研究目的
研究不同栅极宽度的片上GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMTs)的微波线性特性，以比较基于调谐器与无调谐器噪声表征技术的有效性。
研究成果
该论文验证了无需调谐器的片上GaAs HEMT器件噪声系数表征技术（频率可达26 GHz），证明其与标准调谐器技术的等效性。无调谐器方法的优势在于无需源调谐器，从而简化了测量设置。
研究不足
该研究承认，由于偏置点的差异以及为所有器件（尽管其输入和输出布局拓扑不同）使用固定长度的理想传输线所带来的近似处理，测量结果存在轻微差异。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用两种噪声表征方法——基于标准调谐器的技术和无调谐器的新技术，并通过两个不同实验室的测量对比其有效性。
2：样本选择与数据来源：
选用四种栅长0.15微米、栅宽按比例缩放的晶圆级砷化镓假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）作为被测器件（DUT）。
3：15微米、栅宽按比例缩放的晶圆级砷化镓假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）作为被测器件（DUT）。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括安捷伦和是德科技等厂商提供的精密网络分析仪、噪声系数分析仪、噪声源及计算机控制同轴调谐器。
4：实验流程与操作规范：
分别采用调谐器技术和无调谐器技术测量散射参数与噪声参数，并通过调整测量参考面来消除实验室间校准方法的差异。
5：数据分析方法：
通过对比两种技术获得的噪声系数测量值，并在电路仿真器中利用理想传输线模拟不同参考面的影响来进行数据分析。
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