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背栅二维半导体负电容场效应晶体管的寄生电容对静态和动态电学特性的影响

DOI：10.7567/APEX.11.124101 期刊：Applied Physics Express 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 负电容场效应晶体管（NC-FETs）是未来低功耗物联网（IoT）应用的有力候选器件。本研究提出了一种适用于背栅二维（2D）NC-FETs的统一解析漏电流模型，该模型同时涵盖静态和动态特性并经过实验数据校准。基于此模型，系统研究了寄生电容对背栅二维NC-FETs静态与动态电学特性的影响。研究发现：寄生电容虽能降低亚阈值摆幅，但会导致更大的动态迟滞效应，因此需谨慎权衡二者关系。
作者： Chunsheng Jiang，Renrong Liang，Le Zhong，Lei Xie，Weijun Cheng，Jun Xu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究寄生电容对背栅二维半导体负电容场效应晶体管（NC-FETs）静态和动态电学特性的影响。

研究成果

该研究通过解析漏极电流模型，系统性地探究了寄生电容对背栅二维NC-FETs静态与动态电学特性的影响。研究发现，寄生电容虽会降低亚阈值摆幅，但会导致更大的动态迟滞效应，因此在实际器件应用中需权衡亚阈值摆幅与开关速度的关系。

研究不足

该研究聚焦于采用特定材料与结构的背栅二维NC-FET器件，其发现可能无法直接适用于其他类型NC-FET或材料。铁电层阻尼项导致的动态迟滞效应在实际直流测量过程中并未消除。

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