- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 面向毫米波5G基站的宽带1dB噪声系数砷化镓低噪声放大器
摘要： 一款面向毫米波5G基站应用的宽带低噪声放大器（LNA）采用0.1微米InGaAs pHEMT工艺制造，其噪声系数（NF）低于1分贝。该器件采用共源拓扑结构配合电感源极退化技术，实现噪声与输入阻抗的同步匹配。测试结果表明：在1V供电电压、13mW功耗条件下，该LNA在24GHz频点获得7.9dB增益及5GHz带宽的-1dB平坦度；在21-27GHz频段内噪声系数始终低于1.5dB，其中26GHz处达到最低值0.7dB。
关键词： 毫米波、噪声系数、pHEMT、5G、低噪声放大器、砷化镓
更新于2025-09-23 15:22:29
-
[2018年IEEE第38届电子与纳米技术国际会议（ELNANO）- 基辅（2018.4.24-2018.4.26）] 2018年IEEE第38届电子与纳米技术国际会议（ELNANO）- 单模石英光纤中的放大自发斯托克斯噪声特性
摘要： 本研究提出了将法拉第旋转放大器（FRA）总光学噪声分解为受激与自发部分的技术方法。通过实验研究了反向泵浦FRA空闲模式下，石英单模光纤中放大自发噪声最大功率随泵浦功率变化的函数关系。结果表明：当泵浦功率达数百毫瓦时，实际FRA噪声系数可能显著低于3分贝。
关键词： 放大自发辐射、拉曼增益系数、噪声系数、光纤拉曼放大器、量子极限
更新于2025-09-23 15:22:29
-
[IEEE 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔(2018.6.29-2018.7.3)] 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 集成电路芯片裸片与印刷电路板互连的接口模型
摘要： 本研究展示了高频集成电路封装研究过程中获得的结果。文中描述了集成电路芯片与印刷电路板之间的界面，并对其内部结构进行了开发：包括芯片上的接触焊盘、键合线和芯片输出端。作为所开发方法的一个实例，展示了该界面效应对器件开发及特性的影响——以GPS接收器测试芯片中的低噪声放大器模块为例。
关键词： 低噪声放大器（LNA）、全球定位系统（GPS）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、芯片封装、噪声系数（Noise Figure）
更新于2025-09-23 05:09:49
-
[IEEE 2018年第14届国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 青岛(2018.10.31-2018.11.3)] 2018年第14届IEEE国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 一款适用于毫米波5G基站的1.2分贝噪声系数、17分贝增益宽带砷化镓低噪声放大器
摘要： 一款面向毫米波5G基站的24-30GHz低噪声放大器（LNA）被设计出来，其噪声系数（NF）为1.2dB。该LNA采用两级结构，第一级利用源极退化电感实现噪声与输入匹配的同步优化；第二级采用相同结构以实现级间匹配以及增益与噪声优化的权衡。通过并联电阻电容结构来保证带宽和稳定性。仿真结果表明，该LNA实现了17.8dB的峰值增益，且1dB带宽超过6GHz，在该带宽范围内噪声系数低于1.35dB。
关键词： 低噪声放大器、pHEMT、毫米波、5G、砷化镓、噪声系数
更新于2025-09-23 10:13:50
-
[IEEE 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 中国黄山 (2019.8.5-2019.8.8)] 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 直接调制RoF链路增益与噪声系数分析
摘要： 介绍了直接调制RoF链路的等效电路模型。基于该模型，推导了链路增益和噪声系数的数学表达式。进一步分析了影响传输特性的因素，特别是激光器和探测器的寄生参数。最后，给出了一种提高链路增益和降低噪声系数的通用方法。
关键词： 增益、直接调制、RoF（射频光传输）、噪声系数
更新于2025-09-16 10:30:52
-
[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 基于非简并相位敏感参量放大的低噪声光缓冲技术
摘要： 光缓冲器是一种能够暂时存储光信号的器件，对于光存储、光分组交换和全光信号处理等应用具有重要价值——它能在光域内实现存储功能，从而避免不必要的光电和电光转换。过去二十年间，学界提出了多种光缓冲器实现方案。最直接的方案是采用光纤盘作为长时延光延迟线，需通过直接或间接幅度调制来维持比特时序[1]。其他值得关注的光缓冲技术包括慢光效应[2]、光学腔中的时间孤子[3]、光学器件的激发特性[4]以及光子晶体纳米腔[5]。本文从理论与数值层面分析了基于相位敏感放大(PSA)长时延支持的光缓冲器，并与采用相位不敏感放大(PIA)的缓冲器进行对比。研究考察了不同内部损耗水平下的缓冲器性能，以及两种拓扑结构：第一种配置中PSA增益元件位于损耗源之前，第二种则相反。基于非线性薛定谔方程(NLSE)的数值模拟结果（采用分步傅里叶法求解，并考虑偏振模色散和量子噪声）也一并呈现。结果表明：PSA缓冲器对光腔多次循环累积噪声具有更强鲁棒性，能保持数百次循环的信号保真度，因而成为极具前景的长时缓冲方案——该方案具有调制格式透明特性，并如本文所述具备多波长缓冲潜力。
关键词： 全光信号处理、噪声系数、相位敏感放大、光存储、光缓冲
更新于2025-09-11 14:15:04
-
用于低噪声应用的晶圆级缩放GaAs pHEMT微波线性特性测试程序
摘要： 本研究针对四种具有不同栅极宽度的晶圆级砷化镓赝配高电子迁移率晶体管开展了微波线性特性与噪声系数测量。实验由意大利墨西拿大学与美国华盛顿特区海军研究实验室两个机构共同完成，分别采用标准调谐器测量法与新型无调谐器测量法两种等效方案。两家实验室独立验证了新型技术的有效性，证实了两种方法的优势。本实验活动表明，无调谐器技术可有效应用于先进晶圆器件的噪声特性测量，且无需在标准测量装置中额外加装源调谐器。
关键词： 晶圆上砷化镓赝调制掺杂场效应晶体管，噪声系数，微波，低噪声特性表征
更新于2025-09-11 14:15:04
-
[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 用于2微米探测的Al<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1-y</sub>分离吸收、电荷与倍增雪崩光电二极管
摘要： 我们报道了用于2微米探测的AlxIn1-xAsySb1-y材料体系中的分离吸收、电荷和倍增（SACM）雪崩光电二极管（APD）。展示了其增益、暗电流和低过剩噪声特性。
关键词： 噪声系数、光电器件、光电探测器、雪崩光电二极管、暗电流
更新于2025-09-11 14:15:04
-
[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日至25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 一款噪声系数低于2分贝的X波段高鲁棒性氮化镓低噪声放大器单片微波集成电路
摘要： 本文介绍了一款工作在8-11 GHz频段的低噪声放大器(LNA)。测试结果表明，该放大器增益超过20 dB的同时噪声系数低于2 dB。三级拓扑结构实现了高线性度，在0.6 W功耗下提供29 dBm的输出三阶截点(OIP3)。鲁棒性测试显示该电路至少能承受2.5 W(34 dBm)的输入功率。与现有技术相比，这款尺寸仅为2.8×1.3 mm2(总面积3.6 mm2)的LNA具有紧凑特性。该电路采用WIN半导体公司0.25 μm功率GaN/SiC HEMT工艺制造。
关键词： 单片微波集成电路、高电子迁移率晶体管、氮化镓、低噪声放大器、噪声系数、散射参数
更新于2025-09-04 15:30:14