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基于四分之一波长耦合谐振器的SiGe BiCMOS移相器

DOI：10.1002/mmce.21806 期刊：International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 本工作首次展示了基于带通滤波器架构的单片集成移相器实例。该设计方案通过将经典四分之一波长耦合滤波电路映射为其集总元件等效形式实现。采用变容二极管调谐储能电路控制带通特性，从而实现相位调控。研究团队基于0.25μm SiGe BiCMOS工艺，在24 GHz ISM频段制作了原型验证器。实验结果表明其相位调节范围达180°，最大传输损耗为8 dB。该结构的主要特点是可通过设计调控传输损耗，且具有极紧凑的尺寸优势。
作者： Domenico Calzona，Luigi Boccia，Emilio Arnieri，Giandomenico Amendola
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于采用IHP 0.25微米SiGe BiCMOS工艺SG25H3实现的可调带通滤波器(BPF)的单片集成PS的发展。

研究成果

本工作首次展示了基于带通滤波器的单片集成相位选择器实现方案。该方法的主要特点是可通过设计调控相位选择器的工作频段与传输损耗。该工作原理可扩展至更宽频带范围，并可通过选用不同工艺降低插入损耗。

研究不足

PS所占的硅面积为340×590微米2（不包括两个GSG焊盘和几个直流焊盘）。通过有限元法(FEM)对每个?？榻蟹抡娣治?，再将结果与二极管电路模型相结合，完成了整个结构的仿真。

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