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oe1(光电查) - 科学论文

12 条数据
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  • 通过生长后电老化制备稳定的碳纳米管冷阴极电子发射器

    摘要： 我们制备了具有增强且稳定电子发射特性以及长期稳定性的碳纳米管（CNT）冷阴极发射器，并以电老化作为后处理工艺。通过电老化，我们的碳纳米管场发射器展现出更优的电学性能。我们设定了实现有效电老化的偏置电压——该电压值定义为出现焦耳加热效应时的电压。在老化初期阶段，电子发射电流开始上升，并在3小时内达到饱和。实验表明，在适当的老化偏压下，5小时老化时长已足够。若老化偏压过高，过度发热会损伤碳纳米管发射器。经过电老化处理，我们将电子发射电流从3毫安提升至6毫安，其中6毫安的电流可稳定维持9小时。

    关键词： 碳纳米管、电老化、电子发射、焦耳热、场发射器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • K. Jensen广义热场光发射积分的精确计算

    摘要： 詹森推导出了一个通用表达式，用于描述由热发射、场发射或这些过程共同作用产生的表面电流密度JGT F；他还展示了如何通过解析方法扩展该表达式以计算光电发射的电流密度。JGT F表示为单重积分，詹森在特定极限条件下进行了解析求解，在其他情况下则采用数值计算。本文中，我们证明该积分可普遍表示为收敛级数形式，这种级数对所有物理参数值都易于进行数值计算。本文所得级数中不存在詹森定义的函数Z所出现的那种真实或表观奇点。

    关键词： 光电发射、场致发射、热发射、电子发射

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 电铸Al-Al?O?-Ag二极管价带态与缺陷导带的电子发射及紫外电致发光

    摘要： 金属-绝缘体-金属（MIM）二极管的电铸过程是一种软介质击穿现象，会导致导电细丝穿过二极管形成。这是开发阻变存储器中可发生开关的导电态的关键步骤。研究了两组电铸铝-氧化铝-银二极管（非晶阳极氧化铝厚度介于20纳米至49纳米之间）的导通、电子发射到真空（EM）和电致发光（EL）特性。当出现表征铝-氧化铝-金属二极管电铸过程的电流突增时，EM和EL同时显现。电铸后电流-电压（I-V）特性中存在电压控制的微分负电阻。电子发射存在与施加电压VS相关的温度无关电压阈值VEM ? 4 V，并呈现指数增长。当VS超过第二个温度无关电压阈值UEM时，区域III会出现EM的二次指数增长——其中一组铝-氧化铝-银二极管的UEM约为6.6 V，另一组约为7.9 V。在4 V ? VS ? UEM的区域II内，EM基本保持恒定。采用两个带通滤波器对电铸铝-氧化铝-银二极管的EL进行表征：长通（LP）滤光片配合光电倍增管响应能量约1.8 eV至3.0 eV的光子；短通（SP）滤光片测量约3.0 eV至4.2 eV的紫外（UV）辐射。对应EM区域I，当VS超过温度无关电压阈值VLP ? 2.0 V和VSP ? 2.2 V时，EL呈现指数增长。在区域III，当VS超过温度无关电压阈值USP时，SP滤光片测量的UV出现二次指数增长——其中一组电铸铝-氧化铝-银二极管的USP ? 7.9 V，另一组≈8.8 V（USP > UEM）。两组均观测到来自非晶氧化铝价带态的EM。两组电铸铝-氧化铝-银二极管UEM与USP的差异，归因于非晶氧化铝中F0-或F+-中心基态形成的缺陷导带（氧空位）是否存在。在低电导态下观测到电铸铝-氧化铝-金属二极管的EM或EL呈指数增长，这与涉及导电细丝断裂的MIM二极管开关机制不符——因为若断裂影响二极管电流，理应同时切断EM和EL。

    关键词： 电铸、电子发射、电致发光、缺陷导带、电阻开关、Al-Al2O3-Ag二极管

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 热释电材料LiTaO?与LiNbO?的电学特性及其与电子和X射线能量关联的研究

    摘要： 通过利用热释电效应产生X射线，研究了热释电钽酸锂（LiTaO3）和铌酸锂（LiNbO3）的电学特性，并将其与可获得的X射线能量进行了对比。测量了不同尺寸晶体的电容并计算了相应的介电常数。真空装置使得能够在可变压力下关联最大X射线能量。所呈现的结果提供了基础材料特性的概述及其对产生的电位差的影响。

    关键词： 铌酸锂，热释电晶体，真空电子源，X射线谱，介电常数，X射线能量，电子加速，电子发射，电容，钽酸锂

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 基于金刚石pin二极管的电子源

    摘要： 高效电子源在航天、地面电力通信及雷达应用领域持续受到关注?；诖橙鹊缱臃⑸溆氤≈碌缱臃⑸湟跫际?，本研究通过金刚石PIN二极管实现了直接电子发射的新方法。注入二极管本征层导带的电子可通过该i层的负电子亲和势表面释放至真空环境。这些金刚石PIN二极管制备于（111）晶向的硼掺杂（p型）衬底上，分别采用专用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统沉积了高纯度本征层和磷掺杂金刚石层（n型，约400纳米厚度）。另通过专用PECVD生长了由纳米结构碳构成的附加接触层。该多层器件采用铝硬掩模光刻工艺加工，蚀刻出直径50-200微米的台面结构。最终器件经纯氢等离子体处理以诱导i层的负电子亲和势特性，随后在高真空环境中进行退火处理。单个PIN二极管在正向偏置电流及最高20伏特电压下工作时，观测到的二极管发光现象归因于紫外激子态并表明存在双极传输。当二极管电流达到约80毫安时，单个直径200微米二极管可观测到25微安的电子发射电流。

