研究目的
设计并制造一种用于光逻辑与通信的混合光电忆阻器，以应对集成化设备的需求——这类设备能够接收、存储和操控光信号，从而简化物联网等应用中的电子系统。
研究成果
这种混合光电忆阻器成功结合了光与电压输入，展现出可通过光照调控的忆阻特性。它支持自供电运行、多级逻辑运算及新型通信方案，适用于物联网应用中低成本、柔性的传感器。未来工作应聚焦于提升器件性能与可扩展性。
研究不足
该设备在切换速度和大规模生产的可扩展性方面可能存在局限，长期稳定性以及环境因素对性能的影响也需关注。为实现更高数据速率及集成至复杂系统，需进行优化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用一种可扩展的无光刻制造工艺，构建具有光学和电学输入的纳米级多层忆阻器件结构。理论模型包含光强与置位电压的关系（V_set = V_set0 - α ln(β * I_Light + 1)）。
2：样品选择与数据来源：
使用预图案化的ITO玻璃衬底（方阻15 Ω/□），经清洗后涂覆功能层。数据采集自不同条件下的器件测试。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于沉积的旋涂机、制备MoO3和Ag层的热蒸发仪、白光LED光源（Mightex Systems LCS-6500-15-22）、通用LED控制器（Mightex Systems SLC-AA02-US）、带AM 1.5 G滤光片的太阳光模拟器（Newport Inc.）、电源（Agilent B2912A和Keithley 2410）。材料包含ITO、ZnO纳米颗粒、P3HT:PCBM（Lumtec）、MoO3、Ag、PMMA（PMMA 950 A6，MicroChem）、Au、Ti及玻璃/PET等衬底。
4：2）、通用LED控制器（Mightex Systems SLC-AA02-US）、带AM 5 G滤光片的太阳光模拟器（Newport Inc.）、电源（Agilent B2912A和Keithley 2410）。材料包含ITO、ZnO纳米颗粒、P3HT:
4. 实验流程与操作步骤：制备过程依次为ITO衬底清洗、ZnO和P3HT:PCBM层旋涂、MoO3和Ag热蒸发、PMMA旋涂以及Au/Ti电极热沉积。测量包括施加电压/光脉冲、记录I-V和I-T特性曲线，以及进行不同曲率半径的弯曲测试。
5：Ag、PMMA（PMMA 950 A6，MicroChem）、Au、Ti及玻璃/PET等衬底。 实验流程与操作步骤：
5. 数据分析方法：通过拟合置位电压-光强曲线及耐久性/柔性测试的统计分析，研究忆阻开关、光伏效应和逻辑运算特性。
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Power Supply
B2912A
Agilent
Measures electrical properties of the device.
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Power Supply
2410
Keithley
Measures electrical properties of the device.
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White LED
LCS-6500-15-22
Mightex Systems
Serves as the light source for illumination in device measurements.
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Universal LED Controller
SLC-AA02-US
Mightex Systems
Controls the white LED light source.
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Solar Simulator
Newport Inc.
Measures photovoltaic parameters with AM 1.5 G filter.
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PMMA
PMMA 950 A6
MicroChem
Used as a material layer in device fabrication, spun on top of other layers.
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P3HT:PCBM
Lumtec
Photo-active layer deposited by spin coating for photovoltaic effects.
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