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oe1(光电查) - 科学论文

39 条数据
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  • [2019年IEEE射频集成电路研讨会（RFIC）- 美国马萨诸塞州波士顿（2019年6月2日-6月4日）] 2019年IEEE射频集成电路研讨会（RFIC）- 一款21至30GHz合并式数控高分辨率移相器-可编程增益放大器，具有正交相位与增益控制功能，适用于5G相控阵应用

    摘要： 本文提出了一种面向5G相控阵应用的21至30GHz合并式无源矢量合成移相器(PS)与可编程增益放大器(PGA)，具备亚度级相位分辨率。该移相器采用基于变压器的全差分高阶谐振耦合器作为正交信号发生器(QG)，通过创新布局策略仅在一个电感占位面积内实现宽带宽、低损耗及精确正交相位。相比传统四阶变压器谐振耦合器，所提出的高阶谐振耦合器具有更宽的正交带宽。两个相位不变的6位二进制加权矢量调制器阵列对正交信号进行幅度调节，实现所需的高分辨率矢量相位插值。可编程增益放大器通过"基于分数位"的设计方案实现相位不变且分贝线性的增益控制。该芯片原型采用65nm CMOS工艺制造，在20至31GHz频段实现43%的分数带宽-3dB指标。移相器以0.8°步进调节相位，同时保持最小0.42°的均方根相位误差，在现有毫米波移相器中展现出最优的相位精度。

    关键词： 高阶、相控阵、正交发生器、超紧凑型、可编程增益放大器、移相器

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2019年IEEE/MTT-S国际微波研讨会（IMS 2019）- 美国马萨诸塞州波士顿（2019年6月2日-6月7日）] 2019年IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS）- 基于非辐射介质波导拓扑结构的W波段液晶移相器

    摘要： 本文提出了一种基于液晶（LC）技术的W波段连续可调非辐射介质波导（NRD）移相器。通过在NRD的介质芯中插入液晶实现可调谐性。与其他易产生辐射损耗的介质波导相比，NRD即使在弯曲和不连续处也无辐射。在±150V偏置电压下实现了280°的最大差分相移，同时插入损耗介于2.9dB至4.9dB之间，从而获得最高85°/dB的品质因数。

    关键词： 毫米波器件、可调谐电路与器件、移相器、液晶、非辐射介质波导

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [2019年IEEE/MTT-S国际微波研讨会（IMS 2019）- 美国马萨诸塞州波士顿（2019年6月2日-6月7日）] 2019年IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS）——一种90°自补偿平板空气填充基片集成波导移相器

    摘要： 本文提出了一种基于Ka波段平板空气填充基片集成波导平台的90°自补偿移相器。由于其工作机理，实现了更短的移相器尺寸。测量结果显示，在Ka波段内相对相移为88±7.8°（约8.9%的相位误差），幅度不平衡度为0.06±0.14 dB。通过理论研究与仿真分析，阐述了该移相器的工作原理，并对仿真与实测结果进行了对比讨论。

    关键词： A型平板空气填充基片集成波导（AFSIW）、移相器、补偿器、空气填充基片集成波导（AFSIW）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 可配置的穿孔充气基板集成波导（AFSIW）用于通用高性能基板系统

    摘要： 本文介绍了一项专利申请中的可配置穿孔充气基片集成波导（PAFSIW）。首先对所提出的PAFSIW拓扑结构进行了理论与实验研究，具体证明：与AFISW相比，采用低成本高耐温FR4材料制成的PAFSIW传输线在20GHz频段可承载超过190瓦（根据实验数据外推可达1340瓦）的连续波功率，并具有更优的散热性能。随后介绍了基于PAFSIW传输线段的可配置移相器、谐振器和滤波器。这些器件采用传统印刷电路板（PCB）和通孔安装（THM）工艺制造，以验证PAFSIW的通用性和工艺容差鲁棒性。该PAFSIW技术平台拓展了高性能AFISW的功能，具有通用性、制造工艺鲁棒性及散热改进方案等优势。作者预期其将应用于未来基片通用系统中的高可配置微波与毫米波电路。

