研究目的
比较不同结型轮廓的硅脊PN移相器的性能特性，以确定移相器的最佳结型轮廓。
研究成果
与突变结移相器相比，具有较低分级系数的分级结移相器在吸收损耗、αVπLπ乘积以及插入损耗方面表现更优。但研究表明，在选择最优调制器之前，还需进一步比较其调制速度和功耗。
研究不足
该研究侧重于数值分析与模拟，可能无法完全捕捉现实中的变化与缺陷。比较基于特定性能指标，可能未涵盖所有运行条件。
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[2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 海得拉巴(2017.12.18-2017.12.19)] 2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 结构剖面对硅基光学调制器相位与损耗特性的影响
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[2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 海得拉巴(2017.12.18-2017.12.19)] 2017年IEEE光子学前沿研讨会(WRAP) - 结构剖面对硅基光学调制器相位与损耗特性的影响
DOI：10.1109/WRAP.2017.8468593
出版年份：2017
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
本文通过数值分析计算了三种不同结型轮廓硅脊形PN移相器的模态、相位和损耗特性?；谛阅芴卣鞫悦扛鲅窘斜冉?，结果表明渐变结移相器比突变结移相器具有更优的性能。
作者：
Darpan Mishra，Ramesh Kumar Sonkar
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