修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 采用石墨烯的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管热分析

    摘要： 采用Silvaco软件和有限元法研究了含石墨烯的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的热特性。实施了两种热管理方案：首先将石墨烯作为SiC衬底与GaN缓冲层之间的散热材料以降低器件热边界电阻；同时将石墨烯用作源极接触顶部的热扩散材料以减小器件热阻。热分析结果表明，在13.86 W/mm功率密度下工作的含石墨烯器件温升降低了46.5%。采用石墨烯的GaN HEMTs热阻为6.8 K/W，显著低于无石墨烯器件的18.5 K/W。这些热管理方案有助于将大规模石墨烯集成到实际器件中，实现AlGaN/GaN HEMT的有效散热。

    关键词： 氮化铝镓/氮化镓，热管理，高电子迁移率晶体管（HEMTs），石墨烯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过电流瞬态谱分析AlGaN/GaN肖特基二极管的陷阱效应

    摘要： 通过电流瞬态谱分析了具有不同AlGaN势垒层组分的两个AlGaN/GaN肖特基二极管中的陷阱效应。在25至150°C的六个不同温度下，以恒定偏压测量了电流瞬态。所获数据仅通过三个叠加指数拟合即实现了实验与拟合数据的良好吻合。研究发现，被测结构中主要陷阱的激活能在0.77-0.83 eV范围内。该近乎一致的激活能既出现在-6 V反向偏压下测量的电流瞬态中，也出现在+1 V正向偏压下的测量结果里。这表明主要陷阱可能主要源于与位错相关的缺陷，这些位错主要连接着AlGaN/GaN界面附近的GaN缓冲层。

    关键词： 活化能、指数函数、肖特基二极管、AlGaN/GaN（氮化铝镓/氮化镓）、（去）俘获

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 4H-SiC衬底小倾角对AlGaN/GaN异质结构外延生长及微观结构的影响

    摘要： 采用金属有机气相外延（MOVPE）技术在晶向"轴向"和2°偏轴的(0001)面4H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN异质结构。通过透射电子显微镜进行结构表征发现：轴向生长时位错密度较高，但在GaN层中逐渐降低并在下层形成位错环；偏轴情况下沿[11?00]方向排列的台阶会导致缺陷同步形成。轴向生长时几乎观察不到台阶存在，缺陷主要源自未完全融合的小尺寸AlN晶粒间晶界取向失配。AlN成核层中出现V形缺陷结构，偏轴情况下更为频繁（可能受台阶影响加剧）。这些V形结构在后续GaN沉积过程中被完全覆盖，在缺陷壁面呈现AlGaN区域表明层间发生了互扩散。轴向生长异质结构表面观察到V形缺陷，其中松弛GaN上的AlN间隔层与AlGaN（21%铝组分）厚度超过了临界松弛厚度；而偏轴情况未出现V形松弛（可能因AlGaN厚度较小<21%铝组分）。异质结构间生长的AlN间隔层具有均匀厚度和清晰界面。

    关键词： 透射电子显微镜（TEM）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、碳化硅衬底（SiC substrate）、异质结构（Heterostructure）、氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的两端太赫兹探测器

    摘要： 我们报道了一种制备两端天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频太赫兹探测器的方法。通过氟离子注入提高AlGaN/GaN二维电子气的阈值电压，可获得使探测器在零栅压或栅极悬浮状态下响应度最大化的最佳注入剂量。研究获得了离子剂量与阈值电压、电子迁移率、电子浓度、响应度及等效噪声功率（NEP）之间的关系。在0.65 THz频率下，该两端探测器实现了47 W/√Hz的最小光学NEP。两端工作模式的优势在于：无需在天线阵列周围布置负栅压线路，且能最大限度降低栅极漏电流，从而便于设计大规模天线耦合高电子迁移率晶体管探测器阵列。