    关键词： 基板上的系统、滤波器、功率处理能力、腔体、空气填充的基板集成波导（AFSIW）、传输线、谐振器、可配置性、移相器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于四分之一波长耦合谐振器的SiGe BiCMOS移相器

    摘要： 本工作首次展示了基于带通滤波器架构的单片集成移相器实例。该设计方案通过将经典四分之一波长耦合滤波电路映射为其集总元件等效形式实现。采用变容二极管调谐储能电路控制带通特性，从而实现相位调控。研究团队基于0.25μm SiGe BiCMOS工艺，在24 GHz ISM频段制作了原型验证器。实验结果表明其相位调节范围达180°，最大传输损耗为8 dB。该结构的主要特点是可通过设计调控传输损耗，且具有极紧凑的尺寸优势。

    关键词： SiGe BiCMOS、变容二极管、移相器、通带

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 采用平行耦合三线的宽带180°移相器

    摘要： 本文展示了一种采用平行耦合三线结构的宽带180°移相器。该移相器由短路耦合线和带短路短截线的传输线构成。通过耦合线的高耦合系数提升了移相器的带宽。当耦合系数为1时，带宽无限且相位误差为零。因此我们采用平行耦合三线结构以确保高耦合系数。在耦合系数受限的情况下，通过优化传输线阻抗实现了回波损耗的最宽工作带宽。所设计的180°移相器在1.14-2.79 GHz频段内回波损耗小于-15 dB，最大相位误差小于5°，其相对带宽达83.9%。

    关键词： 平行耦合线，宽带移相器，平行耦合三线结构，180°移相器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2019年第16届国际无线通信系统研讨会(ISWCS) - 芬兰奥卢(2019.8.27-2019.8.30)] 2019年第16届国际无线通信系统研讨会(ISWCS) - 基于45nm CMOS SOI共面波导耦合线耦合器的差分反射式移相器

    摘要： 本文提出了一种毫米波全差分共面波导（CPW）垂直耦合线耦合器及基于该耦合器的反射式移相器（RTPS）。在基于CPW的耦合器中采用接地带状线结构实现垂直耦合，不仅比边缘耦合具有更优的耦合特性，还能有效利用周边区域以减小芯片面积。所提出的耦合器和移相器采用45nm CMOS SOI工艺设计制造。实测耦合器在18至43GHz频段的插入损耗约为6dB。移相器通过数字控制并联LC负载来调节相位，在39至45GHz频率范围内测得相位调谐范围为115度，插入损耗变化为4.5至9dB。移相器总版图面积为0.214mm2，其尺寸小于近期发表的最新先进结构。

    关键词： 5G、毫米波、相控阵、混合耦合器、移相器、CMOS SOI

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 海得拉巴(2017.12.18-2017.12.19)] 2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 结构剖面对硅基光学调制器相位与损耗特性的影响

    摘要： 本文通过数值分析计算了三种不同结型轮廓硅脊形PN移相器的模态、相位和损耗特性?；谛阅芴卣鞫悦扛鲅窘斜冉?，结果表明渐变结移相器比突变结移相器具有更优的性能。

    关键词： 移相器、脊形波导、硅调制器、插入损耗、PN结、渐变结

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-2018年7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 工频数字移相器的发展

    摘要： 在高压损耗测量中，需要精确测量两个近乎正交的电压信号和电流信号。若将电压信号的相位精确偏移90°，则电压与电流之间的相位角将接近0°，此时这两个信号就能更易被同时精确测量。为此研发了数字移相器，在150Hz频率和120V电压条件下，该数字移相器的相位误差小于6微弧度，幅值误差小于110×10??。

    关键词： 移相器、损耗测量、相位精度、模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 精密射频相移测量的零位技术

    摘要： 开发了一种双通道中频替代零值系统，用于1 MHz至1 GHz频率范围内的精密相移测量与标准制定。采用配备校准相位监测器的特定可编程中频移相器作为相位参考标准。该零值技术的高灵敏度特性使得即使在大衰减情况下也能对被测器件进行精确测量。在1 GHz频率下，对于分别具有20 dB、40 dB和60 dB衰减的被测器件，测得分辨率分别为0.002度、0.006度和0.023度。

    关键词： 相位测量、不确定度、射频、精密测量、衰减测量、移相器

    更新于2025-09-10 09:29:36