    关键词： 钻石、固态电子学、掺杂、磷、电子发射、等离子体增强化学气相沉积、纳米结构碳、PIN二极管、单晶

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 矩形热释电晶体发射电子的自聚焦：优化X射线强度的几何条件研究

    摘要： 诸如LiTaO3或LiNbO3的压电晶体为产生高能高强度X射线提供了可能。这些压电X射线源因其独特优势可应用于XRF领域。本报告系统研究了这些晶体的特性行为以实现X射线强度优化，并进一步探究了矩形压电晶体发射电子的聚焦问题。

    关键词： 铌酸锂，热释电晶体，真空电子源，X射线强度，X射线光谱，聚焦，电子加速，电子发射，钽酸锂

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 对极紫外光刻胶材料中化学过程的基本理解

    摘要： 为推动极紫外（EUV）光刻技术发展，需要新型光刻胶材料。通过深入理解EUV引发的化学反应机理，能够实现高效光刻胶的定制化设计。本文探讨了光刻胶薄膜吸收EUV光子后发生的过程，并阐述了一种从基础层面研究这些过程的新方法。研究人员采用化学放大型EUV光刻胶单体单元类似物，在气相状态下实验研究了光吸收、电子发射和分子碎裂等过程。为验证EUV吸收截面对选择性光捕获取代基的依赖性，运用以下技术表征了卤代甲基苯酚：通过光电子能谱分析分子发射电子的动能与产额；针对碘代甲基苯酚检测了光致电离后的俄歇电子发射；利用质谱法推断了电子发射与原子弛豫后的分子碎裂路径。为探究发射电子与凝聚态薄膜中中性分子的相互作用，研究了中性气相分子与电子束作用时的碎裂模式，发现其与EUV光子引发的碎裂具有相似性。实验证实在电离阈值以下，共振电子附着会使碘代甲基苯酚发生解离。

    关键词： 光吸收、分子碎裂、电子发射、光刻胶、质谱法、俄歇电子、光电子能谱、极紫外光刻、共振电子附着、卤代甲基苯酚

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 飞秒激光诱导纳米金刚石涂层钨针尖的电子发射

    摘要： 我们展示了纳米金刚石涂层钨针尖的飞秒激光诱导电子发射现象。由于飞秒激光脉冲的极短脉宽，在红外（1932纳米）至紫外（235纳米）波长范围内均可实现光电子激发——因为多光子激发在整个光谱范围内都保持高效。根据激光波长不同，我们发现存在以所需光子数区分的主导发射通道。基于钨与纳米金刚石的能带排列，这些发射通道可对应金刚石及其石墨化边界中的特定电子跃迁。决定光发射主导激发通道的关键因素包括：初态与末态特性（即金刚石能带结构中的体相/近表面态、直接/间接激发）、提供激发能量的光子数以及激光脉冲峰值强度。氢终端纳米金刚石涂层的特殊之处在于其负电子亲和势能显著降低功函数，使导带底电子无需克服能垒即可高效发射至真空。该发射过程在每激光脉冲高达400个电子的束团电荷量下仍保持稳定。我们推算其归一化发射度<0.20纳米·弧度，归一化峰值亮度>1.2×1012安培·米?2·球面度?1。这些针尖的特性使其有望作为激光触发电子源，应用于超快电子显微镜、衍射技术及新型光子学激光加速器等领域。

    关键词： 纳米金刚石、超快电子显微镜、钨针尖、多光子激发、电子发射、负电子亲和势、飞秒激光

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 强飞秒激光脉冲作用下通过硅-真空界面的超快电子转移

    摘要： 对飞秒激光脉冲辐照下硅-真空界面附近超快电子转移过程中，电荷发射分离形成的准稳态电场影响进行了理论研究。估算了接近及超过硅损伤阈值的飞秒脉冲辐照时产生的准稳态电场强度值。研究了因表面层电子耗尽导致光学性质改变，进而在飞秒脉冲辐照的硅近表面层形成动态光学分层结构的可能性。提出电荷发射分离诱导的时变偶极矩应会产生太赫兹频段电磁辐射，并对该辐射的基本特性进行了理论研究。

    关键词： 库仑爆炸、硅、超快加热、太赫兹辐射、电子发射、电子转移、飞秒激光脉冲

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2018年第二届国际电介质会议(ICD) - 布达佩斯(2018.7.1-2018.7.5)] 2018年IEEE第二届国际电介质会议(ICD) - 基于PIC/MCC方法的微间隙气体击穿数值模拟

    摘要： 基于汤森效应的帕邢曲线曾用于描述气体击穿电压，但越来越多实验表明，当电极间距小于10微米时该理论并非完全准确。因此研究微尺度间隙击穿规律及微电子元件绝缘结构的放电机制具有重要意义。本研究采用粒子模拟/蒙特卡罗碰撞方法进行数值实验，模拟空气中微间隙放电过程。通过带电粒子数量变化、电流强度及电场分布作为击穿判据来分析微间隙击穿特性，不同判据确定的击穿时刻基本一致。此外，在不同外加电压和阴极温度下，场致发射与热电子发射对阴极总电子发射的贡献存在差异。该系列实验结果可为微尺度介质击穿的物理机制提供进一步理论指导。

    关键词： 粒子模拟方法、电子发射、气体击穿、微尺度间隙

    更新于2025-09-10 09:29:36