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oe1(光电查) - 科学论文

34 条数据
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  • 由非晶态M+Ge2Se3（M=Cu、Sn）构成的光控晶体管，用于访问和连续编程忆阻器

    摘要： 我们证明，由溅射非晶硫系化合物Ge2Se3/M+Ge2Se3（M=Sn或Cu）交替层构成的器件可作为光控晶体管（OGT），并用作忆阻器存储元件的选通晶体管。该晶体管仅有两个电连接端（源极和漏极），栅极受光学控制，因此仅在光照（385-1200纳米）条件下工作。OGT的开关速度低于15微秒。实验将OGT与Ge2Se3+W忆阻器串联，通过调节OGT栅极的光照强度，利用OGT的饱和电流作为编程钳位电流，可将忆阻器编程至连续的非易失性存储状态范围。由于具有连续非易失态范围，单个存储单元有望实现2?级存储。这种高密度特性结合光学可编程性，可实现电子/光子混合存储。

    关键词： 访问晶体管、硫系化合物、阻变随机存取存储器、光电子学、选择器、非晶态、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 全无机钙钛矿的形态调控实现多级阻变特性

    摘要： 全无机铯铅卤钙钛矿因其卓越性能在各类光电子领域备受关注。然而与有机-无机杂化钙钛矿相比，由于铯盐溶解度较低，这类全无机铅卤钙钛矿的薄膜形貌难以控制。本研究提出了一种调控CsPbBr3薄膜形貌的新制备工艺，成功制备出具有大晶粒（约800纳米）的CsPbBr3薄膜系列?；诟帽∧さ囊渥杵鞒氏值湫退缘缱杩匦形?，并展现出高开/关比（约10^5）、极低工作电压（约±1伏）及优异数据保持特性（≥10^4秒）。通过调控薄膜形貌，还可便捷制备具有多级电阻开关行为的忆阻器。这些优势表明全无机铯铅卤忆阻器在未来应用中具有重要潜力。

    关键词： 忆阻器、形貌调控、多级电阻开关、全无机钙钛矿

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 一种用于光逻辑与通信的混合光电忆阻器

    摘要： 基于光的信息处理技术若能解决器件复杂性问题，有望提升电子设备的速度、安全性和可扩展性。我们在此展示了一种能集成、存储并操控光电信息的纳米电子器件。通过采用机械柔性与多层结构，该器件呈现出忆阻特性。光照以多种独特方式调控器件运行：首先，器件产生的光电流使其能以自供电方式读取状态；更重要的是，变化的光强以类神经元可变可塑性的比例关系调制开关转变过程，该过程既可通过光输入也可通过电输入进行训练和查询。这种特性实现了多级光控逻辑与教学方案，可应用于光通信设备，并为未来物联网应用提供普适且低成本的传感器解决方案。

    关键词： 基于光的通信、存储器、混合光电技术、光保真度、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第20届透明光学网络国际会议（ICTON）- 布加勒斯特（2018年7月1日-2018年7月5日）] 2018年第20届透明光学网络国际会议（ICTON）- 光电子与生物传感应用中的透明导电氧化物

    摘要： 透明导电氧化物具有优异的电学和光学特性，可有效提升集成光电子学、生物传感、光探测或阻变存储器等多种应用器件的性能。此外，它们还能与硅CMOS器件集成，具备大规模生产的潜力。本研究将聚焦于氧化铟锡（ITO）和氧化锌（ZnO），探讨其在集成光电子学、忆阻器和生物传感等不同应用领域中的表现。

    关键词： 生物传感、忆阻器、透明导电氧化物、氧化铟锡、氧化锌、开关特性

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于有机铁电聚合物的稳健人工突触

    摘要： 具有历史依赖电阻特性的忆阻器被视为人工突触，在模拟人脑大规模并行运算与低功耗特性方面具有潜力。然而现有最先进的忆阻器仍存在写入噪声过大、电阻突变剧烈、固有随机性显著、耐久性差及能耗过高等问题，阻碍了大规模神经架构的实现。本研究展示了一种基于铁电聚合物栅极绝缘层的稳健型低能耗有机三端忆阻器，其电导可被精确调控至超过1000个中间态之间变化，最高关断/导通比达≈10^4。通过原位实时关联动态电阻切换与极化变化，明确证实二硫化钼沟道中的准连续阻变源于铁电畴动力学机制。该器件成功模拟了长时程增强/抑制（LTP/D）和脉冲时序依赖可塑性（STDP）等典型突触可塑性行为。此外，预计该器件能承受1×10^9次突触脉冲冲击，且每次突触操作能耗极低（小于1飞焦，与生物突触事件相当），这凸显了其在仿生网络大规模神经架构中的巨大应用潜力。

    关键词： 人工突触、有机材料、聚偏氟乙烯、铁电体、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 利用嵌入式超小铂纳米颗粒作为闪存忆阻器存储单元中的电荷捕获层

