们对比了前结与后结器件，展示了串联电阻（Rs）随TCO方阻（Rsh）和器件有效寿命（τeff）的变化规律。研究表明存在一个与τeff相关的临界TCO Rsh值，超过该值后，后结器件在Rs方面将优于前结设计。我们对含相应层的太阳能电池进行了分析，证明采用双层减反射涂层时，更薄的优化TCO层能提升电池性能。结论指出：为实现最高效率的太阳能电池性能，如器件模拟所示，需要采用高迁移率TCO（如IO:H）。但后结太阳能电池设计允许使用导电性较低的TCO（例如经济型ZnO:Al），其性能与ITO相当，为大规模生产中的材料替代提供了可能。

    关键词： 透明导电氧化物，方块电阻，串联电阻，背结，硅异质结，减反射涂层

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • [IEEE 2018年第24届集成电路与系统热特性国际研讨会（THERMINIC） - 瑞典斯德哥尔摩（2018年9月26日-28日）] 2018年第24届集成电路与系统热特性国际研讨会（THERMINIC） - 基于多边界热瞬态测量的封装发光器件结构分析与建模

    摘要： 该论文提出了一种全面的高功率LED电、光、热领域建模方法，重点研究Cree公司的XPE2型LED。通过引入优化算法（OPT1和OPT2），从正向电压（VF）测量中提取串联电阻（RS）、理想因子（m）和饱和电流（I0）等参数?？⒘嗣枋龉馐涑龅姆涞缪梗╒rad）二次模型，并利用瞬态热测量得到的结构函数进行热建模。该方法能准确预测不同电流和温度条件下的LED性能，适用于热管理和设计优化领域。

    关键词： 理想因子、热管理、结构函数、LED建模、辐射通量、正向电压、饱和电流、串联电阻

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 焊接键降解的活化能：多上限温度下现场老化组件的热循环测试

    摘要： 太阳能电池金属化-互联系统中焊点的可靠性影响光伏组件的使用寿命。两个现场老化组件——一个焊点采用Sn62Pb36Ag2焊料（Solarex MSX 60），另一个采用标准Sn60Pb40焊料（Siemens M55）——接受了改进的IEC 61215热循环（TC）测试。每个组件的三个区域在15分钟高温保持时间内分别维持在85℃、95℃和105℃。当腔室温度超过25℃时，通过组件注入相当于短路电流的电流以模拟常规现场运行。这种新方法旨在诱导焊点产生热机械疲劳（TMF）及金属/焊料界面形成金属间化合物（IMC）。基于TC测试中串联电阻（Rs）的增加而非功率下降来计算焊点键合退化的活化能（Ea），以避免混杂变量的影响。MSX 60组件经过TC800次循环后?？榧禦s增加1.22%，M55组件经过TC400次循环后增加183.7%。含2wt%银焊料的组件活化能为0.24 eV，标准焊料组件为0.27 eV。两个组件的焊点键合退化似乎主要由TMF驱动而非IMC形成。

    关键词： 串联电阻、光伏组件、焊点退化、热循环、现场老化、活化能

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 光强调制光致发光技术用于钙钛矿太阳能电池串联电阻的快速测绘

    摘要： 小面积钙钛矿太阳能电池的冠军效率仅略逊于硅基电池。然而当放大至大面积组件时，其性能会因制备过程中引入缺陷而显著下降。钙钛矿太阳能电池的未来很大程度上取决于能否制造出高效大面积器件——这需要能快速可靠识别限制性能的损伤或缺陷的方法。本研究首次采用强度调制光致发光技术，以高空间分辨率绘制钙钛矿太阳能电池的串联电阻分布图。该技术可快速识别多种宏观缺陷并量化其对局部串联电阻的影响，在稳态条件下进行以避免钙钛矿薄膜瞬态行为的干扰。通过对整批钙钛矿太阳能电池进行表征，并采用成熟电学分析方法验证平均串联电阻值，证明了该方法的稳健性。本方法既可供其他研究团队用于器件优化，也可扩展至大面积应用以实现自动化工艺控制与验证。

