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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 锥形硅通孔（T-TSV）寄生电容的温度特性表征

    摘要： 随着三维集成电路集成密度的不断提高，温度成为电路设计中影响性能与可靠性的主要考量因素之一。本文研究了锥形硅通孔（T-TSV）的寄生电容与热学特性的关系，提出"电容温度系数（TCC）"概念来建模TSV电容对温度的敏感度。研究发现高频应用下TSV电容对温度较为敏感，其中MOS电容变化是导致TSV电容改变的主要原因，且TCC随温度升高而增大。论文进一步探讨了TSV尺寸参数对TCC的影响：TSV半径增大会使TCC逐渐升高，而介质层厚度则呈现相反趋势；圆柱形TSV的热敏感性低于锥形TSV。本研究为考虑温度效应的TSV设计提供了理论依据。

    关键词： 锥形硅通孔（T-TSV）、寄生电容、温度效应、三维集成电路（3D ICs）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2019年IEEE第十届分布式发电系统电力电子国际研讨会(PEDG) - 中国西安(2019.6.3-2019.6.6)] 2019年IEEE第十届分布式发电系统电力电子国际研讨会(PEDG) - 基于漏电流振荡的光伏组件寄生电容提取方法

    摘要： 在光伏电站中，光伏组件与地之间的寄生电容会导致非隔离系统产生漏电流。雨天环境下该问题会加剧，因为雨水会使电容值大幅增加。本文提出一种光伏组件与地之间寄生电容的提取方法。不同于常规的解析法、数值计算法和直接测量法，该方法通过测量漏电流振荡来获取寄生电容值。采用全桥逆变器进行原理说明与测量实验，最终通过理论计算、MATLAB仿真及实验测量验证了所提方法的准确性，实验结果表明该方法具有良好的适用性。

    关键词： 光伏组件、寄生电容、漏电流、振荡

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 封装级联氮化镓场效应晶体管的仿真模型开发

    摘要： 本文提出了一种基于实验提取参数的封装级联氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）简化行为模型。该研究通过组合一级金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和二极管模型来模拟级联GaN FET，其中采用JFET模拟金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）。利用JFET模拟MIS-HEMT不仅能确保曲线符合S形转移特性，还可将MIS-HEMT阈值电压提取的夹断电压作为分水岭，用于区分寄生电容下降发生的位置。参数提取基于静态和动态特性，通过模拟所创建GaN FET模型的行为并将提取参数与实验测量值对比，验证了集成电路重点（SPICE）模型的仿真精度。通过实验测量和SPICE仿真分析验证了级联电容，结果表明低压MOSFET的电容对增大级联GaN FET总电容起关键作用。关断电阻机制有效描述了漏电流，采用双脉冲测试仪评估了所制级联GaN FET的开关性能，并使用LTspice仿真软件对比实验开关结果。总体而言，仿真结果与实验结果高度吻合。

    关键词： 关断电阻、氮化镓场效应晶体管、金属-绝缘体-高电子迁移率晶体管、SPICE仿真、级联结构、行为模型、寄生电容

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 背栅二维半导体负电容场效应晶体管的寄生电容对静态和动态电学特性的影响

    摘要： 负电容场效应晶体管（NC-FETs）是未来低功耗物联网（IoT）应用的有力候选器件。本研究提出了一种适用于背栅二维（2D）NC-FETs的统一解析漏电流模型，该模型同时涵盖静态和动态特性并经过实验数据校准?；诖四Ｐ停低逞芯苛思纳缛荻员痴ざ琋C-FETs静态与动态电学特性的影响。研究发现：寄生电容虽能降低亚阈值摆幅，但会导致更大的动态迟滞效应，因此需谨慎权衡二者关系。

    关键词： 负电容场效应晶体管（NC-FETs）、动态迟滞、亚阈值摆幅、寄生电容

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 无变压器光伏逆变器分析

    摘要： 为提高光伏（PV）系统效率并降低成本，无变压器光伏逆变器的应用正受到日益广泛的关注。但该拓扑结构需深入考量，因其存在若干问题，如效率下降及系统与光伏发电机之间电耦合引发的安全隐患。本文综述了独立式与并网光伏逆变器结构，一方面介绍了基于经典结构的多种方案，最终探讨了光伏阵列的寄生电容及光伏系统产生的漏电流问题。

    关键词： 并网系统、寄生电容、漏电流、光伏、无变压器逆变器

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 寄生电容对基于10kV碳化硅MOSFET变换器开关性能的影响

    摘要： 在基于10千伏碳化硅MOSFET的变换器中，主要寄生电容来源包括反并联结势垒肖特基（JBS）二极管、散热器和负载电感。为研究这些寄生电容对6.25千伏电压下开关性能的影响，搭建了半桥相腿测试平台。通常这些寄生电容会减缓开通和关断瞬态过程，并导致显著的开关能量损耗增加。分析了负载电感中寄生电容的影响（该电感采用极短或极长导线串联）。通过对比两种不同热设计的相腿开关性能，研究了散热器相关寄生电容的影响。离散式10千伏碳化硅MOSFET因散热需要的大漏极板会产生较大寄生电容，在低负载电流下可导致开关能量损耗增加44.5%。

    关键词： 10千伏碳化硅MOSFET，寄生电容，开关性能

    更新于2025-09-04 15:30:14