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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 硅晶圆宏观机械应力对室温光致发光信号的影响

    摘要： 将单面抛光和双面抛光的硅晶圆置于聚丙烯晶圆容器中，施加不同局域应力水平与持续时间的机械应力。在施加局域机械应力前后，测量了硅晶圆的室温光致发光（RTPL）光谱。即使在去除机械应力生成夹具一年后，仍测得不同应力水平区域的RTPL强度发生显著变化（最高增幅达26%）。在去除夹具后49天内，仍能检测到局域机械应力对RTPL强度变化的显著影响。而在去除夹具450天后，测得局域机械应力的RTPL特征已基本完全弛豫。研究发现，RTPL强度对硅晶圆外施宏观机械应力及残余（或记忆性）内应力极为敏感，即便在外部机械应力生成夹具移除后依然如此。

    关键词： 硅、室温光致发光、应力弛豫、机械应力

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 紫外辅助电化学蚀刻制备的多孔氮化镓中的应力松弛

    摘要： 本研究描述了生长在Al2O3衬底上的多孔GaN中的应力弛豫现象。结果表明，样品中发生了应力弛豫，且随着蚀刻电流的增加而增强。与原位生长的GaN薄膜相比，多孔GaN表现出显著的光致发光（PL）强度增强，并伴随与压应力弛豫相关的带边峰红移。多孔GaN薄膜拉曼光谱中红移的声子能量峰（E2）进一步证实了这种应力弛豫。扫描电子显微镜（SEM）显示，电流密度对孔隙的大小和形状有显著影响。

    关键词： 应力弛豫，多孔氮化镓，拉曼光谱，红移

    更新于2025-09-23 02:33:09

  • 在蓝宝石衬底背面制备二氧化硅薄膜以减少发光二极管弯曲的方法

    摘要： 本研究通过在蓝宝石衬底背面制备SiO2薄膜来构建LED结构，从而制得了弯曲度较低的发光二极管(LED)。这种低热膨胀系数的SiO2薄膜有效降低了因热膨胀系数差异导致的晶圆弯曲。当SiO2薄膜厚度从1微米增至4微米时，GaN薄膜中的压应力较无SiO2薄膜的情况降低了16%至62%。多量子阱中应力的减小还通过降低压电场效应提升了LED的内量子效率。

    关键词： 应力弛豫，内量子效率，发光二极管

    更新于2025-09-12 10:27:22