    摘要： 本研究开发了一种通过原子层沉积（ALD）技术制备高度可控且均匀分散金属纳米粒子的方法。研究展示了全ALD生长的薄膜闪存（TFFM）单元及其应用——以超小铂纳米粒子（Pt-NPs）作为电荷捕获层和控制隧道氧化层。这些超小Pt-NPs尺寸介于2.3至2.6纳米之间，粒子密度约为2.5×1013 cm?2。研究探究了嵌入存储层的Pt-NPs对电荷存储的影响，通过TFFM的电学特性观测到超小Pt-NPs在存储层中的电荷效应，并采用高分辨率扫描电子显微镜（HR-SEM）观察Pt-NPs。存储效应通过IDS-VDS和IDS-VGS曲线的迟滞现象得以显现。TFFM单元的电荷存储能力表明，ALD生长的Pt-NPs与ZnO层结合可视为存储器件的有希望候选方案。此外，ZnO TFFM展现出高达52个数量级的ION/IOFF比（Vgs曲线）。制备的TFFM呈现明显夹断效应并表现出n型场效应晶体管（FET）特性。研究还讨论了原子尺度可控Pt-NPs对器件性能提升的作用，指出ALD生长的Pt-NPs可作为替代量子点结构应用于纳米级电子器件。

    关键词： 氧化锌、薄膜闪存、铂纳米粒子、原子层沉积、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 含1-3纳米电活性石墨烯量子点的氟化石墨烯纳米颗粒

    摘要： 报道了一种制备新型局部纳米结构石墨烯基材料的新视角方法。我们研究了通过高能氙离子纳米化处理部分氟化石墨烯（FG）悬浮液所得薄膜的电学与结构特性。研究表明，离子径迹中的局部冲击加热是引发材料变化的主要驱动力。离子辐照导致局部热膨胀的FG形成，并进一步碎裂为嵌入小尺寸（约1.5-3纳米）石墨烯量子点（带隙估算为1-1.5电子伏特）的纳米级颗粒。该方法进一步应用于校正印刷型FG基交叉杆忆阻器的功能特性。具有微小量子点的介电FG薄膜因其稳定性和优异性能，在石墨烯基电子器件领域展现出应用前景。

    关键词： 忆阻器、分子动力学模拟、纳米结构化、快速离子辐照、氟化石墨烯、石墨烯量子点

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于纳米层状有机-无机异质结器件中电容耦合忆阻效应的非易失性存储无源滤波器

    摘要： 众所周知，可重构器件是电路设计的重要需求之一。本文将纳米层状二氧化钛与枫叶（ML）结合，在忆阻器件内部形成功能性复合层（TiO2-ML），该结构同时展现出电容效应与非易失性存储特性。当电压从零开始升高时，器件首先在低电压区进入电容耦合忆阻态，随后在高电压区转变为常规忆阻态。这种电容行为的存在导致器件呈现非零交叉的I-V特性曲线，与常规忆阻器件的零交叉曲线形成鲜明对比?；诖说缛蓠詈弦渥栊形颐巧杓瞥鲆恢值凸奈拊绰瞬ㄆ?，可应用于可重构模拟电路设计，为未来多功能纳米器件的发展开辟了新路径。

    关键词： 电容效应、忆阻器、有机-无机、异质结、无源滤波器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 微腔介质阻挡放电的记忆特性

    摘要： 本文主要研究了微腔介质阻挡放电的非线性电阻特性。通过建立微腔介质阻挡放电的仿真模型，研究放电过程中电压与电流的关系，从而获得其I-V特性曲线。分析了忆阻器的I-V特性并与介质阻挡放电的I-V特性进行对比，发现微腔介质阻挡放电的I-V特性与忆阻器特性相似。进一步分析了微腔介质阻挡放电的记忆特性。

    关键词： 忆阻器、存储特性、微腔介质阻挡放电、I-V特性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 大规模少层αMoO?再结晶薄膜中的双极忆阻现象

    摘要： 对二维（2D）氧化物材料的研究并不常见，主要原因是从体块晶体剥离制备器件结构时难以获得足够大的晶粒尺寸。在层状氧化物材料中，三氧化钼（αMoO3）因其宽禁带和高空穴迁移率而备受关注。本文报道了适用于纳米加工的高度均匀、大规模、双极型少层αMoO3的生长。在最大10×10 mm2的样品中观察到约5 μm量级的晶粒尺寸，具有六边形晶界且表面粗糙度小于500皮米均方根值。观测到层状原子结构αMoO3特有的精确[010]晶向。实测带隙能量约为2.8 eV。多晶薄膜在常温空气中的载流子迁移率为：空穴2.28 cm2 V?1 s?1，电子3.18 cm2 V?1 s?1。简单场效应器件结构表现出双极型载流子输运特性，产生忆阻器器件特征，这归因于这些晶体中电子与声子强耦合产生的极化电场。

    关键词： 双极型、二维材料、氧化钼、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:21:01