    关键词： 光致发光、器件表征、钙钛矿太阳能电池、串联电阻

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于原子层沉积法生长的氧化锌基MIS结构电学特性分析

    摘要： 氧化锌薄膜通过原子层沉积（ALD）法生长于p型硅衬底上，用于制备金属-绝缘体-半导体（MIS）型肖特基势垒二极管（SBHS）。研究人员对编号为D1、D2和D3的三种二极管电学特性进行了测试，采用二次离子质谱（SIMS）和原子力显微镜（AFM）分析了表面特性与薄膜结构。在室温暗态条件下测量了Al/ZnO/p-Si结构的电流-电压（I-V）特性，并通过Norde函数、Cheung方法及热电子发射（TE）理论测算了这些结构的势垒高度（?b）、理想因子（n）和串联电阻（Rs）等电学参数。发现Cheung方法与I-V法计算的势垒高度值存在差异，基于I-V特性研究了界面态密度（Dit）。实测特性的非理想行为表明存在界面态影响。结果表明所制备二极管可用于近红外肖特基光电探测器应用。

    关键词： 氧化锌、串联电阻、理想因子、原子层沉积、肖特基光电探测器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Re/n型硅肖特基势垒二极管在室温下的电学特性与界面态密度分析

    摘要： 采用脉冲激光沉积(PLD)法制备的Re/n型硅肖特基势垒二极管在室温下的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)主要电学特性已进行了研究。通过不同计算方法从I-V和C-V测量中获得了正向饱和电流(Io)、理想因子(n)、势垒高度(Фbo)、整流比(RR)和串联电阻(RS)等基本电学参数值。在低电压(V ≤ 0.3 V)下，电导以热电子发射机制形成；而在高电压(V > 0.3 V)时，则呈现空间电荷限制导电机制。此外，通过考虑Re/n型硅肖特基势垒二极管有效势垒高度(Φb)的偏压依赖性，从I-V数据中获得了界面态密度(NSS)随能量分布(ESS-EV)的变化关系。

    关键词： 界面态、表面电势、整流比、电学参数、串联电阻

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 数值优化与复合效应对垂直隧道结（VTJ）砷化镓太阳能电池在高达万倍聚光条件下的影响

    摘要： 超高效聚光光伏系统（UHCPV，通常指聚光比超过1000倍）被视为研发新一代高效低成本聚光光伏系统的最具前景方向之一。然而当前聚光电池的结构因极高聚光比下不可避免的串联电阻损耗而阻碍了其发展。本研究采用先进TCAD技术，对作者团队新近提出的垂直隧穿结（VTJ）结构性能展开研究。我们重点优化影响其性能的关键参数，并深入探究主要复合机制及高达10000倍聚光比的影响。结果表明这两种因素对新结构性能影响甚微，在10000倍聚光比下测得创纪录的32.2%转换效率。这为单结电池实现30%以上的顶尖效率提供了可行路径，也为开发适用于超高聚光通量的竞争性聚光光伏系统开辟了新方向。

    关键词： 隧道二极管，聚光光伏，垂直太阳能电池，串联电阻，砷化镓（GaAs）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 子电池特性对两端钙钛矿-硅串联太阳能电池填充因子的影响

    摘要： 串联太阳能电池的性能取决于其组成子电池的性能。虽然这种依赖关系在开路电压（Voc）和短路电流方面理论上较为直接，但对于填充因子（FF）及由此产生的效率而言则是间接的。我们通过简单模拟研究，通过系统改变各子电池的串联电阻、并联电阻和局部缺陷，分析其对串联电池性能的影响。结果表明：串联电阻对单结器件的FF影响显著，但对串联器件影响微弱；而并联电阻（分流效应）则呈现相反规律。我们发现当局部缺陷出现在电流受限子电池中时，对串联器件的限制最为严格。因此串联器件的FF与其子电池FF之间不存在明显关联。最后我们比较了两种底电池设计方案，强调采用高Voc底电池对实现高效串联电池的重要性。

    关键词： 串联电阻、串联太阳能电池、并联电阻、钙钛矿-硅、局部缺陷、填充因子

    更新于2025-09-23 15:19:57