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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 适用于77K和4K光学数据应用的VCSEL激光器特性

    摘要： 小型垂直腔面发射激光器（VCSEL）在低温数据传输中兼具极低功耗与高可靠性优势。该技术适用于77K工作的焦平面阵列相机，以及4K超导电路数据提取场景?；?至6微米无氧化层小腔体VCSEL的理论分析表明（此类器件在室温下已能高效运行），通过计算77K和4K工况下的激光器响应，可推算出实现低温光链路所需调制速率的偏置条件。温度影响表现为：阈值电流随温度降低而减小，微分增益随温度降低而增大。这两个效应使得小腔体VCSEL只需极低偏置电流即可达到低温光数据链路所需的数据速率。研究还通过改变顶部镜面对数量来分析腔体设计对速率和比特能量的影响。本设计方案与性能预测为开发高效超小型VCSEL阵列（应用于光互连领域）奠定了基础。

    关键词： 垂直腔面发射激光器、低温学、半导体器件、激光物理、高速调制、光数据传输

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2018精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日至13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 悬浮硅芯片的电冷却与测温方法

    摘要： 我们通过隧道结和铝引线悬挂一块重掺杂导电硅芯片，从而实现对电热流和声子热流的测量与控制。关于热传导和电制冷的实验与分析采用了为电子泵和基准温度计开发的技术，而该制冷器所发展的技术也可能有助于基于量子相滑移器件的研发。

    关键词： 量子标准，温度测量，电冷却，低温学

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 面向量子计算集成电路的22纳米FDSOI CMOS技术低温特性研究

    摘要： 提出了一种实现大规模、"高温"高保真量子计算集成电路的方法，该方法基于与毫米波自旋操控及读出电路技术单片集成的单/多耦合量子点电子/空穴自旋量子比特。对最小尺寸的6nm×20nm×80nm硅沟道n型MOSFET（电子自旋量子比特）、硅锗沟道p型MOSFET（空穴自旋量子比特）以及双量子点互补量子比特的测量显示，在2K温度下亚阈值区存在强量子效应——这是量子点共振隧穿的特征。自旋读出用跨阻放大器（TIA）的S参数测量表明其性能从300K到2K得到提升。最终该量子比特-TIA电路具有50Ω输出阻抗、78dBΩ跨阻增益和70GHz单位增益带宽，功耗为3.1mW。

    关键词： 互补金属氧化物半导体、绝缘体上硅、量子信息处理、射频、单片集成电路、半导体量子点、硅、低温学

    更新于2025-09-10 09:29:36