研究目的
研究基于原子层沉积法生长的氧化锌MIS结构在肖特基光电探测器应用中的电学特性。
研究成果
所制备的Al/ZnO/p-Si肖特基势垒二极管展现出良好的电学特性,适用于近红外肖特基光电探测器应用。其势垒高度和理想因子值在不同测量方法间具有一致性,界面态密度处于器件性能可接受范围内。
研究不足
该研究在室温黑暗条件下进行,限制了对二极管在不同光照条件和温度下性能的理解。通过不同方法获得的势垒高度值差异表明测量技术可能存在不准确性。
研究目的
研究基于原子层沉积法生长的氧化锌MIS结构在肖特基光电探测器应用中的电学特性。
研究成果
所制备的Al/ZnO/p-Si肖特基势垒二极管展现出良好的电学特性,适用于近红外肖特基光电探测器应用。其势垒高度和理想因子值在不同测量方法间具有一致性,界面态密度处于器件性能可接受范围内。
研究不足
该研究在室温黑暗条件下进行,限制了对二极管在不同光照条件和温度下性能的理解。通过不同方法获得的势垒高度值差异表明测量技术可能存在不准确性。
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