    关键词： 双端操作、太赫兹探测器、氮化铝镓/氮化镓、氟离子注入、高电子迁移率晶体管

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 采用束减速技术的极低能量（100电子伏特）电子束激发AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构发光

    摘要： 我们开发了一套低束能阴极荧光（CL）系统。该系统由配备束减速（又称"减速"）工具的扫描电子显微镜和CL检测系统组成。利用该系统研究AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管结构时，即使在100电子伏特能量下仍观测到带边发射。经数秒等离子体辐照后，带边发射显著减弱。这种低束能阴极荧光技术对表面状态高度敏感，可用于器件制备中干法工艺的优化。

    关键词： 高电子迁移率晶体管，低束能，氮化铝镓/氮化镓，束减速，阴极荧光

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 氮化镓高电子迁移率晶体管最新研究进展综述：器件、制备与可靠性

    摘要： 基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMTs）在高功率和高频器件应用中展现出卓越特性。本文综述了AlGaN/GaN HEMTs的最新研究进展，内容包括以下部分：首先讨论器件制备中的挑战及优化方案；其次介绍器件制备技术的最新进展；最后探讨模拟研究中一些具有前景的器件结构。

    关键词： 高电子迁移率晶体管（HEMTs）、p型氮化镓（p-GaN）、增强型、氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 采用低硼含量BGaN缓冲层增强AlGaN/AlN/GaN异质结构中的电子限制效应

    摘要： 由于纤锌矿BGaN合金具有较小的晶格常数a及其外延层良好的绝缘特性，采用低硼含量（0.005~0.02）的BGaN作为缓冲层有望成为GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的背势垒。本文提出一种改进的BGaN背势垒HEMT结构（AlGaN/AlN/GaN/BGaN缓冲层），该结构不会产生寄生电子沟道。通过一维自洽模拟研究了BGaN缓冲层的能带分布和载流子分布。结果表明：极低硼含量的BGaN缓冲层能提供足够背势垒以增强电子限制，其原理与AlGaN缓冲层背势垒的形成机制类似。当沟道厚度增加到一定值时，通过将硼含量从0提升至0.02，甚至可在GaN/BGaN界面诱导出低密度的二维空穴气（2DHG）。一旦形成2DHG，继续增加硼含量会导致更高密度的2DHG，但对能带分布、电子限制及二维电子气（2DEG）密度的影响逐渐减弱。

    关键词： HEMT（高电子迁移率晶体管）、背势垒、二维电子气（2DEG）、二维空穴气（2DHG）、氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）、氮化硼镓（BGaN）

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • AlGaN/GaN多纳米沟道高电子迁移率晶体管中沟道电场的增强

    摘要： 我们研究了蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN多纳米沟道（MNC）高电子迁移率晶体管（HEMT）的漏极电流特性。实验发现，该MNC HEMT的电流值与同芯片上常规平面器件几乎相当——这一结果出人意料，因为MNC HEMT中AlGaN表面的实际栅极宽度仅为平面器件的20%。为解释实验现象，我们采用TCAD Sentaurus软件对平面和MNC HEMT进行了三维（3D）仿真，重点计算了不同纳米沟道宽度的MNC HEMT转移特性并与实验数据对比，仿真结果与实验高度吻合。由此揭示：MNC HEMT电流的异常表现源于栅极下方有效电子速度（ve）的增强效应。具体而言，其ve值达到常规HEMT的2.5倍（约2.44×10? cm/s），接近氮化镓材料饱和速度峰值（2.5×10? cm/s）。最终证实这种显著的速度增强源于纳米沟道内强电场的形成。本研究成果不仅适用于MNC结构，对理解AlGaN/GaN FinFET等其他具有三维纳米沟道的HEMT器件中电场与电子速度分布也具有重要参考价值。美国物理联合会出版社发布。

    关键词： 高电子迁移率晶体管、电子速度、电场、氮化铝镓/氮化镓、多纳米沟道

    更新于2025-09-04 15:30:14